🇯🇵 TDnetＫＯＫＵＳＡＩCodex · 实盘可交易 · 做多市场:日股▲ 赚 +5.16% · 约把握 6/10
北京时间·🕒 发布 13:00:00时区推断·⟳ 抓取 13:06:40·⚡ 决策 08-06 15:31:56 +2h25m·82.4 天前
KOKUSAI ELECTRIC 发布2027年3月期1季报并将业绩预告上调
公司公布FY27第一季度（4–6月）连结销售额754亿元（日元）与调整后营业利润174亿元，同比及环比均明显增收增利。
📄 原文ＫＯＫＵＳＡＩ↗ 原文
2027年3月期第1四半期（2026年4月～6月）決算説明資料
# 2027年3月期第1四半期（2026年4月～6月） 決算説明資料 ## 2026年8月6日 株式会社 KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates P…
约 +5.16%入场 08-06 收盘(回退) @8,224 → 离场 08-07 开盘 @8,674
日 K 取自复盘打分切片 · 蓝点/蓝虚线 = 纸面入场价 · 灰虚线 = 纸面离场 · 持有期红底 = 赚(价格在入场线上方)、绿底 = 亏
💡 交易逻辑Q1财务改善与FY预告上修同步释放，若修正兑现可在下一开市前后抢先窗口布局。
怎么买 开盘买入 不高于昨收 +6%（超上限不成交）
怎么卖 止盈 +6%(半仓)/+12%(清仓) · 止损 -5% · 时间止损 3日
展开详情(成交明细 / 研究档案 / 原文全文 / 决策记录链)
分时走势
做多 6525.JP KOKUSAI ELECTRIC
建仓日早于近 30 天,只有日线图
成交明细 · 纸面
做多 6525.JP KOKUSAI ELECTRIC
| 收益状态 | 约 +5.16% 已平仓 |
|---|---|
| 进场成交 | 2026-08-06 · 收盘(回退) · @8224 |
| 离场成交 | 2026-08-07 · 开盘 · @8674 |
| 毛收益 | +5.47% |
| 成本 | +0.31% |
| 净收益 | +5.16% |
| 计入收益 | +5.16% |
| 建仓日 | 2026-08-06 · 进场不早于新闻时刻 + 2 分钟 |
收益口径 event_time_plus_2min_10min_walk_open_topup_to_next_open_exchange_calendar_fill_model_local_notional_v9 · method_id m8db1cbc8f2d · 截至 2026-10-28 00:18
研究档案
🔎 新鲜度:最早出现 2026-08-06 · 扩散 low · price-in 风险 medium ↗
消息传播链
- TDnet公布《2027年3月期第1四半期決算説明資料》，披露1Q持续增收增益并发布FY27上方修正（销售、利润与分红）。
- 当日盘中该股在事件后区间出现高波动，日内最终收于8,224日元（-3.11%），说明已开始交易级反应。市场反应:当日高低区间约8,873/7,716日元，收盘8,224日元，说明消息未被单边放大且存在兑现偏离。
关键理由
- 公司公布FY27第一季度（4–6月）连结销售额754亿元（日元）与调整后营业利润174亿元，同比及环比均明显增收增利。
- FY27通期预测由2,800亿元修订到3,400亿元（+21.4%），并将调整后营业利润由605亿元上修至860亿元（+42.1%），是明确的新利空中和修正（正向）催化。
- 按当前市值约128.1亿元估算，修订中调整后营业利润增量约255亿元，规模约为市值约2.0倍，若随访兑现，对短线情绪与估值重定价具直接影响。
主要风险
- 核心催化依赖AI相关高性能Logic/DRAM投资节奏，若短期资本开支释放转弱，修正兑现可能延后。
- 本次公告交易日内已出现放量波动并低于前收盘（8,488→8,224），若隔夜再度失温，容易出现“发布快结束”后的回撤。
反向证据
- 做多前查反向 · 来源 web · 日期 2026-08-06 · 影响 none
未检索到与本次上方修正直接冲突的同期下调/取消类披露，负面反证未形成有效替代。
检索:KOKUSAI ELECTRIC 2027年3月期 予想 下方 修正 取消 原文 ↗
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原文全文
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# 2027年3月期第1四半期（2026年4月～6月） 決算説明資料
