三星据报同意采用台积电3奈米为英伟达下一代NVHBM生产基础晶粒，英伟达要求三大HBM厂统一由台积电代工

據韓國媒體報導，三星電子（Samsung Electronics）應最大客戶輝達（Nvidia）要求，將採用台積電（TSMC）3 奈米製程，為輝達下一代客製化高頻寬記憶體生產基礎晶片（Base Die）。這不僅是三星首度在 HBM 製造階段與台積電展開合作，也反映出 AI 算力需求推動下，記憶體與邏輯先進製程加速整合的趨勢。
輝達發表NVHBM 架構，是將客製化記憶體控制器直接整合至基礎晶粒中，目的在統一各家記憶體供應商的實作方式。為此，輝達要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等主要記憶體製造商，其 NVHBM 基礎晶粒皆須採用台積電製程，核心記憶體晶粒則搭配第六代 DRAM 技術。
三星經內部審查後已同意輝達的要求。不過，三星仍計畫以自家製造模式生產標準型 HBM 及為其他客戶量身打造的產品，並同時評估若台積電產能超出負荷，將由自家晶圓代工部門協助生產 NVHBM 基礎晶粒的可能性。
高頻寬記憶體堆疊底部的基礎晶片主要負責與 GPU 之間的訊號連結。過去 SK 海力士在 HBM3E 世代前均於內部自行製造基礎晶粒，但進入HBM4 世代後，為了在受限空間內容納更多功能，亦選擇轉向採用台積電的邏輯製程代工。
這項轉變源於 DRAM 與邏輯晶片的製造技術的特性差異：
1.邏輯電晶體：追求高速切換並平衡功耗與漏電。
2.DRAM 記憶體：需要建造高聳的電容，且極度控制漏電，其長時間的高溫製造製程限制了邏輯電晶體在同一晶圓上的整合。
因此，將基礎晶粒交由台積電等邏輯代工龍頭生產，已成為突破晶片效能與空間限制的關鍵選擇。
隨著 HBM 基礎晶粒轉向台積電先進邏輯製程，全球半導體產業正邁入深度異質整合的新階段。未來業界將持續關注 HBM4E 基礎晶粒的代工歸屬，以及新型 DRAM 鍵合架構（如三星 4F² 原型）的實用化進展。
(首圖來源：shutterstock)