SK海力士与SanDisk发布HBF首个开放标准规格

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，公司聯手 Sandisk 共同發布下一代存儲技術的高頻寬快閃記憶體 （HBF，High Bandwidth Flash） 的首個標準規範。由於 HBF 是介於 HBM 和固態硬碟之間的新型儲存層級，不僅具備與 HBM 類似的高速資料傳輸能力，還可藉由N AND 快閃記憶體大幅提升容量。在 AI 推理普及、資料處理需求激增的背景下，其高頻寬與可擴展容量特性優勢備受矚目。
SK 海力士表示，此次發布的標準規範，是繼 SK 海力士 2025 年 8 月與 Sandisk 啟動 HBF 標準化合作，並於 2026 年 2 月成立聯盟後，歷時約六個月推出的首個成果。此規範定義了兩種容量配置，分別採用 8 層和 16 層堆疊 NAND 快閃記憶體晶片堆疊，最高支援 512GB 容量，並以三個等級 （ Grade 1~3 ） 設定頻寬標準，資料傳輸能力涵蓋約 0.4TB/s 至 3.0TB/s 等範圍 。
值得關注的是，HBF 與處理器之間採用業界標準 UCIe 互聯，使得 HBF 與 GPU、CPU等不同類型的晶片彈性連接奠定了基礎。此外，該規範涵蓋互聯介面與電氣特性、HBF Die 堆疊製程的可靠性與封裝指南，以及資料讀寫軟體使用指南等內容。此規範由全球最大的開放式資料中心技術合作組織 OCP（ Open Compute Project ） 正式發布，成為業界通用開放標準，而非企業私有標準。
目前，SK 海力士也計畫加速 HBF 在 AI 儲存市場的規模化落地，並加速建構生態體系。現階段，HBF 聯盟已匯聚了包括谷歌與 Tenstorrent。未來，公司將持續依托開放合作，不斷擴大生態體系，同時提昇技術成熟度與市場接受度。SK海力士強調，隨著代理式 AI 快速商業化，待處理資料規模激增，對處理速度和效率的要求也不斷提高。在此背景下，單一記憶體產品已難以滿足需求，因此需要採用 「分層記憶體（ Tiered Memory ）」 架構，整合特性互補的多種記憶體並協同最佳化。
尤其值得注意的是，SK 海力士還將首次公開目前開發進展順利的第十代 （V10） 由 375 層堆疊的 4D NAND 快閃記憶體晶圓和產品。較上一代，其效能功耗比提升 2.5 倍，特別適用於效能與能源效率要求極高的 AI 基礎設施環境，例如資料中心。SK 海力士計劃於 2027 年初啟動基於此 NAND 快閃記憶體的高效能、大容量企業級固態硬碟量產，進一步鞏固其在 AI 時代 NAND 快閃記憶體市場的領先地位。
此外，該公司還將展示面向行動終端、PC、汽車和機器人等多個領域的系列產品，全面呈現 SK 海力士引領 AI 時代的記憶體技術優勢以及客戶合作成果。SK 海力士副社長金千成表示，AI 應用的快速普及，正推動整個數據處理架構迎來重構的關鍵期。通過 HBF，公司將突破記憶體與儲存的邊界，助力構建提升系統整體效率的新架構。
(首圖來源：SK 海力士提供)