TechNews 科技新報Codex · 实盘不做把握 5/10
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市场消息称长鑫存储计划在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM晶圆厂
消息称长鑫存储拟在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM厂，并寻求至少6000万元资金支持；相对晶圆厂资本开支量级，该已披露资金数字不足以单独确认设备订单。
📄 原文TechNews 科技新報↗ 原文
IPO 成功獲得資金，長鑫存儲計畫於北京興建第二座 12 吋 DRAM 晶圓廠
根據市場消息，中國市值最大的晶片製造商長鑫存儲（CXMT）正計畫在北京興建第二座12吋DRAM晶圓廠。此擴產計畫主要是為了因應AI時代下，基礎設施建設對記憶體晶片日益成長的市場需求，並進一步提升其全球市場地位。 消息人士指出，這座新的12…
不做 长鑫科技/长鑫存储（A25101.SH）
扩产为早期市场消息且主线已在IPO和此前扩产预期中充分交易；未见官方采购、订单或可执行价格，不做。
不做 北方华创（002371.SZ）
虽是长鑫扩产设备候选，但本条未披露设备订单或份额，且长鑫资本开支受益名单已多次扩散，不追。
不做 中微公司（688012.SH）
虽可能受益于DRAM扩产设备需求，但当前只是非官方早期规划，缺少订单金额和供应商确认，不做。
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研究档案
🔎 新鲜度:最早出现 2026-08-04 · 扩散 medium · price-in 风险 high ↗
消息传播链
- 报道称长鑫存储计划在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM厂，谈判仍处早期。
- 2026-05-18其它内部KB非一手内部资讯已讨论长鑫IPO、业绩与后续扩产对国产设备材料的拉动，说明主线并非首次出现。
- 2026-07-27市场反应内部KB非一手内部资讯显示长鑫上市首日及扩产资本开支逻辑已被市场集中交易，相关设备材料名单已充分扩散。
关键理由
- 消息称长鑫存储拟在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM厂，并寻求至少6000万元资金支持；相对晶圆厂资本开支量级，该已披露资金数字不足以单独确认设备订单。
- 同源KB显示长鑫IPO、上市后扩产和设备材料受益逻辑在5月、7月已多次被交易和讨论，本条只是早期选址/融资消息。
- 国产设备候选如北方华创、中微公司近期波动剧烈，8月3日分别收641.30元和309.85元，单条非官方扩产传闻不足以支持盘前追多。
主要风险
- 资金规模、结构和新厂供应商仍可能变化；未披露采购清单、国产化比例或上市公司订单金额。
反向证据
- 做多前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-05-18 · 影响 weakens
KB显示长鑫扩产和国产设备受益逻辑5月已被交易，7月上市后再次集中扩散。
检索:长鑫存储 北京 12英寸 DRAM 新厂 扩产 设备供应商 A股 受益 北方华创 中微公司 拓荆科技 盛美上海 华海清科 - 做多前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-07-27 · 影响 weakens
KB显示长鑫上市首日及资本开支扩张已成为市场主线，当前北京新厂消息缺少订单级新增量。
检索:长鑫存储 IPO 2026 股票代码 上市 科创板 长鑫科技
工具调用 · 历史记录,结果未知(5 种)
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原文全文
展开原文 · 788 字
根據市場消息，中國市值最大的晶片製造商長鑫存儲（CXMT）正計畫在北京興建第二座12吋DRAM晶圓廠。此擴產計畫主要是為了因應AI時代下，基礎設施建設對記憶體晶片日益成長的市場需求，並進一步提升其全球市場地位。
消息人士指出，這座新的12吋晶圓廠預計將建於北京東南方約20公里的亦莊開發區，長鑫存儲目前在該區已經營運著一座舊的DRAM晶圓廠。而針對新廠的建設，長鑫存儲目前正與具備地方政府背景的北京經濟技術開發區管理機構進行融資洽談，尋求至少人民幣6,000萬元的資金支持。此外，其他國有科技企業亦表達了參與融資的意願，不過目前談判仍處於早期階段，這使得資金規模與結構仍有可能變動。
為了在由AI、資料中心及消費性電子產品需求推動的記憶體上升週期中搶佔先機，長鑫存儲正積極進行大規模擴張。除了北京新廠計畫外，該公司目前也正在上海與合肥建設新廠。一旦這些擴產項目全面投入營運，長鑫存儲的總產能預計將翻倍，達到每月超過60萬片晶圓。長鑫存儲剛於2026年7月成功掛牌上市，成功籌集了約86億美元的資金，創下了中國半導體產業歷史上最大規模的IPO紀錄，這也為接下來的擴產計畫提供了豐沛的資金來源。
長鑫存儲的迅速崛起，與地方政府利用國家資金扶持戰略性科技企業的「合肥模式」密切相關。隨著長鑫存儲的成長，北京與上海為了爭取更多的經濟與戰略紅利，也紛紛為其提供資金與支持。該公司已成為中國推動晶片產業自給自足、縮小與美國在AI等戰略技術領域差距的關鍵支柱。
在全球市場競爭方面，長鑫存儲目前為全球第四大DRAM製造商。儘管其當前規模仍遠小於第一季合計市佔率逼近90%的三星電子（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）等的國際三大記憶體廠。但隨著長鑫存儲未來產能的大幅開出，市場預期將對這三大國際記憶體廠的市場佔有率帶來實質的競爭壓力。
(首圖來源：官網)
消息人士指出，這座新的12吋晶圓廠預計將建於北京東南方約20公里的亦莊開發區，長鑫存儲目前在該區已經營運著一座舊的DRAM晶圓廠。而針對新廠的建設，長鑫存儲目前正與具備地方政府背景的北京經濟技術開發區管理機構進行融資洽談，尋求至少人民幣6,000萬元的資金支持。此外，其他國有科技企業亦表達了參與融資的意願，不過目前談判仍處於早期階段，這使得資金規模與結構仍有可能變動。
為了在由AI、資料中心及消費性電子產品需求推動的記憶體上升週期中搶佔先機，長鑫存儲正積極進行大規模擴張。除了北京新廠計畫外，該公司目前也正在上海與合肥建設新廠。一旦這些擴產項目全面投入營運，長鑫存儲的總產能預計將翻倍，達到每月超過60萬片晶圓。長鑫存儲剛於2026年7月成功掛牌上市，成功籌集了約86億美元的資金，創下了中國半導體產業歷史上最大規模的IPO紀錄，這也為接下來的擴產計畫提供了豐沛的資金來源。
長鑫存儲的迅速崛起，與地方政府利用國家資金扶持戰略性科技企業的「合肥模式」密切相關。隨著長鑫存儲的成長，北京與上海為了爭取更多的經濟與戰略紅利，也紛紛為其提供資金與支持。該公司已成為中國推動晶片產業自給自足、縮小與美國在AI等戰略技術領域差距的關鍵支柱。
在全球市場競爭方面，長鑫存儲目前為全球第四大DRAM製造商。儘管其當前規模仍遠小於第一季合計市佔率逼近90%的三星電子（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）等的國際三大記憶體廠。但隨著長鑫存儲未來產能的大幅開出，市場預期將對這三大國際記憶體廠的市場佔有率帶來實質的競爭壓力。
(首圖來源：官網)
决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。