天岳先进披露2026年半年报：收入增长但归母净利润同比转亏

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山东天岳先进科技股份有限公司 2026 年半年度报告
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A 股证券代码：688234 证券简称：天岳先进
H 股证券代码：02631 证券简称：天岳先进















山东天岳先进科技股份有限公司
2026 年半年度报告









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重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证 半年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请
查阅本报告 第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素”。

三、 公司全体董事出席董事会会议。

四、 本半年度报告未经审计。

五、 公司负责人宗艳民、主管会计工作负责人游樱及会计机构负责人（会计主管人
员）高丽萍声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
不涉及

七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投
资者注意投资风险。

九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否

十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否

十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和
完整性
否

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十二、 其他
□适用 √不适用

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目录
第一节 释义 ................................ ......................... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ................................ ........ 6
第三节 管理层讨论与分析 ................................ ............ 11
第四节 公司治理、环境和社会................................ ......... 43
第五节 重要事项 ................................ .................... 45
第六节 股份变动及股东情况 ................................ .......... 92
第七节 债券相关情况 ................................ ................ 99
第八节 财务报告 ................................ ................... 100


备查文件目录
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会
计主管人员）签名并盖章的财务报表
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露的公司文件的正文
以及公告的原稿



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第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、 本公司、 天岳先
进 指 山东天岳先进科技股份有限公司
控股股东/实际控制人 指 宗艳民
上海麦明 指 上海麦明企业管理中心（有限合伙）
上海爵芃 指 上海爵芃企业管理中心（有限合伙）
上海策辉 指 上海策辉企业管理中心（有限合伙）
上海铸傲 指 上海铸傲企业管理中心（有限合伙）
哈勃投资 指 哈勃科技投资有限公司， 现用名： 哈勃科技创业投资有限
公司
济南国材 指 国材股权投资基金（济南）合伙企业（有限合伙）
HKSCC 指 HKSCC NOMINEES LIMITED，即香港中央结算（代理人）有
限公司
上海越服 指 上海越服科贸有限公司
上海天岳 指 上海天岳半导体材料有限公司
上海越联峰 指 上海越联峰科技有限公司
国泰海通 指 国泰海通证券股份有限公司， 原国泰君安证券股份有限公
司
海通证券 指 原海通证券股份有限公司， 已被国泰君安证券股份有限公
司吸收合并
国泰海通证裕 指 国泰海通证裕投资有限公司，由“海通创新证券投资有限
公司”与“国泰君安证裕投资有限公司”合并而来
国泰海通开元 指 国泰海通开元投资有限公司，原海通开元投资有限公司
辽宁海通新能源 指 辽宁海通新能源低碳产业股权投资基金有限公司
辽宁中德 指 辽宁中德产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）
公司章程 指 山东天岳先进科技股份有限公司章程
报告期、本报告期 指 2026年 1 月 1 日至 2026 年 6 月 30 日
中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所 指 上海证券交易所
联交所 指 香港联合证券交易所有限公司
元、万元 指 人民币元、人民币万元
SiC、碳化硅 指 Silicon Carbide，碳和硅的化合物，一种宽禁带半导体
材料，俗称第三代半导体材料之一
衬底、晶片 指
沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特
定晶面和适当电学、 光学和机械特性， 用于生长外延层的
洁净单晶圆薄片
芯片 指 在半导体外延片上进行浸蚀、 布线， 制成的能实现某种功
能的半导体器件
射频器件 指 利用射频技术形成的一类元器件， 常用于无线通信等领域
功率器件 指 用于电力设备的电能变换和控制电路的分立器件， 也称电
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力电子器件
二极管 指
用半导体材料制成的一种功率器件，具有单向导电性能，
应用于各种电子电路中， 实现对交流电整流、 对调制信号
检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能
MOSFET 指
Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，
金属氧化物半导体场效应晶体管， 是一种可以广泛使用在
模拟电路与数字电路的场效晶体管
IGBT 指 Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅
双极性晶体管， 一种电力电子行业的常用半导体开关器件
集成电路 指
通过一系列特定的加工工艺， 将晶体管、 二极管等有源器
件和电阻器、 电容器等无源元件按一定的电路互联并集成
在半导体晶片上， 封装在一个外壳内， 执行特定功能的电
路或系统
光电子器件 指 根据光电效应制作的器件， 主要种类包括光电管、 光敏电
阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池、光电耦合器件等
分立器件 指 单一封装的半导体组件， 具备电子特性功能， 常见的分立
式半导体器件有二极管、三极管、光电器件等
籽晶 指 具有和所需晶体相同晶体结构的小晶体， 是生长单晶的种
子，也叫晶种
禁带 指
在能带结构中能态密度为零的能量区间， 常用来表示价带
和导带之间的能量范围。 禁带宽度的大小决定了材料是具
有半导体性质还是具有绝缘体性质。 第三代半导体因具有
宽禁带的特征，又称宽禁带半导体
微管 指 碳化硅晶片的一种缺陷， 是晶片中延轴向延伸且径向尺寸
在一微米至十几微米的中空管道
多型 指 晶体中不同晶型同时存在的情形
位错 指 晶体材料的一种内部微观缺陷， 由原子的局部不规则排列
产生
Yole/Yole Group 指
Yole Développement,位于法国的一家专业从事半导体及
软件、 电源与无线网络、 传感及成像领域的知名行业咨询
机构，拥有超过 20 多年的历史，其主要提供市场分析、
技术评估以及商业企划等咨询服务
富士经济 指
富士经济株式会社，日本知名调研机构，总部在东京，专
门给全球客户提供市场调查和咨询服务，尤其擅长半导
体、电动汽车、新材料等高科技领域的市场预测报告。


