同主题的云南锗中标供货与InP概念再度扩散

①云南锗业录得3连板，此前公司控股子公司云南鑫耀与客户签订供货协议，约定销售磷化铟晶片； ②Lumentum首席执行官近日表示，磷化铟（InP）的供需缺口现在已经超过了DRAM和NAND； ③英伟达预测，2026年至2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增20倍左右。
《科创板日报》8月6日讯 今日上午，A股磷化铟概念集体走强：云南锗业3连板，此前公司控股子公司云南鑫耀与客户签订供货协议，约定销售磷化铟晶片（衬底），预计总金额区间为5.7亿元至8.55亿元。
除此之外，有研新材亦录得2连板，博杰股份、欧莱新材、兴业科技等纷纷上涨。
消息面上，海外光通信龙头Lumentum首席执行官Michael Hurlston近日在RAISE Summit警告称，磷化铟（InP）的供需缺口现在已经超过了DRAM和NAND，使其成为人工智能数据中心光互连扩展的最关键制约因素之一。
Hurlston指出，尽管Lumentum运营着多家磷化铟晶圆制造工厂，但受客户需求增速远超产能影响，公司面临的供应短缺仍在持续加剧。受英伟达以及超大规模数据中心厂商拉动，电信客户以往数百件量级的订单，现已飙升至数亿件器件规模。
无独有偶，英伟达此前预测，2026年至2030年全球磷化铟晶圆整体需求将激增20倍左右，并已要求供应商在5年内将产能扩充至相应规模。另据机构统计，2025 年全球磷化铟器件需求约200万片，实际产能仅约60万片，供需缺口超50%。
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具备高电子迁移速率及优异的光学性能，使之成为研制超高速、超高频器件的理想基材。
Trendforce研报指出，传统的可插拔收发器和CPO架构都依赖于基于磷化铟的激光器作为光源。对于长距离相干通信而言，其仍然是目前唯一经过商业验证的高性能电吸收调制激光器（EML）芯片衬底。
从供给端来看，磷化铟衬底行业扩产难度极大，单条产线投资超12亿元，扩产周期长达3年至5年，新增供给释放速度远远滞后于需求增速。究其原因，铟资源兼具稀缺性与伴生性，主要来源于原生铟提炼和再生铟回收，而高纯红磷作为基础材料，提纯技术壁垒同样较高。
中国银河证券指出，AI算力驱动光互连升级，磷化铟全产业链从“材料瓶颈”走向“价值重估”： 随着800G光模块规模化部署、1.6T加速导入、CPO/SiPh在下一代AI集群中从样品向量产迁移。
在此背景下，该机构认为，磷化铟（InP）作为唯一可支撑1310/1550nm 长距高速单模发射的直接带隙III-V 材料，其战略地位从“光通信衬底”跃升为“AI基础设施卡脖子环节”。
财通证券表示，作为芯片衬底材料的磷化铟市场规模将持续扩大，在AI应用加速落地推动相关基础设施建设的背景下，磷化铟衬底产业链有望迎来需求增长和国产替代的双重机遇。