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科创板日报Qwen · 实盘不做把握 7/10不做原因:无可交易标的
北京时间·🕒 发布 18:40:10·⟳ 抓取 18:40:16 +6s·⚡ 决策 09-07 21:52:57 +3h12m·49.9 天前

瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结MOSFET(1635V、零温漂),由郝跃院士团队联合攻关、芯联集成协同做工艺平台开发

事件的经济主体瑶芯微电子未上市(仅港交所递表中),无任何可交易证券或单股产品;唯一被点名的上市公司芯联集成只是代工工艺平台协同方,消息未给出订单、量产规模、客户定点或收入增量,无法在可交易窗口内证明它改变其收入/利润/订单/capex指引,属典型无金额软催化;叠加公司仍亏损、大额解禁压制、SiC平台领先叙事已被券商多轮覆盖(股价较2025年中4.77元已翻倍),做多风险收益不成立,也没有可坐实的受损方支持做空。

📄 原文科创板日报↗ 原文
瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结MOSFET
【瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结MOSFET】《科创板日报》7日讯,瑶芯微电子今日宣布发布全球首款碳化硅超级结MOSFET。据介绍,该产品由瑶芯微电子与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队合作,历时五年联合技术攻关,协同晶圆代…
不做 芯联集成(688469.SH)
本次'全球首款SiC超级结MOSFET'的发布主体是未上市的瑶芯微电子,芯联集成仅以'协同晶圆代工厂进行工艺平台开发'身份被点名:消息不含订单金额、代工份额、量产规模、客户定点或收入/指引增量,无法证明它在可交易窗口内改变公司收入或利润,属无金额软催化。同时SiC平台领先(全球唯一8寸量产、150亿元车型订单)是2025-07至2026-05已被券商反复覆盖的存量叙事、股价已较2025年中4.77元翻倍至8.50元;公司仍在争取2026年盈亏平衡且面临5月14.4亿股、11…
不做 瑶芯微电子(瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司)(N/A)
事件的直接受益主体无可交易证券:normalize_ticker('瑶芯微电子')返回not_found、stock_quote('瑶芯微')返回not_found、direct_instrument_candidates候选数为0且fallback_required=true;内部资料显示公司仅于2026-03-31向港交所递交招股书(华泰国际、招商证券国际联席保荐),截至2026-09-07研判时点未见挂牌代码,故不存在可下单的做多载体。若后续确认港股挂牌,应就同一技术…
不做 天岳先进(688234.SH)
SiC衬底供应商,与本事件仅主题联动:超级结MOSFET属器件架构创新,消息未披露任何新增衬底需求、客户点名或量产采购,且公司当日+2.65%为缩量(量比0.60)板块beta、股价距52周高已-47%,无因果敞口也无edge。
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研究档案

结论摘要

事实:瑶芯微电子发布全球首款SiC超级结MOSFET(1635V、室温1.27 mΩ·cm²、25–125°C零温漂),与郝跃院士团队五年攻关、芯联集成协同工艺平台。影响链:发布主体未上市(2026-03-31递表港交所,normalize_ticker/direct_instrument_candidates/stock_quote三次核验均无代码)→ 无可交易载体;唯一上市关联方芯联集成的角色是代工厂,本次消息不含订单、量产、收入或指引数字,按其2025年80–83亿元营收体量,单一fabless客户的新器件发布在可交易窗口内无法量化增量。证据:内部KB显示芯联集成SiC叙事(全球唯一8寸SiC量产、6寸8000片/月+8寸2000片/月、超150亿元车型订单)自2025年7月至2026年5月已被多家券商反复覆盖并定价,股价由4.77元升至8.50元;反证方面博世已公开Gen4/Gen5 SiC沟槽+超结路线并布局专利,削弱'全球首款'的独占性口径;公司自述争取2026年盈亏平衡,且5月14.4亿股、11月11.5亿股解禁被投资者点名为股价压制主因。价格:当日芯联集成+2.41%但量比仅0.68,同业天岳先进+2.65%、士兰微+2.04%、扬杰科技+3.26%同步上涨,属板块beta且消息在收盘后发布,无抢跑也无本事件反应。结论:无可交易载体+软催化无金额+存量叙事已定价,A

🔎 新鲜度:最早出现 2026-09-07 · 扩散 low · price-in 风险 low ↗

主要风险

  • 若后续披露瑶芯微港股挂牌、或芯联集成给出该超级结SiC平台的量产订单/客户定点与收入量级,本事件性质会从软催化升级为可交易催化,需重新研判
  • 反向看,芯联集成仍处亏损(管理层称争取2026年盈亏平衡)且面临5月14.4亿股、11月11.5亿股大额解禁,任何题材性冲高都可能在解禁与盈利证伪压力下快速回吐