第二节 公司简介和主要财务指标
一、 公司基本情况
公司的中文名称 山东天岳先进科技股份有限公司
公司的中文简称 天岳先进
公司的外文名称 SICC Co.,Ltd.
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公司的外文名称缩写 SICC
公司的法定代表人 宗艳民
公司注册地址 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
公司注册地址的历史变更情况 无
公司办公地址 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
公司办公地址的邮政编码 250118
公司网址 www.sicc.cc
电子信箱 dmo@sicc.cc
报告期内变更情况查询索引 无

二、 联系人和联系方式
董事会秘书
（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 钟文庆 王俊国
联系地址 山东省济南市槐荫区天岳南路
99号
山东省济南市槐荫区天岳南
路99号
电话 0531-69900616 0531-69900616
传真 0531-87126500 0531-87126500
电子信箱 dmo@sicc.cc dmo@sicc.cc

三、 信息披露及备置地点变更情况简介
公司选定的信息披露报纸名称 1、中国证券报（www.cs.com.cn）
2、证券日报（www.zqrb.cn）
3、证券时报（www.stcn.com）
4、上海证券报（www.cnstock.com）
登载半年度报告的网站地址 A股：www.sse.com.cn
H股：www.hkexnews.hk
公司半年度报告备置地点 公司董事会办公室
报告期内变更情况查询索引 无

四、 公司股票/存托凭证简况
(一) 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所
及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上交所科创板 天岳先进 688234 不适用
H股 香港联交所主板 天岳先进 02631 不适用

(二) 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
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五、 其他有关资料
□适用 √不适用

六、 公司主要会计数据和财务指标
(一) 主要会计数据
单位：元 币种：人民币
主要会计数据 本报告期
（1－6月） 上年同期
本报告期
比上年同
期增减(%)
营业收入 913,646,546.53 793,805,202.95 15.10
利润总额 -50,666,621.77 7,599,604.10 -766.70
归属于上市公司股东的净利
润 -58,616,647.35 10,880,178.50 -638.75
归属于上市公司股东的扣除
非经常性损益的净利润 -87,338,412.89 -10,944,685.02 不适用
经营活动产生的现金流量净
额 -20,255,066.51 289,469,518.90 -107.00
本报告期末 上年度末
本报告期
末比上年
度末增减
(%)
归属于上市公司股东的净资
产 7,109,128,882.56 7,173,933,552.81 -0.90
总资产 10,023,577,945.14 9,583,219,803.30 4.60

(二) 主要财务指标
主要财务指标 本报告期
（1－6月） 上年同期 本报告期比上
年同期增减(%)
基本每股收益（元／股） -0.12 0.03 -500.00
稀释每股收益（元／股） -0.12 0.03 -500.00
扣除非经常性损益后的基本每股
收益（元／股） -0.18 -0.03 不适用
加权平均净资产收益率（%） -0.82 0.21 减少1.03个百
分点
扣除非经常性损益后的加权平均
净资产收益率（%） -1.22 -0.21 减少1.01个百
分点
研发投入占营业收入的比例（%） 8.16 9.55 减少1.39个百
分点

