界面新闻Qwen · 实盘不做把握 3/10不做原因:已被定价
北京时间·🕒 发布 08-31 23:51:24·⟳ 抓取 08-31 23:58:15 +6m51s·⚡ 决策 09-01 00:01:05 +2m50s·57.0 天前
北京君正调研纪要确认存储芯片Q3-Q4持续涨价、全年销量增20%，3D堆叠DRAM面向端侧AI
本次调研纪要为确认性信息，核心内容（DRAM涨价、Flash需求旺盛、存储大周期）已在7月13日H1业绩预告（净利+431%-531%）中明确，8月以来股价已累计上涨17.6%。Q4涨价延续和20%销量增长是对已知趋势的口头确认，3D堆叠DRAM尚处早期配合阶段无收入贡献。信息增量不足以支撑新仓位。
📄 原文界面新闻↗ 原文
君正股份：三季度DRAM持续涨价且需求坚挺供应紧张，预估四季度涨价将持续
君正股份8月31日发布投资者关系活动记录表公告，三季度DRAM持续涨价且需求坚挺供应紧张，预估四季度涨价将持续；SRAM及Flash部分产品三、四季度陆续涨价，受AI服务器需求增长影响大容量512MbFlash供应开始紧张。今年全年存储芯…
不做 北京君正（300223.SZ）
调研纪要为确认性信息：DRAM涨价、Flash需求旺盛、存储大周期等核心逻辑已在7月13日H1预告中明确，8月股价累涨17.6%已充分定价。Q4涨价延续和20%量增是对已知趋势的口头确认，3D堆叠DRAM仅为早期配合无收入贡献，信息增量不足以提供新仓位edge。
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研究档案
结论摘要
北京君正8月31日调研纪要确认存储芯片Q3-Q4持续涨价、全年销量增20%、3D堆叠DRAM面向端侧AI。但核心涨价逻辑和业绩爆发已在7月13日H1预告（净利同比+431%-531%）中披露，8月股价已累涨17.6%，13周轨迹显示冲高至182后回落至100的震荡修复期。本次纪要未提供超预期新数据，3D DRAM仅为早期合作无收入贡献，属于对已知趋势的确认而非新催化，不具备开仓edge。
🔎 新鲜度:最早出现 2026-08-31 · 扩散 medium · price-in 风险 high ↗
主要风险
- 调研纪要为确认性信息而非新催化，若存储涨价预期低于市场一致预期，高波动环境下追高风险大
反向证据
- 做多前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-07-13 · 影响 weakens
KB显示H1业绩预告已明确DRAM涨价、Flash受益于AI服务器的核心逻辑，本次纪要未提供超预期新数据
检索:北京君正 存储芯片涨价 调研纪要 增量信息 原文 ↗
先例如何影响了这次决策
对本次决策的影响:先例不足，未影响最终结论；本次AVOID主要基于price-in判断而非先例缺失
工具执行结果 · 成功 4 · 降级 0 · 失败 0 · 取消 0
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原文全文
展开原文 · 372 字
君正股份8月31日发布投资者关系活动记录表公告，三季度DRAM持续涨价且需求坚挺供应紧张，预估四季度涨价将持续；SRAM及Flash部分产品三、四季度陆续涨价，受AI服务器需求增长影响大容量512MbFlash供应开始紧张。今年全年存储芯片销量预计增长20%左右，明年下半年有望落地新产能资源。3D堆叠DRAM主要面向端侧AI的应用，目前正与端侧芯片算力公司积极配合。
君正股份8月31日发布投资者关系活动记录表公告，三季度DRAM持续涨价且需求坚挺供应紧张，预估四季度涨价将持续；SRAM及Flash部分产品三、四季度陆续涨价，受AI服务器需求增长影响大容量512MbFlash供应开始紧张。今年全年存储芯片销量预计增长20%左右，明年下半年有望落地新产能资源。3D堆叠DRAM主要面向端侧AI的应用，目前正与端侧芯片算力公司积极配合。
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君正股份8月31日发布投资者关系活动记录表公告，三季度DRAM持续涨价且需求坚挺供应紧张，预估四季度涨价将持续；SRAM及Flash部分产品三、四季度陆续涨价，受AI服务器需求增长影响大容量512MbFlash供应开始紧张。今年全年存储芯片销量预计增长20%左右，明年下半年有望落地新产能资源。3D堆叠DRAM主要面向端侧AI的应用，目前正与端侧芯片算力公司积极配合。
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决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。