## 2026年8月6日 株式会社 KOKUSAI ELECTRIC
KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
### 注意事項
###### 本資料及び本資料にて提供される情報は企業情報等の提供のために作成されたものであり、国内外を問わず、当社の発行する株式その他有価証券の勧 誘を構成するものではありません。
- ◼ 将来見通しについて 本資料に記述されている当社グループの事業計画、将来予測などは、当社グループが作成時点で入手可能な情報に基づいて判断したものであり、将来 の結果や業績を保証するものではありません。さまざまな外部要因・内部要因の変化により、実際の業績、成果は計画、予測と大きく異なる結果となる可 能性があります。当社グループは、適用される法令または証券取引所の規則により要求される場合を除き、本資料に含まれるいかなる情報についても、 今後生じる事象に基づき更新または改訂する義務を負うものではありません。なお、当社グループの経営成績、財政状態、キャッシュ・フローの状況に重 要な影響を与える可能性があると認識している主なリスクは、有価証券報告書に記載しております。
- ◼ 為替リスクについて 当社グループにおける海外売上収益は高い水準で推移しております。また、当社グループの外貨建ての資産および負債の評価は為替相場の変動により 影響を受けます。当社グループ製品の輸出売上は、ほとんどが円建てで行われておりますが、一部に外貨建売上および費用計上もあり、為替相場の変 動により影響を受けることがあります。
- ◼ 経営指標について 当社グループは、企業価値の向上に向けて経営成績の推移を把握するため、調整後営業利益、調整後当期（四半期）利益を重要な経営指標として位置 付けております。調整の内容につきましては、決算短信に記載しております。調整後営業利益、調整後当期（四半期）利益につきましては、同様または類 似の名称を用いている他社の経営指標と内容が異なる場合があり、比較可能性がない場合があります。
- ◼ 会計基準について 当社グループは2021年3月期より国際会計基準（IFRS）に基づいて連結財務諸表を作成しております。
- ◼ 数字の処理について 本資料に記載された金額（一部を除く）は、億円未満を四捨五入しているため、内訳の計が合計と一致しない場合があります。
## 2027年3月期第1四半期連結決算概要
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### ハイライト
###### 2027年3月期第1四半期連結決算概要
- ◼ 半導体デバイス市場は、生成AI用途の高性能なLogicやDRAMを中心に世代交代・生産規模拡大投資が前期に増し て高水準で推移。NANDは世代交代投資が中心。民生電子機器向けや自動車・産業機器向けの需要回復は緩やか。
- ◼ 当社1Qは、DRAM、Logic向けを中心とした装置販売、サービス売上の伸長により前年同期比で増収増益。 通期決算発表時の業績予想からは売上・利益ともに上振れて着地。
- ◼ 半導体デバイスメーカーは高性能デバイス向けを中心に、世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資への急加速 が続く見通し。
- ◼ デバイスメーカーの急速な設備投資の拡大に伴い、装置売上が前回予想*1を大きく上回る見通しとなったことから、第 ２四半期（中間期）および通期連結業績予想と配当予想を上方修正。
2027年3月期連結業績予想・配当予想と今後の見通し
*1 5月13日に2026年3月期決算発表で公表した2027年3月期の業績予想
### 連結業績サマリー
1Qの売上・利益は、前年同期比・直前四半期比ともに増収増益。 売上総利益率は、前年同期比では製品構成の変化により低下したものの直前四半期比では上昇。売上収益
の増加により調整後営業利益以下の利益率は前年同期・直前四半期を上回る水準。
26/3期 27/3期 1Q 2Q 3Q 4Q 通期 1Q 前年同期比 前四半期比
（億円）
売上収益 518 654 559 620 2,351 754 ＋45.6% ＋21.6% 売上総利益 222 273 229 244 968 307 ＋38.1% ＋25.6%
売上総利益率 42.9% 41.7% 41.0% 39.4% 41.2% 40.7% △2.2pts ＋1.3pts
###### 調整後営業利益 109 144 113 110 476 174 ＋59.3% ＋58.4%
調整後営業利益率 21.1% 22.1% 20.2% 17.7% 20.2% 23.0% ＋1.9pts ＋5.3pts
