🇨🇳 A股公告安培龙Qwen · 实盘不做把握 1/10不做原因:不是事件
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安培龙获得单晶PZT薄膜MEMS器件发明专利证书，公司明确表示短期不会对经营业绩构成重大影响
这是一份例行的发明专利授权公告，公司在公告中明确写出'短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响'。专利对应在研产品MEMS加速度传感器，尚无量产/出货/客户/收入信息。A股上市公司专利授权公告属于高频例行披露，不构成方向性催化。无金额、无订单、无客户、无时间表变化，不存在可交易的edge。
📄 原文安培龙↗ 原文
关于公司获得发明专利证书的公告
— 1 — 证券代码：301413 证券简称：安培龙 公告编号：2026-059 深圳安培龙科技股份有限公司 关于公司获得发明专利证书的公告 本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记 载、误导性陈述或重大遗漏。…
不做 安培龙（301413.SZ）
例行专利授权公告，公司明确声明短期不会对经营业绩构成重大影响；无订单、无客户、无收入增量、无量产时间表，不构成方向性催化，无可交易edge
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研究档案
结论摘要
安培龙披露获得1项MEMS相关发明专利授权，该专利服务于在研MEMS加速度传感器。公告正文明确声明'短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响'，且无产品量产时间、客户定点或收入贡献的任何增量信息。此类专利授权公告在A股属高频例行披露，不构成方向性催化，无交易价值。
🔎 新鲜度:最早出现 2026-08-31 · 扩散 low · price-in 风险 low ↗
先例如何影响了这次决策
对本次决策的影响:事件本身不构成催化，无需先例校准
方向:无先例可用
涨幅量级:无
形态:无
工具执行结果 · 成功 1 · 降级 0 · 失败 0 · 取消 0
- search_case_library 成功 stock_tools HTTP · 272 ms
{"result": "search_case_library「301413.SZ」无历史决策命中(我们过去没在这些标的上决策过,或历史尚未回填)。\n◆ 301413.SZ：相关历史决策 11 条 · 其中该标的 ENTER 0 条(0.0%) · 我们从没在这只票上 ENTER 过"}
原文全文
展开原文 · 832 字
— 1 —
证券代码：301413
证券简称：安培龙
公告编号：2026-059
深圳安培龙科技股份有限公司
关于公司获得发明专利证书的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记
载、误导性陈述或重大遗漏。
深圳安培龙科技股份有限公司（以下简称“公司”）于近日收到国家知识产
权局颁发的1 项《发明专利证书》，现将本次取得的发明专利具体情况公告如下：
发明名称：一种基于单晶PZT 薄膜的MEMS 器件及其制备方法
专利号：ZL 2026 1 0831777.5
专利权人：深圳安培龙科技股份有限公司
专利申请日：2026 年06 月10 日
授权公告日：2026 年08 月28 日
专利权期限：本专利的专利权期限为20 年。
本发明公开了一种基于单晶PZT薄膜的MEMS器件及其制备方法，涉及微机电
系统技术领域，包括支撑基底、第一介质层、第一电极、压电层、第二电极和第
一引出电极；压电层设有贯穿至第一电极互联接触区的互联通孔，第一电极内设
有与互联通孔连通且未贯穿第一电极的接触凹槽，导电填充体填充于互联通孔和
接触凹槽内并直接接触第一电极内部金属本体；该结构避开第一电极表面氧化层
或刻蚀损伤层造成的高接触电阻，并使底层电极独立低阻引出；解决单晶PZT薄
膜MEMS器件中，底层电极通孔引出时因电极表面氧化层、卤化反应层或刻蚀损伤
层导致接触电阻升高、接触一致性差以及过刻蚀易损伤底层电极的问题。
本项发明专利为公司在研产品MEMS加速度传感器的一种自主研发的创新型
核心技术，短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响，未来将陆续在公司相关
产品应用领域中应用。
本次取得的发明专利有利于公司发挥产品的自主知识产权优势及技术创新
优势，对提升企业核心竞争力、促进市场拓展及研发创新等方面都具有重要意义。
敬请广大投资者理性投资，注意投资风险。
特此公告。
— 2 —
深圳安培龙科技股份有限公司董事会
2026年8月31日
证券代码：301413
证券简称：安培龙
公告编号：2026-059
深圳安培龙科技股份有限公司
关于公司获得发明专利证书的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记
载、误导性陈述或重大遗漏。
深圳安培龙科技股份有限公司（以下简称“公司”）于近日收到国家知识产
权局颁发的1 项《发明专利证书》，现将本次取得的发明专利具体情况公告如下：
发明名称：一种基于单晶PZT 薄膜的MEMS 器件及其制备方法
专利号：ZL 2026 1 0831777.5
专利权人：深圳安培龙科技股份有限公司
专利申请日：2026 年06 月10 日
授权公告日：2026 年08 月28 日
专利权期限：本专利的专利权期限为20 年。
本发明公开了一种基于单晶PZT薄膜的MEMS器件及其制备方法，涉及微机电
系统技术领域，包括支撑基底、第一介质层、第一电极、压电层、第二电极和第
一引出电极；压电层设有贯穿至第一电极互联接触区的互联通孔，第一电极内设
有与互联通孔连通且未贯穿第一电极的接触凹槽，导电填充体填充于互联通孔和
接触凹槽内并直接接触第一电极内部金属本体；该结构避开第一电极表面氧化层
或刻蚀损伤层造成的高接触电阻，并使底层电极独立低阻引出；解决单晶PZT薄
膜MEMS器件中，底层电极通孔引出时因电极表面氧化层、卤化反应层或刻蚀损伤
层导致接触电阻升高、接触一致性差以及过刻蚀易损伤底层电极的问题。
本项发明专利为公司在研产品MEMS加速度传感器的一种自主研发的创新型
核心技术，短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响，未来将陆续在公司相关
产品应用领域中应用。
本次取得的发明专利有利于公司发挥产品的自主知识产权优势及技术创新
优势，对提升企业核心竞争力、促进市场拓展及研发创新等方面都具有重要意义。
敬请广大投资者理性投资，注意投资风险。
特此公告。
— 2 —
深圳安培龙科技股份有限公司董事会
2026年8月31日
决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。