公司主要会计数据和财务指标的说明
√适用 □不适用
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报告期内， 公司实现营业收入9.14 亿元， 同比增长15.10%， 综合毛利率22.86%；
实现利润总额-5,066.66 万元，实现归属于上市公司股东的净利润-5,861.66 万元，
实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-8,733.84 万元；报告期内经
营活动产生的现金流量净额同比转负，基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性
损益后的基本每股收益同比均有所下降。
伴随新能源汽车加速向高压平台演进、AI 算力基础设施持续扩建等，碳化硅在下
游应用场景的价值持续凸显，市场渗透率稳步提升。报告期内，公司产品产销量稳步
增长，营业收入同比、环比均实现增长；依托大尺寸碳化硅衬底的市场领先优势，叠
加降本增效举措持续落地，同时下游需求回暖推动产品价格逐步企稳，公司毛利率水
平实现提升。分季度来看，2026 年第二季度实现营业收入 5.48 亿元，创下单季度历
史新高，同比增长42.06%、环比增长49.97%，季度毛利率 25.36%，单季度实现归属
于上市公司股东净利润 189.30 万元。
报告期内，受汇率波动带来汇兑损失增加、资产减值损失及信用减值损失计提等
因素影响，公司业绩虽短期承压但亏损逐步收窄。后续，公司大尺寸碳化硅产品产能
与市场占有率有望进一步提升，公司将持续深化降本增效，积极开拓海外市场与新兴
应用领域。随着规模效应持续释放，公司盈利能力有望逐步改善，核心竞争力不断巩
固。

七、 境内外会计准则下会计数据差异
□适用 √不适用

八、 非经常性损益项目和金额
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币
非经常性损益项目 金额 附注（如适用）
非流动性资产处置损益，包括已计提资产
减值准备的冲销部分
计入当期损益的政府补助，但与公司正常
经营业务密切相关、符合国家政策规定、
按照确定的标准享有、对公司损益产生持
续影响的政府补助除外
10,706,733.42
除同公司正常经营业务相关的有效套期
保值业务外，非金融企业持有金融资产和
金融负债产生的公允价值变动损益以及
处置金融资产和金融负债产生的损益
22,648,000.06
计入当期损益的对非金融企业收取的资
金占用费
委托他人投资或管理资产的损益
对外委托贷款取得的损益
因不可抗力因素，如遭受自然灾害而产生
的各项资产损失
单独进行减值测试的应收款项减值准备
转回
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非经常性损益项目 金额 附注（如适用）
企业取得子公司、联营企业及合营企业的
投资成本小于取得投资时应享有被投资
单位可辨认净资产公允价值产生的收益

同一控制下企业合并产生的子公司期初
至合并日的当期净损益
非货币性资产交换损益
债务重组损益
企业因相关经营活动不再持续而发生的
一次性费用，如安置职工的支出等
因税收、会计等法律、法规的调整对当期
损益产生的一次性影响
因取消、修改股权激励计划一次性确认的
股份支付费用
对于现金结算的股份支付，在可行权日之
后，应付职工薪酬的公允价值变动产生的
损益

采用公允价值模式进行后续计量的投资
性房地产公允价值变动产生的损益
交易价格显失公允的交易产生的收益
与公司正常经营业务无关的或有事项产
生的损益
受托经营取得的托管费收入
除上述各项之外的其他营业外收入和支
出 450,382.20
其他符合非经常性损益定义的损益项目
减：所得税影响额 5,083,350.14
少数股东权益影响额（税后）
合计 28,721,765.54

对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1 号——非经常性损益》未列
举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息
披露解释性公告第 1 号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性
损益的项目，应说明原因
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币
项目 涉及金额 原因
与资产相关的政府补助 19,552,697.64
与公司正常经营活动
密切相关，符合国家
政策规定，按照确定
的标准享有，能够对
公司损益产生持续影
响
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九、 存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润
√适用 □不适用
单位：元 币种：人民币
主要会计数据 本报告期
（1－6月） 上年同期 本期比上年同
期增减(%)
扣除股份支付影响后的净利润 -58,616,647.35 15,404,566.65 -480.51