###### 調整後当期（四半期）利益 76 98 83 84 341 125 ＋65.1% ＋49.0%
調整後当期（四半期）利益率 14.7% 15.0% 14.8% 13.6% 14.5% 16.6% ＋1.9pts ＋3.0pts
###### 営業利益 97 130 98 93 418 159 ＋63.9% ＋70.9%
営業利益率 18.8% 19.9% 17.6% 15.0% 17.8% 21.1% ＋2.3pts ＋6.1pts
###### 税引前当期（四半期）利益 93 128 94 92 407 157 ＋68.9% ＋71.8%
税引前当期（四半期）利益率 18.0% 19.6% 16.9% 14.8% 17.3% 20.9% ＋2.9pts ＋6.1pts
###### 当期（四半期）利益 68 88 73 73 301 116 ＋70.6% ＋58.8%
当期（四半期）利益率 13.1% 13.4% 13.0% 11.7% 12.8% 15.3% ＋2.2pts ＋3.6pts
###### 研究開発費 39 48 42 54 183 45 ＋15.9% △17.8% 設備投資額 23 52 40 53 169 48 ＋109.8% △9.5% 減価償却費 34 35 36 37 143 39 ＋15.0% ＋5.2% 1株当たり配当金（円） - 18 - 19 37 - - -
### 2027年3月期第1四半期実績 増減要因
###### 売上収益は、世界各国向け装置売上とサービス売上が伸長し、前年同期比46%増加。調整後営業利益は、 販売増加が大きく寄与し、前年同期比59％増加。
###### 売上収益 調整後営業利益
（億円） （億円）
754
＋85
＋51
＋211
174
＋0
###### △26
△20
518
|販売等増加 ＋101<br><br>売上総利益率低下 △16|
|---|
|NAND ＋13 DRAM ＋138 Logic/Foundry ＋62 その他 △3|
|---|
|NAND △60 DRAM ＋14 Logic/Foundry ＋27<br><br>その他 △8|
|---|
109
26/3期 1Q実績
27/3期 1Q実績
26/3期
サービス 27/3期
売上総利益 販管費 その他 （調整額含む）
世界各国向け
中国地場向け
1Q実績
1Q実績
装置
装置
### 四半期別売上収益 アプリケーション別
###### 1Qは前年同期比でNAND向けが34%減少も、DRAM向けは158%増加、Logic/Foundry向けは82%増加。 直前四半期比ではDRAM向けが2%減少も、NAND向けは84%増加、Logic/Foundry向けは38%増加。
754
（億円）
|23%|
|---|
|6%|
|26%|
|33%|
|12%|
654
###### 620
|19%|
|---|
|5%|
|23%|
|27%|
|27%|
|19%|
|---|
|9%|
|23%|
|41%|
|8%|
559
サービス
| |
|---|
###### 518
|22%|
|---|
|12%|
|19%|
|35%|
|12%|
|23%|
|---|
|10%|
|21%|
|19%|
|27%|
その他
| |
|---|
Logic/Foundry
| |
|---|
DRAM
| |
|---|
NAND
| |
|---|
ｃ7c 26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
サービス売上 119 124 122 116 170 装置売上 399 530 437 505 584
### 四半期別売上収益 アカウント別*1
###### 1Qの世界各国向け売上は、前年同期比・直前四半期比ともに主要アプリケーション向け装置売上とサービス 売上が増加。中国地場向け売上は、前年同期比・直前四半期比ともにLogic/Foundry向け装置売上とサービ ス売上が増加。世界各国向け売上の伸長により中国地場向け売上比率は25%に低下。
世界各国向け売上収益
中国地場向け売上収益
（億円） （億円）
566
460
384
367
サービス
323
287
その他
194
Logic/Foundry
188
175
160
DRAM
NAND
26/3期 27/3期
26/3期 27/3期
###### 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
###### 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
世界各国
