前三星工程师韩国法庭作证承认长鑫存储高层自创立起系统性窃取三星18nm DRAM制程技术

中國 DRAM 記憶體龍頭長鑫存儲（CXMT）再爆技術竊密醜聞。曾任職韓國三星電子（Samsung）28 年跳槽協助創辦長鑫存儲的全姓工程師，日前於首爾中央地方法院出庭作證時坦承，長鑫存儲高層 2016 年創立起便無意自研，而是全面竊取三星核心製程資料。
全姓工程師的法庭證詞，執行長（CEO）與技術長（CTO）等長鑫存儲高層，自公司成立時便企圖利用三星的「製程配方計畫」（Process Recipe Plan）開發 DRAM 製程節點。他指出，長鑫存儲創立當初甚至沒有研發實驗室等設施，壓根沒有獨立研發技術的打算，將竊取三星技術做為公司發展戰略的核心一環。
涉案外洩的技術為三星 18 奈米級 DRAM 製程，詳細記錄生產過程 600 道製程步驟及關鍵設備條件。三星耗時五年並投資約 1.6 兆韓圜研發成功，卻被全某離職時一併帶走。韓國檢方認定，長鑫存儲正是利用這套偷來的技術，2023 年成功量產 10 奈米級 DRAM 晶片。
全姓工程師因非法取得國家核心技術，首爾中央地方法院裁定違反《產業技術保護法》等罪名成立，重判有期徒刑七年。法院調查顯示，全某因交出機密獲得約 200 萬美元（約新台幣 6,400 萬元）報酬，另附帶股權及其他獎勵。韓國檢方已先後起訴含全某等十名前三星員工。業界分析指出，若法庭採納證詞，將為三星日後向美國國際貿易委員會（ITC）控告長鑫存儲侵權提供極為強力的證據。
長鑫存儲母公司長鑫科技集團由董事長朱一明於 2016 年創立，並於上海證券交易所科創板掛牌上市。據公開招股書顯示，長鑫存儲在全球 DRAM 市場的市占率約為 7.67%，營運表現已轉虧為盈。目前全球 DRAM 市場主要仍由三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron）三大巨頭壟斷。
（本文由 Unwire HK 授權轉載；首圖來源：長鑫存儲）