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科创板日报Codex · 实盘不做把握 5/10
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消息称三大存储原厂2027年DRAM与HBM产能已售罄

本条对存储上游和利基DRAM方向偏利多,但核心逻辑是“AI拉动存储紧缺、DRAM/HBM涨价”,已在3月至7月多轮报道和A股存储行情中反复交易。

📄 原文科创板日报↗ 原文
消息称存储三大原厂已完成2027全年产能分配谈判 DRAM与HBM产能售罄
打开APP × 08:57 《科创板日报》4日讯,业界人士指出,近期原厂已完成2027全年产能分配谈判,三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧,但预计2026年8月底前的产能也将被预…
不做 兆易创新(603986.SH)
存储涨价和利基DRAM受益已被3月以来多轮报道和行情交易,本条未给出公司级新增订单、价格或产能量化,盘前追入无新增edge。
不做 北京君正(300223.SZ)
北京君正受益逻辑成立但此前业绩预增和DRAM涨价已充分扩散,本条只是行业供需转述,缺少足以重估公司利润的新数字。
不做 澜起科技(688008.SH)
公司是服务器内存接口链条受益方,但不是产能售罄的直接卖方;前期HBM超级周期已导致大幅交易,本条不适合追高。
不做 东芯股份(688110.SH)
中小存储设计弹性主要来自板块 beta 和涨价预期,当前快讯没有公司敞口或增量业绩测算,正期望不足。
不做 江波龙(301308.SZ)
模组和SSD公司面对原厂产能售罄同时有库存收益与采购成本/供货压力,净方向不如上游清晰,且缺少新增公司级催化。
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研究档案

🔎 新鲜度:最早出现 2026-08-04 · 扩散 high · price-in 风险 high ↗ ↗ ↗

消息传播链

  1. 2026-03-17财经媒体扩散上海证券报非一手原文 ↗
    上海证券报已报道存储芯片全年涨价、HBM产能缺口和A股存储概念股集体上涨,说明底层交易逻辑较早进入市场。
    市场反应:文中提到朗科科技、佰维存储、兆易创新、德明利、普冉股份等大涨。
  2. 2026-05-11财经媒体扩散Forbes China非一手原文 ↗
    Forbes China报道三星称2026年HBM产能售罄并开始接受2027年提前订单,澜起科技、江波龙等存储链标的已大幅反应。
    市场反应:澜起科技、江波龙等领涨存储板块。
  3. 2026-07-22行业媒体转载TrendForce非一手原文 ↗
    TrendForce周报称2027年AI需求将超过三大DRAM厂商供给扩张,HBM和SOCAMM挤压RDIMM供应,供需紧张已是公开行业预期。
  4. 2026-08-04 08:57 CST财经媒体扩散科创板日报/台湾电子时报非一手原文 ↗
    科创板日报转述台湾电子时报称三大原厂2027全年DRAM与HBM产能提前售罄,属于同一存储紧缺主线的进一步强化。
    市场反应:事件发生在A股盘前,尚未形成当日连续交易价格。

关键理由

  • 本条对存储上游和利基DRAM方向偏利多,但核心逻辑是“AI拉动存储紧缺、DRAM/HBM涨价”,已在3月至7月多轮报道和A股存储行情中反复交易。
  • 当前快讯没有披露新的公司订单、涨价幅度、产能扩张失败或单一A股公司可量化增量,难以把行业紧缺结论转成新的可回测同向入场edge。
  • A股映射票如兆易创新、北京君正、澜起科技、东芯股份均属于已高度交易的存储链标的,适合作背景跟踪,不适合盘前用行业转述追高。

主要风险

  • 若后续三大原厂或TrendForce等一手/准一手机构披露超预期涨价、LTA价格或具体供应缺口,存储链可由新信号重新评估。
  • 存储板块波动和融资拥挤度较高,行业利好转述容易出现高开低走或借利好出货。

反向证据

  • 做多前查反向 · 来源 web · 日期 2026-07-29 · 影响 weakens
    FT报道市场担忧存储价格过高、AI资本开支和需求可持续性,提示存储股涨价逻辑可能已接近高预期状态。
    检索:memory chip prices too expensive AI demand capex 2026 FT 原文 ↗
  • 做多前查反向 · 来源 web · 日期 2026-07-30 · 影响 weakens
    Apacer CEO称2027供给紧缺,但同时提到价格涨幅可能在2026年后期趋缓,说明不是单边加速涨价信号。
    检索:Apacer CEO DRAM supply drop 70% 2027 price hikes soften 2026 原文 ↗
  • 做多前查反向 · 来源 web · 日期 2026-05-11 · 影响 weakens
    存储链核心标的已在5月因HBM超级周期和供给缺口大幅上涨,本条行业转述的新增预期差不足。
    检索:兆易创新 北京君正 澜起科技 存储芯片 2026 涨价 股价 大涨 原文 ↗

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消息称存储三大原厂已完成2027全年产能分配谈判 DRAM与HBM产能售罄
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08:57
《科创板日报》4日讯,业界人士指出,近期原厂已完成2027全年产能分配谈判,三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧,但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约,买家均配合原厂的提前预付订金模式,这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法,但后续价格涨幅有望趋缓。 (台湾电子时报)
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这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。