高盛报告预测中国7纳米及以下先进制程自给率将从2025年8%升至2035年66%，资本支出预测上调79%至820亿美元

隨著人工智慧（AI）半導體需求迎來爆發式成長，中國正積極加速擴建先進製程產能。根據外資報告預期，中國 7 奈米及以下先進製程晶圓的本土供應比重將在未來十年間有顯著躍升，預計自給率將從 2025 年的僅約 8% 飆升至 2035 年的 66%。
根據高盛集團（Goldman Sachs）發布的最新報告預估，中國 7 奈米及以下先進製程晶圓的供應短缺率，將從 2025 年的 92% 急劇減少至 2035 年的 34%。預測顯示，到 2035 年，中國對先進製程晶圓的月需求量將達到 61.9 萬片，而本土供應量則有望增加至 41 萬片。
高盛預計在 2025 年至 2035 年間，中國 7 奈米及以下先進製程晶圓的供應量將以年均 46% 的高速成長，顯著高於同期 17% 的需求年均成長率。其中，在生成式 AI 熱潮下，用於 AI 伺服器的先進晶圓需求年均成長率預估將達到 42%。
報導指出，中國最大晶圓代工廠中芯國際（SMIC）將成為這波產能擴張的核心主力。高盛分析假設，中芯國際在 2026 年至 2031 年間，每年將新增月產能 3 萬至 5 萬片的先進製程產能，而 2032 年至 2035 年間，每年則會繼續追加月產能 2 萬片。
另外，中芯國際先進製程的晶圓良率預計將從2026年的 23% 提升至 2030 年的 50%，並在 2035 年進一步達到 75%。雖然，中芯國際曾在 2023 年突破美國先進設備的出口管制，成功為華為智慧型手機生產 7 奈米級晶片，但其製程水準與全球晶圓代工龍頭台積電（TSMC）相比仍有一定差距，台積電在 7 奈米製程的良率已超過 90%。
高盛另外還將將中國半導體產業 2030 年的資本支出預測提高至 820 億美元，此數據比一年前的預測值大幅調升了 79%，主要原因在於生成式 AI 帶來的強勁需求以及半導體國產化進程的全面推進。
在整體產量上，中國半導體的生產自給率已由 2010 年 1 月的 38%，顯著成長至 2026 年 6 月的約 70%。然而，若以金額為基礎計算，其自給率依然偏低，這說明中國雖然在成熟製程與通用半導體的產量上實現了快速擴張，但在先進製程及高附加價值產品上，依然高度依賴海外市場。
在中國晶圓製造設備市場方面，本土設備商的營收佔比將從 2026 年的 31% 成長至 2028 年的 38%。然而，曝光機仍是中國半導體自主化道路上的最大痛點。目前，中國在深紫外線（DUV）曝光機上仍高度依賴荷蘭艾司摩爾（ASML），而用於更微細製程的極紫外線（EUV）曝光機，則因美國的出口管制而難以獲取，這類設備限制將成為縮短與國際先進製程良率和技術差距的最大阻礙。
在記憶體晶片領域，中國最大 DRAM 業者長鑫儲存（CXMT）的產能擴張動向被視為市場重要變數。根據預估，長鑫儲存的月產能將從 2026 年的約 27 萬片晶圓，擴大至 2028 年的 44.7 萬片，並於 2030 年達到 66.5 萬片。而該廠商預估將在 2028 年滿足中國約 50% 的 DRAM 需求以及 40% 的高頻寬記憶體（HBM）需求。
目前，長鑫儲存在合肥設有兩座、北京設有一座 12 吋 DRAM 晶圓廠，每座工廠的月產能估計約為 10 萬片。若未來位於上海、合肥及北京的新建生產設施全面投入運作，長鑫儲存的總產能將可比目前攀升一倍以上。不過，長鑫儲存與三星電子、SK 海力士等全球一線 DRAM 廠的技術差距在短期內預料仍將持續。
由於在先進 DRAM 以及 HBM 技術上依然落後，且同樣受到 EUV 等先進設備引進限制的制約，其技術落後局面難以在短時間內扭轉。因此，高盛評估中國市場在先進記憶體方面仍將維持對全球龍頭廠商的依賴，三星電子與 SK 海力士在中國市場的業務空間依然穩固。
(首圖來源：AI生成)