十、 非企业会计准则业绩指标说明
□适用 √不适用

第三节 管理层讨论与分析
一、 报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第
39大类“计算机、 通信和其他电子设备制造业”之第 398 中类“电子元件及电子专用
材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的
产品属于“1.2.3 高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1 半导体晶体制造”，是
国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
当前， 碳化硅作为第三代宽禁带半导体核心材料， 凭借高禁带宽度、 高击穿电场、
高热导率、高温稳定性等综合性能优势，正成为高压、高频、高效率、高功率密度电
力电子系统的重要基础材料，行业整体处于成长期中前期。报告期内，碳化硅行业在
经历前期阶段性价格调整、库存消化及部分低效产能出清后，供需关系逐步改善，行
业发展重心进一步由单纯规模扩张转向以技术进步、产品质量、稳定交付和客户协同
为核心的高质量发展阶段。根据 Yole Group 数据，2025 年全球碳化硅功率器件市场
规模约为37.07 亿美元，预计 2025 年至 2031 年全球功率 SiC 器件市场将以约 20%的
CAGR增长。下游器件市场规模持续扩大，带动上游碳化硅衬底需求不断增长，碳化硅
材料行业总体保持较好的发展态势。
从下游应用结构看，碳化硅的应用场景已由早期主要集中于新能源汽车等领域，
逐步向更多高成长和高附加值场景延伸，行业需求结构呈现多元化发展趋势。新能源
领域仍然是当前碳化硅最主要的应用市场，其中新能源汽车是碳化硅功率器件最重要
的应用方向之一。随着新能源车高压平台车型持续推广，碳化硅在主驱逆变器、车载
充电机、DC-DC 变换器及高压辅助系统中的应用不断深化，市场渗透率持续提升。同
时，随着产品性能持续优化、产业链配套逐渐成熟、成本逐步改善，碳化硅在新能源
汽车领域的应用范围和单车价值量正进一步提升，行业中长期发展空间广阔。根据
Yole Group数据，xEV（电动汽车）是碳化硅最大且增长最快的终端市场，预计市场
规模将由2025 年的 21.04 亿美元提升至 2031 年的 67.67 亿美元，CAGR 为 21.49%，
是碳化硅衬底需求的核心引擎，与公司车规级衬底主业高度契合。
与此同时，AI 数据中心正成为驱动 SiC 市场增长的第二引擎。伴随 AI 算力需求
快速增长，数据中心在电源转换效率、功率密度和散热管理等方面的要求持续提升，
碳化硅在PSU、UPS、HVDC、SST 等环节的应用价值日益凸显。AI 对全球数据中心电力
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需求的拉动具有明显的中长期放大效应，AI 场景下全球数据中心电力需求呈现加速上
行趋势，这意味着高效率电源架构与高性能半导体材料的重要性将持续提升，碳化硅
材料在绿色低碳和高效算力基础设施中的支撑作用进一步增强。此外，碳化硅在先进
封装、微纳光学等新兴领域的应用也在持续推进，为行业发展打开了新的市场空间。
在AI 领域，根据弗若斯特沙利文的资料，至 2030 年全球 AI 数据中心容量将增长至
299GW，较 2023 年净增加 244GW，对应 2023 年至 2030 年复合年增长率 27.4%；数据
中心耗电占全球电力消费比例将由 1.4%提升至 10.0%。公司碳化硅衬底可应用于 AI
数据中心所需的高效率电源、PSU、HVDC、SST 等场景，将为公司打开新的成长空间。
在微纳光学与 AI 眼镜领域，碳化硅材料可应用于光波导镜片中，凭借高折射率
等特性，可实现更大的视场角和更简单的全彩显示结构，减少重量、体积和制造复杂
度。根据弗若斯特沙利文的资料，预计至 2030 年全球 AI 眼镜出货量将超过 6000 万
副。
除新能源汽车和 AI 数据中心外，碳化硅在电网、新能源光伏储能充电桩、轨道
交通、工业控制、充电设施、消费等传统功率电子领域对硅基器件的替代也在持续加
速，应用边界不断拓展。随着技术进步推动成本中枢逐步下移，碳化硅的经济性优势
已不再局限于高压、大功率场景，而是开始向家电、适配器、PD 快充、LED 驱动及其
他消费电子等中低压、小电流场景延伸。行业资料显示，部分企业消费类SiC 产品出
货量已达千万颗级别，表明碳化硅在消费级场景的商业化进程正在加快。这一趋势表
明，碳化硅材料正由“点状应用”逐步向“面状渗透”演进，行业的抗周期能力和中
长期成长确定性进一步增强。
从产业发展趋势看，碳化硅衬底的大尺寸化、低缺陷化、低成本化及多类型产品
拓展，已成为行业技术演进的重要方向。当前，6 英寸导电型衬底仍为行业主流，8
英寸导电型衬底正快速起量，12 英寸产品布局稳步推进，行业正处于由 6 英寸向 8
英寸升级、并向更大尺寸前瞻布局的关键阶段。其中，8 英寸衬底在提升单片晶圆产
出、改善器件制造经济性和推动下游产线设备兼容优化等方面具有显著优势，已成为
行业降本增效的重要方向。报告期内，公司 8 英寸产品主营业务收入占比已超 50%；
12英寸产品则有望进一步支撑新兴场景的规模化发展。