反向证据

  • 做多前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-03-12 · 影响 weakens
    KB命中两篇2026年3月行业文章:德国博世已公布Gen4/Gen5代SiC沟槽+超结器件并继续改进、抢占专利布局,说明SiC超级结并非无人涉足的空白路线,'全球首款'的独占性与竞争壁垒口径需打折
    检索:碳化硅 超级结 super junction MOSFET 高压器件 技术路线 博世 Gen4 Gen5 原文 ↗
  • 做多前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-04-24 · 影响 weakens
    公司2026-04-23投资者关系记录:管理层称争取2026年实现盈亏平衡(即目前仍亏损)、折旧压力逐步缓解;投资者直接点名5月14.4亿股、11月11.5亿股巨额解禁是'股票跌跌不休、断崖式下跌'的原因,构成题材冲高的供给端反证
    检索:芯联集成 2026 盈亏平衡 亏损 解禁 14.4亿股 11.5亿股 股价压制 原文 ↗
  • 做多前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-05-14 · 影响 weakens
    SiC平台领先(全球唯一8寸SiC量产、CP良率95%、6寸8500片/月+8寸2000片/月满载、超30个车型150亿元订单、2024年SiC收入10.16亿元同比翻倍)属2025-07至2026-05已被多家券商反复覆盖的存量叙事,本条新消息只是新增一个前沿架构demo,未改变已定价的SiC基本面
    检索:芯联集成 碳化硅 SiC MOSFET 产能 客户 代工 营收占比 8寸量产 订单 原文 ↗
  • 做多前查反向 · 来源 filing · 日期 2026-09-07 · 影响 none
    芯联集成近5日-0.6/-2.5/-1.2/-1.2/+2.4%,当日开8.37(低于前收8.30附近、非跳空)、量比0.68为缩量;同业天岳先进+2.65%(量比0.60)、士兰微+2.04%(量比0.50)、扬杰科技+3.26%同步上涨,判定为板块beta而非本消息抢跑或泄露,本催化price-in风险低但也说明缺乏独立资金关注
    检索:事件前抢跑/泄露检查:芯联集成及SiC板块近5日OHLC与量比 原文 ↗
  • 做多前查反向 · 来源 kb_search · 影响 weakens
    search_case_library:688469.SH相关历史决策8条、ENTER 2条,已结算2笔胜率0%、中位-1.85%、均值-1.85%,样本仅2笔过薄,只作线索;未发现该票自身在同类技术发布催化上的正收益记录
    检索:688469.SH 自家历史决策战绩(产品发布/技术突破类)
  • 做空前查反向 · 来源 kb_search · 日期 2026-04-24 · 影响 none
    本事件为正面技术发布,非公司级新增利空;KB中仅见存量亏损与解禁压力,无砍单、监管处罚或指引下修等强空催化,不满足做空红线(明确强空催化+confidence≥4),故不开SHORT腿
    检索:芯联集成 利空 砍单 监管 下修 产能过剩 做空催化 原文 ↗

先例如何影响了这次决策

对本次决策的影响:先例证据不足未改变结论:即使外部先例显示同类技术发布短线有正收益,本事件仍因发布主体不可交易、上市关联方无金额软催化而AVOID;先例不足只是进一步压低了对芯联集成做小仓试探的意愿

方向:无可用外部先例面板;仅能参考自家案例库:688469.SH相关历史决策8条、其中ENTER 2条,已结算2笔胜率0%、中位-1.85%(样本过薄,只作线索不作规律),指向对该票的题材型催化追高胜率低

涨幅量级:未提交event_study,故无aligned/analog幅度校准;本轮无法用先例数字设定tp/sl

形态:无法从外部先例验证是否高开低走;但自家案例库该票2笔ENTER均为负收益,且公司大额解禁被投资者点名为'跌跌不休'主因,题材冲高回落风险偏高

工具执行结果 · 成功 14 · 降级 0 · 失败 0 · 取消 0
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    未归一到唯一代码;请用 stock_quote 的 candidates 消歧,或直接给代码。
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    可能名字有误:没找到匹配的股票,请核对名称,或直接给代码(如 002837.SZ)
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原文全文

展开原文 · 304 字
【瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结MOSFET】《科创板日报》7日讯,瑶芯微电子今日宣布发布全球首款碳化硅超级结MOSFET。据介绍,该产品由瑶芯微电子与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队合作,历时五年联合技术攻关,协同晶圆代工厂芯联集成进行工艺平台开发,率先实现该前沿技术从实验室走向产业化的突破。《科创板日报》记者了解到,该器件实现1635V超高耐压,室温和175°C高温下比导通电阻低至1.27 mΩ·cm²和1.5 mΩ·cm²;25°C到125°C导通电阻实现零温漂,175°C温度系数小于1.2倍,相较平面或沟槽技术1.8至2.2倍的温度系数取得了实质突破。 (科创板日报记者 郭辉)

决策记录链 · 只追加

每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。

这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。