SK海力士批准在龙仁Y2与清州M17合计投资约54万亿韩元建设新晶圆厂

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，公司將在韓國龍仁和清州新建晶圓廠（Fab），以應對 AI 時代持續成長的記憶體需求。
SK海力士表示，公司董事會決議通過，在龍仁「Y2」和清州「M17」晶圓廠建設項目中分別投資35.2兆和19.1兆韓圜，合計投資約54兆韓圜。此計畫是落實公司2026年6月公布的中長期投資策略的另一個關鍵進展。
此前， SK海力士宣布計劃向龍仁半導體集群投資600兆韓圜、向清州生產基地擴建投資100兆韓圜。目前，龍仁首座晶圓廠（Y1）建設正有序推進，此次投資決定標誌著龍仁和清州兩地後續晶圓廠建設都啟動。
根據市場調查機構Omdia預測，從2025年至2030年， DRAM和NAND快閃記憶體市場需求年平均成長率將達19%。SK海力士表示，這並非一時的產業景氣，而是源自於記憶體已從普通的零件升級為決定AI性能的核心基礎設施，進入結構性成長階段。
SK海力士指出，在AI時代，僅憑技術競爭力已不足以保持優勢；能否在客戶所需時間點交付足量產品，才是真正的競爭力。此次投資決定是基於對市場需求進行充分評估後作出的。
SK海力士強調，龍仁Y2是該公司在龍仁半導體集群內依序建造的四座晶圓廠中的第二座，總建築面積約34.1萬坪（約113萬平方公尺），將做為DRAM生產基地投入營運。工程計劃明年7月開工， 2029年6月啟用首個無塵室，主要生產HBM等新一代DRAM產品。目前， Y1晶圓廠建設進展順利，預計 2027 年2月啟用首座無塵室。
之前， SK海力士已將龍仁半導體集群的整體竣工時間由原定的2045年大幅提前至2033年，完成四座晶圓廠的全部建設。此次Y2建設即為支持此目標的第二階段關鍵舉措，投資將分階段實施至2031年10月。而本投資計畫還包括為Y2員工配套的辦公及福利設施支援大樓、集開發產品實驗、測試與分析一體的研發綜合中心，以及相關配套設施*等建設費用。
龍仁半導體集群位於韓國京畿道龍仁市處仁區遠三面一帶，占地約 126 萬坪（約416萬平方公尺）。目前，支持 Y2 投產的第一期電力、供水基礎建設已完成99%，進入收尾階段。公司目標，晶圓廠與基礎建設同步進行，Y2將 按原定計劃穩步推進，確保工期不受影響。
至於，SK海力士選擇在清州建造新的NAND快閃生產基地，是因為能夠加速新晶圓廠的建設。清州園區已建成M11、M12、M15 NAND快閃記憶體生產設施，新建晶圓廠可與現有產線協同增效。同時廠址、電力及用水等基礎設施也已基本就緒。
清州M17晶圓廠總建築面積約20.6萬坪（約68萬平方公尺），計畫明年2月動工， 2028年12月啟用首座無塵室。投資期間將持續至2031年4月，並將依業務進度分階段實施。SK海力士表示，公司將基於與客戶的中長期需求溝通，前瞻性佈局生產基礎設施，並依客戶實際需求時點分階段擴大生產能力。晶圓廠建設將按計畫推進，而無塵室擴建及設備投入則將依據市場動態逐步實施，以提升投資效率。
SK海力士進一步強調，此次投資不僅夯實未來成長基礎，也將增強韓國半導體產業生態競爭力，帶動區域經濟發展。龍仁與清州兩地同步推進的大規模投資，可望為合作夥伴企業創造更多協同增長機會，並透過創造就業、激活本地商圈，為國家經濟的可持續增長作出貢獻。
(首圖來源：SK 海力士提供)