（二）主营业务情况
1、主要业务
公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化
硅衬底的研发与产业化。
公司专注于碳化硅行业已超 15 年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的
产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理
经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2 英寸迭代升
级至8 英寸，并于2024 年推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底，于2025 年完成了 12 英
寸导电N 型和导电 P 型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅
衬底行业全面带入 12 英寸新时代。在实现从 2 英寸到 12 英寸全尺寸产业化的同时，
公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P 型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多
元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品
的全过程自主可控。
2、主要产品及服务情况
碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：
2.1 禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
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2.2 热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
2.3 击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
2.4 饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、
电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电
子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再生能源及 AI 领域需求激增的浪潮，以
碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳化硅材料已经
成为赋能能源变革及 AI 实现核心发展目标的基石之一。
公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅
衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅衬底领域已超过 15 年，已与全球前十大功
率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质
碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能。公司主要提
供4 英寸、6 英寸、8 英寸及 12 英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的
导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货 8
英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化
硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、
衬底加工及质量检验，这使得公司能够于2023 年量产 8 英寸碳化硅衬底，于2024 年
11月推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底，成功克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面
控制及缺陷控制的难题。2025 年，公司完成了12 英寸导电 N 型和导电 P 型、12 英寸
半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。截至目前，12 英寸碳化硅衬底产品已
获得头部客户订单并实现交付，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一
步。
公司在材料科学领域的持续深耕，正在以碳化硅材料创新为新能源与 AI 两大产
业提供核心支撑，赋能未来科技变革。目前公司已跻身为国际知名半导体公司的重要
供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球前十大功率半导体器件
制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司碳化硅衬底产品可广泛应用于新
能源汽车、AI 数据中心、光伏系统、AI 眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基
站等领域。公司是全球少数能够实现8 英寸碳化硅衬底量产并率先实现 2 英寸到 8 英
寸碳化硅衬底商业化的公司，也是率先推出 12 英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先
使用液相法生产P 型碳化硅衬底的公司。截至目前，公司已完成 12 英寸导电 N 型、
导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关， 部分产品已获得头部客户订单及实现交付，
进一步巩固了公司在全球碳化硅衬底行业中的领先地位。
公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生
长、衬底加工、质量检测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支
撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国际一流的水准。根据 Yole 旗下的知识
产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。
全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品
牌知名度和认可度方面具有显著优势。根据富士经济于 2026 年 3 月发布的报告（如
下图所示），2025 年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额
为27.6%，位居全球第一；其中 6 英寸市场份额为 27.5%，8 英寸市场份额为 51.3%，
充分体现了公司的全球市场地位。


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（三）主要经营模式
1、研发模式
我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：
1.1 我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研
及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；
1.2 需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目
组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、
项目目标及财务预算；
1.3 项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计
方案完成实验验证；
1.4 项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项
目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；
1.5 项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
2、采购模式
碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠
性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供
应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上
述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在
碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。

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公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材
料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司
主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实
施战略性采购。 公司实施定期审阅机制， 考虑公司的存货水平、 销售前景及市场趋势，
监控公司的原材料成本。
公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供
应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。
在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质
量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上
涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。
3、生产模式
公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品
品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合
人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，
智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另
一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代
奠定坚实的基础。
公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产
品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行
根本原因分析以及制定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格
产品流出，并减少质量问题的再次发生。
4、营销模式
公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发
现市场机会并设计销售策略。
公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模
式使我们能够取得以下优势：
4.1 自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
4.2 精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
4.3 响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
4.4 凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而
制定灵活的营销战略；
4.5 通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其
他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。

