罗姆发布第二代太赫兹波振荡芯片及评估套件

日本半導體大廠羅姆（ROHM）4 日宣布，已成功開發出第二代太赫茲波（Terahertz-wave）振盪晶片。新產品採用共振穿隧二極體（RTD）架構，在維持與前一代相同的 0.5 毫米見方微型尺寸下，將最大振盪輸出功率提升至 40 微瓦（μW），約為第一代的 4 倍。
太赫茲波是頻率介於無線電波與可見光之間的電磁波，兼具可穿透部分材料與直線傳播等特性，非常適合應用於非破壞性檢測、材料識別、水分量測，以及醫療影像與感測等領域。不過，過去相關技術受限於系統龐大且成本高昂，導致商業化發展受限。
突破光學系統限制，微型設計支援室溫運作
羅姆表示，其 RTD 技術利用電子穿越極薄半導體屏障的「量子穿隧效應」，可產生超高頻電訊號並發射太赫茲波。該技術不需仰賴雷射等大型光學系統，有助於打造更小型、低功耗的裝置，且能在室溫下穩定運作，無須額外配備冷卻設備。此次推出的第二代產品透過重新設計內部結構，大幅提高了輸出功率，使穿透目標物或反射後的太赫茲波更容易被偵測，對需要高訊號品質的感測與成像應用更為有利。
羅姆指出，這項新產品正是為了回應 2024 年推出第一代樣品後，市場對於更高輸出功率的殷切需求。同時公司也表示，針對偏好低功耗方案的客戶，未來仍會持續供應第一代產品。
同步推出評估套件，大幅降低設備研發門檻
配合新晶片問世，羅姆將於本月起販售「RTD-EVK-G2」評估套件，每套建議售價為 35 萬日圓（未稅），內容包含第二代晶片、連接線與評估板。羅姆強調，相較於傳統的大型系統，該套件能協助研究機構與設備製造商，以更低的成本及更小的空間需求來進行太赫茲技術的評估；惟客戶在購買前須先簽署保密協定（NDA）。
自 2000 年代後期起，羅姆便持續與東京科學大學、大阪大學等多所頂尖大學及研究機構展開合作，致力於開發基於 RTD 的太赫茲波振盪與偵測技術。
（首圖來源：ROHM）