铠侠宣布在北上工厂建设第三座NAND闪存工厂Fab3，与闪迪合计投资超310亿美元

①铠侠在官网宣布，公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”，将量产公司最新的3D闪存“BiCS FLAS”； ②铠侠写道，在智能体人工智能、物理人工智能和设备端人工智能的驱动下，闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。
财联社8月27日讯（编辑 赵昊）铠侠集团（KIOXIA Holdings Corporation）计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂，以满足不断增长的人工智能相关存储需求。
当下，铠侠共有两处生产基地，分别是四日市工厂和北上工厂。周四下午，铠侠在官网宣布，公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”，Fab3将建于Fab2南侧，预计将于2029财年投入运营。
铠侠表示，Fab3将量产公司的先进3D闪存“BiCS FLASH”，这类NAND型闪存主要在数据中心中用于处理AI服务产生的海量工作负载。
铠侠写道，在智能体人工智能、物理人工智能和设备端人工智能的驱动下，闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。
声明称，”铠侠计划通过建设Fab3工厂，扩大产能，确保尖端闪存产品的稳定供应，从而满足不断增长的市场需求。“
铠侠补充称，Fab3的建设进度和详细计划将根据市场趋势而定，“此外，Fab3的投资还取决于政府的支持。”
同一时间，铠侠发布的另一份新闻稿写道，铠侠和闪迪预计将在日本进行总额超过310亿美元（约合5万亿日元）的重大投资，但具体金额取决于日本政府的支持。
铠侠称，两家公司将继续加强合作伙伴关系。年内早些时候，铠侠与闪迪宣布将双方关于四日市工厂和北上工厂的合资协议分别延长五年，至2034年12月31日。
当下，全球最大的几家存储芯片制造商正面临越来越大的增产压力。内存和存储芯片的价格正在全球范围内上涨，挤压着从英伟达到汽车制造商和移动设备厂商等企业的利润空间。
日内早些时候，英伟达高管在财报电话会上警告称，公司正面临供应限制以及利润率承压的问题。
谷歌、Meta等大型科技公司正在签署多年期合同，以确保数据中心所需的内存和存储供应。这也促使铠侠的竞争对手——三星电子和SK海力士纷纷推出大规模资本支出计划。
岩井Cosmo证券高级分析师Kazuyoshi Saito表示，铠侠很可能已经与客户签订了有利的长期合同，现正在为未来增长提供保障，“这是一个非常积极的信号。”
花旗分析师Takero Fujiwara表示，铠侠完全有能力利用手头现金为数十亿美元规模的资本支出提供资金，如果公司最终作出投资决定，将意味着铠侠已经获得了长期合同，表明至少到2028年市场需求依然强劲。
Fujiwara称，“尽管铠侠对资本支出仍保持谨慎，但我们认为，该公司已经展现出在必要时进行投资的意愿。”
不过，市场仍担心，在存储芯片公司们投入巨额资金后可能会再次出现供应过剩，这种担忧也拖累了铠侠股价。自6月份触及高点以来，铠侠股价已经腰斩。