新增重要非主营业务情况
□适用 √不适用
二、 经营情况的讨论与分析
（一）公司经营情况
1、把握行业供需格局改善机遇，推动经营质量逐步修复
报告期内，碳化硅行业在经历前期价格竞争、库存消化及低效产能出清后，竞争
格局进一步趋于稳定，行业运行逻辑由早期无序扩张和价格博弈，逐步转向以技术能
力、产品质量、稳定交付、客户认证和规模化制造为核心的高质量竞争阶段，有效供
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给进一步向头部企业集中。公司作为全球碳化硅衬底龙头企业，全球市场占有率逐步
提升。
报告期内， 公司实现营业收入9.14 亿元， 同比增长15.10%， 综合毛利率22.86%；
实现归属于上市公司股东的净利润-5,861.66 万元，归属于上市公司股东的扣除非经
常性损益的净利润-8,733.84 万元，基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损
益后的基本每股收益同比均有所下降。分季度来看，2026 年第二季度实现营业收入
5.48亿元，创下单季度历史新高，同比增长 42.06%、环比增长 49.97%，季度毛利率
25.36%，单季度实现归属于上市公司股东净利润 189.30 万元。
从经营状态看，公司上半年处于满产运行状态，下游订单需求明显增强，客户需
求较前期明显提升。行业需求扩容与供给出清形成共振，带动产业链供需关系收紧。
在此背景下，公司依托大尺寸产品的质量优势、规模化量产能力和稳定交付能力，较
好承接了行业景气度修复所带来的订单释放，有助于推动收入质量、毛利率和产能利
用率继续提升，为后续业绩进一步改善奠定基础。
2、聚焦大尺寸产品放量，推动产品结构持续优化升级
大尺寸化是碳化硅衬底行业降本增效和扩大应用的核心方向之一， 也是公司2026
年上半年经营改善的关键内生变量。报告期内，公司顺应行业由 6 英寸向 8 英寸升级
趋势，并前瞻性地布局 12 英寸产品，形成了较为清晰的“6 英寸稳定供货、8 英寸加
快放量、12 英寸持续突破”的产品梯队。其中，8 英寸产品已由技术领先阶段逐步走
向主流化应用，公司 8 英寸产品主营业务收入占比已超过 50%。根据富士经济数据，
公司2025 年全球 8 英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到 51.3%，位居全球第一。
8 英寸衬底的重要性在于，其更大的可用面积有助于提升单片晶圆产出、改善器
件制造经济性并推动下游产线与设备兼容优化。同时，全球碳化硅功率器件制造商在
8 英寸项目上的总投资额持续提升，行业向 8 英寸切换已成为一个清晰的趋势。
在更大尺寸布局方面，公司于 2024 年 11 月推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底，
并于2025年一季度完成12英寸导电N型、 导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。
目前12 英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已
经走在行业前列。12 英寸的意义不只是技术展示，更在于 12 英寸的批量产出将使得
诸多新兴领域成功落地，SiC 作为先进平台型材料进一步降低诸多领域的单位成本，
并打开更大规模商业化空间。
从产业竞争角度看，谁能够率先完成从 6 英寸到 8 英寸，再向 12 英寸延伸的量
产与客户导入，谁就更有机会在下一轮行业竞争中掌握主动权。报告期内公司在8 英
寸占比提升、12 英寸持续推进上的表现，体现了公司在技术路线选择—产能能力建设
—客户验证推进等三方面的协调能力，也增强了未来盈利能力与市场份额继续提升的
基础。
3、深化头部客户合作，持续拓展新能源与 AI 等多元应用场景
报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中心、
先进封装、微纳光学等领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公司在产业链关
键材料环节的综合竞争力。 公司长期采取直销模式， 依托销售、 研发、 生产联动机制，
能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化，从而增强合作深
度和客户黏性。
在新能源汽车及功率器件领域，公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十
大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作
生态。报告期内，行业大尺寸化的趋势进一步确定，随着公司大尺寸产品经济性持续
加强，行业从6 英寸向 8 英寸切换，公司通过大尺寸产品进一步加深与客户的合作关
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系；同时，由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料，需要经过外延、芯片制造、封装
测试等复杂验证程序，下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商，头部客户黏
性较强。
报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公司持
续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在 AI 数据中心供电方案中，公司配合全
球头部功率器件厂商， 就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。 在先进封装领域，
公司配合全球头部客户推进 SiC 的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成
功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在
产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局，也
标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延
伸。
此外，公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。如公司于 2026 年 4 月获得富士
康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”，标志双方在碳化硅产业层面的合作进
一步加深。这类合作关系的持续稳定，体现了碳化硅在不同行业的持续渗透及新应用
的不断涌现， 一方面有利于公司在行业波动期保持订单韧性， 进一步提升全球影响力；
另一方面也体现了碳化硅行业未来发展的无限空间。
整体来说，公司深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生
态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的
供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并
最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。