中国地場
比率 62% 56% 69% 74% 75%
比率 38% 44% 31% 26% 25%
*1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、 中国地場デバイスメーカー向けの区分
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### 四半期別売上収益 仕向地別
1Qの中国向け売上は、前年同期比で減少、直前四半期比では増加。1Qの中国以外では、すべての地域で
前年同期比・直前四半期比ともに増加。中国向け売上構成比率は、直前四半期と同水準の28%。
754
（億円）
654
620
28%
中国
559
1%
518
28%
欧州他
5%
48%
33%
1%
その他アジア
5%
45%
1%
32%
韓国
7%
0%
5%
1%
31%
台湾
2%
28%
17% 21%
米国
19%
20%
20% 15% 18%
日本
3% 3% 2% 5% 7%
11% 8% 11% 9% 8%
7c 26/3期 27/3期
（億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 海外向け 459 604 497 563 693 日本向け 59 50 62 58 62
### 四半期別貸借対照表
資産合計は、生産の増加に伴う棚卸資産の増加、営業債権及びその他の債権の増加により前期末と比べ
112億円増加。資本合計は、利益剰余金の増加等により前期末と比べ56億円増加。
###### 資産 負債／資本
（億円） （億円）
3,709
###### 3,709
###### 3,521 3,597 3,521 3,597
現金及び現金同等物
3,415 3,433 3,415 3,433
504
570
499
428 438 477 565
558
603 544
営業債権及び その他の債権 棚卸資産
有利子負債 （借入金＋リース負債）
422
643
391 381 362 379
602
474 540
496
営業債務及びその他の債務 ＋契約負債
332 294 303 313
896 893 928 889 937
327
有形固定資産
その他
無形資産
472 502 519 540 564
1,989 2,083 2,128 2,193 2,249
資本
のれん
532 520 513 509 500
その他
591 591 591 591 591
106 108 132 123 126
|26/3期| | | |27/3期|
|---|---|---|---|---|
|1Q|2Q|3Q|4Q|1Q|
26/3期 27/3期
### 四半期別自己資本比率＆現金及び現金同等物／有利子負債
自己資本比率は、前期末比で0.4ポイント減少したものの60%台。
ネットキャッシュは前期末と同水準の66億円を維持。
###### 資産合計／資本合計／自己資本比率 現金及び現金同等物／有利子負債
（億円） （億円）
現金及び現金同等物 有利子負債
資産合計 資本合計 自己資本比率
70%
3,709
3,415 3,433 3,521 3,597
603
565 570
65%
544 558
499 504
60.7% 60.4% 61.0% 60.6%
477
58.2%
60%
428 438
2,083 2,128 2,193 2,249
1,989
55%
50%
- 1,000
- 1,500
- 2,000
- 2,500
- 3,000
- 3,500
- 4,000
45%
500
0
40%
26/3期 27/3期 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
26/3期 27/3期
### 四半期別キャッシュ・フロー
営業CFが投資CFを上回り、フリーCFは66億円に。
財務CFは配当金の支払いや自己株式取得等により、64億円の支出。
営業CF 投資CF 財務CF フリーCF
（億円）
154
204
71 73
66
121
119 115
20
49
△29 △44 △48 △43 △50 △55
△43
△64
△64 △64
###### 26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
営業CF ＋49 ＋119 ＋115 ＋204 ＋121 投資CF △29 △48 △43 △50 △55 財務CF △44 △64 △43 △64 △64
