科创板日报周末产业综述引中微、源杰、长鑫谈AI需求，无新增订单或财务事实

①AI驱动的需求扩张持续超预期上修，供给端的刚性约束与技术壁垒并存，本土厂商在产业周期与本土替代的双重逻辑下迎来确定性扩容窗口期。
②AI算力集群的扩张也对数据传输能力提出了更高要求，光通信产业链上游的激光器芯片正成为景气度快速提升的细分赛道。
《科创板日报》10月25日讯（记者 陈俊清） 进入2026年四季度，A股硬科技赛道正处于周期验证与价值重估的关键节点，AI产业链沿着算力、传输、应用路径进一步分化。
近日，《科创板日报》记者从中微公司、源杰科技、长鑫科技三家产业链企业方面获悉，AI驱动的需求扩张持续超预期上修，供给端的刚性约束与技术壁垒并存，本土厂商在产业周期与本土替代的双重逻辑下迎来确定性扩容窗口期。
作为数字智能产业的最底层基座，半导体设备的景气度直接反映下游产业的扩张节奏。
中微公司高管表示，从全球产业长周期来看，数字经济规模占全球GDP比重已攀升至45.6%，人工智能作为核心应用仍处于发展初期，大规模基建投入正沿着产业链逐层传导，带动半导体制造与设备市场规模预测持续上修。
据Gartner预测，2026年全球人工智能支出将达2.67万亿美元，同比增长49.5%，其中超一半投向基础设施领域。
中微公司高管表示，本轮制造业规模跃升主要由存储器价格上涨驱动，出货量贡献占比相对有限，一年内规模近乎翻番的态势在产业历史上极为罕见，印证数字智能领域供需格局尚未出清。
“按照产业规律，价格上涨将逐步带动产能扩张，而半导体制造业超70%的资本开支将投向设备领域；叠加先进制程推进带来的单位产能投资提升，3nm节点单位产能投资较5nm增加38%-55%，2nm节点较3nm再增约50%，设备产业的长期增长空间被持续打开。”中微公司方面表示。
与此同时，该公司认为，当二维微缩逼近物理极限，3D NAND、3D DRAM、先进封装、背面供电等三维结构成为突破路径。其表示，“三维结构深刻改变了设备的价值量分布。刻蚀、薄膜、量检测、CMP等设备的需求持续提升。这种设备价值量的结构性变化，对于提前在这些领域布局的企业，是长期而确定的机会。”
源杰科技方面表示，本轮光芯片需求爆发的核心动力是AI算力增长，从供给格局来看，全球光模块产业已形成中国厂商的龙头优势，但上游高端激光器芯片仍主要由美国、日本企业主导。“激光器行业技术难度高、制造工艺需长期积累、客户认证周期长、产能投资规模大，多重门槛构成了较高的行业壁垒。但AI需求的爆发为国产厂商带来了难得的替代窗口，在需求快速迭代的背景下，本土厂商的响应速度与产能匹配能力具备相对优势。”
源杰科技表示，公司此前长期聚焦电信市场，坚持IDM全流程自主模式，目前，公司数据中心激光器已成为收入增长的核心引擎，70mW、100mW CW激光器及100G EML产品实现批量出货。未来将面向NPO、CPO、更高速率可插拔模块等场景，研发验证更大功率及更高速率的激光器产品。
作为半导体市场占比最高的单一品类，DRAM正被AI重新定义产业价值。
长鑫科技表示，DRAM作为数字经济的核心信息基础设施，其需求逻辑正从传统的配套元件转向决定AI算力效率的核心成本项，产业规模与增长持续性都被提升至新高度。
从国内产业格局来看，中国是全球最大的DRAM消费市场，但本土产品自给率仍处于较低水平，发展空间广阔。目前长鑫科技产能规模位居中国第一、全球第四，产品已进入阿里云、字节跳动、腾讯等国内主流厂商供应链。公司产能规模与国际前三头部厂商仍存在明显差距，远不能匹配国内庞大的市场需求。
《科创板日报》记者获悉，作为国内规模领先的DRAM研发制造一体化企业，长鑫科技已完成从第一代到第五代工艺技术平台的演进，自主研发的LPDDR6峰值速率达 12800Mbps，新一代存储单元架构实现同面积存储密度提升30%-50%。
长鑫科技方面表示，“从中长期看，AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化；中国作为全球最大的半导体应用市场，提升DRAM自给能力也具有重要的现实意义。”