（二）研发创新情况
碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，制备流程复杂、工艺壁垒高，核心竞争力
很大程度上取决于材料基础研究、晶体生长、缺陷控制、加工工艺、设备设计和产业
化协同能力。保持技术领先是公司的长期战略重点。2026 年上半年，公司继续围绕基
础研究、产品开发和工程优化开展持续投入，强化自主创新能力，推动技术进步与产
业化能力相互促进。
2026 年上半年，公司研发费用 7,457.44 万元，与上年同期基本持平。研发投入
主要用于 12 英寸碳化硅衬底、8 英寸衬底良率提升和成本降低、P 型衬底以及光学、
先进封装等新兴领域方向的开发。公司在行业景气承压阶段并未削弱研发投入，而是
继续加大前瞻性技术和新应用方向布局，体现出较强的长期投入定力。
从技术方向看，公司持续围绕大尺寸化、低缺陷、低成本、液相法、P 型衬底以
及新型应用材料等方向推进研发。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8 英
寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司
也是率先使用液相法生产 P 型碳化硅衬底的公司之一，这为智能电网、高压大功率器
件等场景的拓展提供了技术支撑。
报告期内，公司围绕“销售—研发—生产”联动机制继续强化研发体系。公司围
绕现有产品痛点及下游战略客户需求开展研发，并基于客户反馈持续优化迭代产品，
使研发成果能够更快转化为产业化能力和客户价值。对于碳化硅这类验证周期长、产
业链协同要求高的材料行业而言，这一机制有利于公司在技术创新与市场拓展之间形
成正循环。
从知识产权成果看，公司在持续研发投入基础上，已形成较为系统的知识产权积
累和技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权209 项、实
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用新型专利授权294 项，其中境外发明专利授权 14 项；报告期内新申请发明专利和
实用新型专利等10 项，其中发明专利 9 项、实用新型 1 项。
从人才与组织能力看，公司持续打造全球碳化硅人才高地。截至报告期末，公司
研发人员中硕士、博士合计 66 人，占研发人员总数 38.15%；公司拥有 2 名享受国务
院特殊津贴专家，五四青年奖章获得者，并汇聚国家级人才 7 人、省级人才 16 人、
市级人才16 人。未来，我们将持续优化人才矩阵，进一步完善覆盖材料科学、电子
工程、物理、化学、机械工程等多学科背景的研发团队，为公司在基础研究、产品开
发和工程转化上的持续推进提供支撑。
2026 年上半年，公司研发创新成果还在多项外部荣誉中得到体现：公司主导制定
的国家标准《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》（GB/T 47082-2026）于 2026 年
1 月28 日发布，该标准首次系统规范了碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法，填补
了国内空白，为行业提供了统一的测试依据和质量评价体系。此外，公司参与制定的
国家标准《碳化硅单晶》（GB/T 47404-2026）于 2026 年 3 月 31 日发布，通过主导
或参与制定国家标准，极大提升了企业自身的技术实力和行业话语权。公司凭借卓越
的产品质量、稳定的供应保障与深度的协同创新，获评博世集团“优选供应商
(Preferred Supplier)”。作为博世集团对其全球供应链体系中表现最为杰出合作伙
伴的最高认可之一，该称号仅授予排名前 20%的优质供应商。此外，公司凭借在供应
链稳定性、绿色制造与可持续治理等方面的杰出表现，荣获富士康集团“永续卓越供
应链奖（物料类）金奖”。公司产品与技术实力、ESG 管理体系持续获得客户的高度
肯定。
总体来看，2026 年上半年公司持续推进研发创新工作，坚持高强度投入，在行业
波动中保持技术进步节奏不变；围绕大尺寸化与新应用方向进行前瞻布局，既利于当
前市场份额提升，也有助于未来产业升级；同时，公司强化研发成果向量产和客户价
值转化，持续推动从技术突破到产业化竞争力的闭环形成。这些工作将对公司未来在
8 英寸进一步放量、12 英寸持续突破，以及绿色低碳应用、AI 数据中心、微纳光学、
先进封装等新应用方向的拓展形成有力支撑。

