艾森股份披露机构调研纪要，称上半年经营良好并介绍先进封装光刻胶、电镀铜布局

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证券代码：688720 证券简称：艾森股份

江苏艾森半导体材料股份有限公司
投资者关系活动记录表

编号：2026-010
投资者关系活动类
别
☑特定对象调研 □分析师会议
□媒体采访 □业绩说明会
□新闻发布会 ☑路演活动
□现场参观 ☑电话会议
☑其他
参与单位名称
国寿安保、中欧基金、建信基金、国联基金、汇添富、申万菱信、华安
基金、浦银安盛、万家基金、信达澳亚、东北证券、招商证券、华创证
券、睿郡资产、银华基金、天风证券、圆信永丰、西安国新诚投、中海
基金、泉果基金、明汯投资、鹏华基金、东吴证券、广发基金、南方基
金、华夏基金、西部利得、嘉实基金、中泰证券
时间
2026 年6 月30 日-7 月14 日
地点
公司、上海、券商策略会、线上
上市公司
接待人员姓名
董事长：张兵
总经理：向文胜
常务副总经理、董事会秘书：陈小华
合规总监：李璊媛
证券事务代表：徐雯
投资者关系活动主
要内容介绍
以往机构调研中重复问答，本次活动披露文件中未做介绍。
问题一：公司今年上半年经营情况？
答：2026 年上半年公司整体经营情况保持良好态势，国际国内各项
业务有序推进中。公司始终坚持国产替代核心战略，依托自主核心技术



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持续深耕细分赛道，加速拓展市场份额，核心产品的市场渗透率与行业
认可度提升。具体经营业绩情况请关注公司相关公告。
问题二：先进封装光刻胶和晶圆制造光刻胶有什么差异，以及公司相关
产品布局情况？
答：光刻胶是芯片制造必不可少的图形转移过程材料。其中晶圆制
造光刻胶主要针对芯片前道制程，其核心作用是在硅片上刻出微米、亚
微米级到纳米级的互联电路和晶体管电路，追求高分辨率与低缺陷，以
薄膜体系为主，同时要求金属离子杂质控制在ppb 级，具备高灵敏度、
高刻蚀抗性。先进封装光刻胶针对芯片后道制程，其核心作用是做出1
微米至几百微米厚膜图形，然后通过电镀，去胶，刻蚀，制作RDL 重布
线、铜柱凸点、TSV 硅通孔等物理结构，所有技术设计都围绕“厚膜成
型、工艺兼容”展开，是HBM、Chiplet 等先进封装技术落地的核心材料
基础。
目前国产化中的难点也有所不同，晶圆制造光刻胶主要需要完成全
链条原材料自主可控，包括I-line、KrF、ArF、EUV 级光刻胶的功能单
体、树脂、感光剂等，对金属杂质的控制要求均需达到ppb 级别。先进封
装光刻胶的难点主要体现于两方面，其一是要在高厚膜、高粘度体系下
平衡感光度、附着力、抗电镀性、去胶特性、无气泡等多个互相矛盾的
性能参数，对性能稳定性要求极高；其二是应对国内封装工艺的快速发
展，正向开发出符合客户需求的产品。
公司聚焦光刻胶产品的竞争力构建。在先进封装领域的核心任务是
推动产品在2.5D/3D 先进封装中的规模化应用，着力提升国产光刻胶在该
领域的市场份额。在晶圆制造方面，公司面向存储、逻辑、功率器件等
不同应用场景的光刻胶产品，逐步进入研发或验证阶段。
问题三：公司的电镀铜在封装、晶圆以及IC 载板领域各有什么不同和相
通之处？
答：相通之处：封装、晶圆以及IC 载板虽属于不同的制造环节，但
电镀铜的核心原理是一致的。三者均采用电化学沉积技术，以硫酸铜体
系为基础电解液，配合抑制剂、加速剂、整平剂三类核心有机添加剂，
通过调控界面吸附与局部沉积速率，实现铜的可控沉积；三者都追求无



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空洞填充、优异的镀层均匀性、低缺陷，最终实现低电阻、高可靠性的
电气互连，保障半导体器件的导电与导热性能。
不同之处：在晶圆制造领域，晶圆制造中的电镀铜属于BEOL 互连工
艺的重要组成部分，是大马士革铜互连工艺的核心步骤，主要用于填充
芯片内部纳米级的金属互连沟槽与通孔。特征尺寸最小（约10–
100nm），适配先进制程节点，对超填充要求最高，更关注线阻、电迁移
和CMP 后的表面平坦度。下游客户为前道晶圆制造厂商。
先进封装领域，电镀铜是2.5D/3D 堆叠封装的核心金属化工艺，用于
填充TSV 硅通孔、制备RDL 重布线层、铜柱凸点与Hybrid Bonding 铜互
连等，适配1μm-10μm 的微米级结构，深宽比最高可达20:1，核心要求
是实现高深宽比深孔的无空洞快速填充，实现芯片与芯片之间的垂直互
连，下游客户以封测厂商、晶圆厂商先进封装产线为主；
IC 载板领域，电镀铜主要采用SAP/mSAP 工艺，用于填充有机基板的
盲孔和X-Via 填充、制备2μm-50μm 的高密度线路，作为芯片与外部PCB
板之间的电气连接桥梁，核心管控重点是保障整板镀层均匀性，要求镀
层可耐受高温多次热冲击不断孔，下游客户为专业IC 载板制造厂商。
关于本次活动是否
涉及应当披露重大
信息的说明
无
附件清单（如有） 无
日期
2026 年7 月16 日