长鑫科技临时股东会重申高景气与LPDDR6进展，但业绩预告10月16日已披露且19日股价已放量下跌7.77%，无增量信息

①结合当前的宏观与产业环境，长鑫科技进一步指出， 公司对DRAM行业长期发展保持充足信心；
②在谈及未来的战略布局与核心竞争力时，长鑫科技管理层重点强调，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。
《科创板日报》10月19日讯， 长鑫科技于今日（10月19日）召开2026年第二次临时股东会，会议释放强烈的积极信号。
在会上，长鑫科技介绍了前三季度业绩预告：预计2026年前三季度实现营业收入2650亿至2700亿元，同比增长超7倍；归母净利润高达1310亿至1325亿元，实现同比扭亏为盈。长鑫科技表示，亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题，长鑫科技在交流中回应称， 公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。
结合当前的宏观与产业环境，长鑫科技进一步指出， 公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容，预计2025至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。面对广阔市场机遇，公司已构建强大的产品技术实力，承接市场需求。技术路线上，公司坚持自主研发与“跳代研发”策略，已完成从第一代到第五代工艺技术平台的产品迭代；产品端已实现从LPDDR4X到DDR5、DDR5X，再到最新LPDDR6的全系列产品覆盖，核心技术达国际先进水平。
在谈及未来的战略布局与核心竞争力时，长鑫科技管理层重点强调，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。目前，公司已采用创新的四重自对准图形工艺，第五代技术平台制程比肩业内已量产的最先进平台，存储密度与器件性能大幅提升。核心产品LPDDR6内存芯片传输速率达12800 Mbps，功耗较LPDDR5X产品下降20%，兼顾高速、低功耗与高可靠性，广泛适配智能终端、数据中心、边缘计算、智能驾驶及智能制造等AI时代核心场景。同时，公司在4F²等先进技术架构方面已取得关键进展。
在10月16日长鑫科技披露2026年前三季度业绩预告后，多家头部券商研究机构及资深半导体分析师指出，长鑫科技凭借从先进技术到产品矩阵的全面突破，不仅成功把握了行业上行周期机遇，更在全球存储芯片格局重塑中确立了关键地位，作为国内存储巨头的长期价值正迎来历史性的加速兑现期，即将披露的第三季度完整季报势必成为下一个重要看点。