（三）半年度成果和荣誉
2026 年上半年，公司在党建引领、技术创新、品牌塑造及可持续发展等方面收
获多项荣誉，彰显了公司的行业影响力和综合实力，得到了产业界、资本市场和社会
各界的广泛认可。
1、党建引领方面
2026 年，根据市委组织部常态化开展"学习身边榜样"活动工作部署，以“高质量
发展强担当——实干为民开新局”为主题，在全市广泛开展了“学习身边榜样”活动。
经过逐级推荐、审核把关、综合比选、集体研究、公开公示，共确定市级“学习身边
榜样”人选 20 名、集体 5 个，公司党委获评济南市榜样集体。2026 年 6 月，公司党
委荣获“山东省先进基层党组织”称号。
2、技术创新方面
公司主导制定的国家标准《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》（GB/T
47082-2026）于2026 年 1 月 28 日发布，该标准首次系统规范了碳化硅单晶抛光片堆
垛层错的测试方法， 填补了国内空白， 为行业提供了统一的测试依据和质量评价体系。
此外，公司参与制定的国家标准《碳化硅单晶》（GB/T 47404-2026）于 2026 年 3 月
31日发布，通过主导或参与制定国家标准，极大提升了企业自身的技术实力和行业话
语权。
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3、品牌塑造方面
公司凭借卓越的产品质量、稳定的供应保障与深度的协同创新，获评博世集团
“优选供应商(Preferred Supplier)”。作为博世集团对其全球供应链体系中表现最
为杰出合作伙伴的最高认可之一，该称号仅授予排名前 20%的优质供应商。此外，公
司凭借在供应链稳定性、绿色制造与可持续治理等方面的杰出表现，荣获富士康集团
“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”。
4、可持续发展方面
公司积极践行绿色发展理念，围绕重要环保节日组织开展系列主题活动，持续推
动环境可持续建设。2026 年 3 月 12 日，在厂区内开展植树节活动，以实际行动美化
园区环境、增强员工生态意识；4月 22 日世界地球日，联合山东财经大学发起青年低
碳行动计划，通过校园系列活动普及环保知识、倡导绿色生活方式，激励青年学子主
动投身环保实践；6 月 5 日世界环境日，携手济南市生态环境局组织专题宣传活动，
面向社会公众深入传播生态文明理念。系列活动的开展，不仅彰显了公司作为负责任
企业的使命担当，也为推动区域绿色低碳发展贡献了积极力量。

非企业会计准则财务指标变动情况分析及展望
□适用 √不适用

报告期内公司经营情况的重大变化， 以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响
和预计未来会有重大影响的事项
□适用 √不适用
三、 报告期内核心竞争力分析
(一) 核心竞争力分析
√适用 □不适用
1、大尺寸技术引领行业，全矩阵产品前瞻布局
碳化硅衬底的大尺寸化是行业降本增效和扩大应用的核心方向之一。公司自成立
以来持续布局不同尺寸、不同类型碳化硅衬底的研发与产业化，在尺寸升级方面形成
了较强的先发优势。报告期内，公司不仅持续提升8 英寸产品的批量供应能力和客户
导入深度，而且进一步完成了 12 英寸导电 N 型、导电 P 型及半绝缘型碳化硅衬底全
系列产品的技术攻关，在业内率先建立起下一代大尺寸产品的全矩阵布局。
公司是全球少数能够实现 8 英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出 12
英寸碳化硅衬底的企业。资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2 英寸迭代升级至
8 英寸，并于2024 年推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底；2025 年，公司围绕 12 英寸
导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完善，进一步夯实了在超
大尺寸领域的领先位置。公司在行业由6 英寸向 8 英寸切换过程中，已完成从“技术
领先”向“产品主流化、客户规模化采用”的转变。8 英寸产品比重持续提高，不仅
说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大尺寸产品的品质、交付和客户验证方
面形成较高壁垒。
从产业趋势看，8 英寸的意义在于能够显著提升单片晶圆的芯片产出、提高设备
兼容性并降低综合成本。8 英寸衬底单片芯片产出量约为 6 英寸的 2 倍；同时，晶体
生长技术的进步推动 8 英寸导电型衬底实现量产，更大的可用衬底面积推动单位综合
成本降低。公司率先完成 8 英寸产品产业化并在 2025 年实现主流化应用，意味着其
不仅走在技术前列，更有效承接了下游客户对成本优化和产线升级的需求。