传马斯克Terafab或于2027年年中迎来首台阿斯麦EUV光刻机，首代芯片仍用英特尔14A工艺

①据消息人士透露，马斯克芯片项目Terafab可能在明年年中迎来其首台EUV光刻设备；
②SemiAnalysis此前预计Terafab建筑将在15个月内竣工，并需要六个月的时间来安装设备和生产设施；
③Terafab最初的芯片预计仍将使用传统芯片设备，以配合英特尔的14A工艺。
财联社10月15日讯（编辑 马兰）马斯克的芯片项目Terafab正在快速建设，以准备早日开始芯片设计与制造。据知情人士透露，该项目可能在明年年中迎来其首台阿斯麦EUV光刻设备。
此前，研究机构SemiAnalysis曾预测，Terafab研发工厂的主体结构要到2027年底才能完工，而设备要到当年晚些时候才会开始安装。因此这台传闻中的EUV光刻设备可能将闲置一段时间。
SemiAnalysis预计Terafab建筑将在15个月内竣工，并预测特斯拉还需要六个月的时间来安装设备和生产工具。之后，特斯拉即可开始加工晶圆，或者更确切地说，是进行芯片生产试验，以便团队为Terafab量产晶圆厂一期工程的完成做好准备。
由于现在获得一台阿斯麦Twinscan NXE EUV光刻机十分困难，在投入使用前将其存放几个月听起来像是一段代价高昂的闲置期，但这对于Terafab来说，可能不像对于传统芯片制造商那样是一个重大的财务问题。
马斯克曾经暗示，Terafab计划应用一种新的极紫外光生成方法，使用自由电子激光器（FEL）代替阿斯麦的激光等离子体光源。
激光等离子体光源技术只有约0.1%的输入电能可以转化为极紫外输出，且该工艺会产生碎片和污染物，从而增加维护需求。但与此同时，FEL EUV技术仍处于研发阶段，尚没有成熟的供应商。
Terafab提前购置阿斯麦光刻机的消息也意味着，这个项目的第一代产品仍将依赖更为传统的设备。但这也不令人意外，因为Terafab计划采用英特尔的14A制造技术。英特尔的14A工艺不仅会使用现有的低数值孔径EUV扫描仪，还会使用下一代高数值孔径EUV设备。
而使用非常规且未经充分测试光源的光刻系统，将需要对制造工艺进行重大修改、广泛的设备认证，并且可能需要对光掩模和光刻胶进行更改，这将使英特尔14A技术的转移变得复杂，并延迟Terafab的量产爬坡。