フリーCF ＋20 ＋71 ＋73 ＋154 ＋66 現金及び現金同等物残高 428 438 477 565 570
### 四半期別研究開発費／設備投資額／減価償却費
1Qの研究開発費、設備投資額、減価償却費は計画通り推移。
売上収益の増加に伴い、研究開発費率は5.9%に低下。
###### 研究開発費 設備投資額／減価償却費
（億円） （億円）
60 研究開発費 研究開発費率
- 0%
- 1%
- 2%
- 3%
- 4%
- 5%
- 6%
- 7%
- 8%
- 9%
8.8%
大型設備投資（新工場建設、デモルーム拡張など）
通常設備投資
7.4% 7.4% 7.4%
減価償却費
50
23
32
5.9%
37 39
40
34 35 36
29
13
30
54
48
45
3
42
20
39
28 30
20 20
20
10
0
26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
研究開発費 39 48 42 54 45
設備投資額計 23 52 40 53 48
売上収益比 7.4% 7.4% 7.4% 8.8% 5.9％
売上収益比 4.4% 8.0% 7.2% 8.6% 6.4％
減価償却費 34 35 36 37 39
売上収益比 6.6% 5.3% 6.5% 6.0% 5.2％
## 2027年3月期連結業績予想・配当予想
KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
### ハイライト
###### 2027年3月期第1四半期連結決算概要
◼ 半導体デバイス市場は、生成AI用途の高性能なLogicやDRAMを中心に世代交代・生産規模拡大投資が前期に増し
て高水準で推移。NANDは世代交代投資が中心。民生電子機器向けや自動車・産業機器向けの需要回復は緩やか。
◼ 当社1Qは、DRAM、Logic向けを中心とした装置販売、サービス売上の伸長により前年同期比で増収増益。
通期決算発表時の業績予想からは売上・利益ともに上振れて着地。
#### 2027年3月期連結業績予想・配当予想と今後の見通し
◼ 半導体デバイスメーカーは高性能デバイス向けを中心に、世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資への急加速
が続く見通し。
◼ デバイスメーカーの急速な設備投資の拡大に伴い、装置売上が前回予想*1を大きく上回る見通しとなったことから、第
2四半期（中間期）および通期連結業績予想と配当予想を上方修正。
*1 5月13日に2026年3月期決算発表で公表した2027年3月期の業績予想
### 2027年3月期業績・配当予想（変更あり）
通期で売上収益は21％引き上げ前期比45%増加、調整後営業利益は42％引き上げ前期比81％増加、調整
後当期利益は40％引き上げ前期比76％増加、にそれぞれ修正。年間配当予想は前回47円から18円増配し、 65円に引き上げ。
26/3期 27/3期 実績 前回予想 今回予想 上期 下期 通期 上期 下期 通期 上期 前期比 下期 前期比 通期 前期比 前回予想比
（億円）
###### 売上収益 1,172 1,179 2,351 1,523 1,277 2,800 1,610 ＋37.4% 1,790 ＋51.8% 3,400 ＋44. 6% ＋21.4% 売上総利益 495 473 968 641 535 1,176 684 38.2%＋ 778 64.5%＋ 1,462 ＋51.0% ＋24.3%
売上総利益率 42.2% 40.1% 41.2% 42.1% 41.9% 42.0% 42.4% +0.2pts 43.5% +3.4pts 43.0% +1.8pts +1.0pts 調整後営業利益 253 223 476 355 250 605 392 ＋54.7% 467 ＋109.4% 860 ＋80.7% ＋42.1%
調整後営業利益率 21.6% 18.9% 20.2% 23.4% 19.5% 21.6% 24.4% +2.8pts 26.1% +7.2pts 25.3% +5.1pts +3.7pts 調整後当期（半期）利益 174 167 341 250 179 429 278 ＋59.9% 322 ＋92.8% 600 ＋76.0% ＋39.9% 調整後当期（半期）利益率 14.8% 14.2% 14.5% 16.4% 14.0% 15.3% 17.3% +2.5pts 18.0% +3.8pts 17.7% +3.2pts +2.4pts
営業利益 227 191 418 325 220 545 356 ＋56.8% 438 ＋129.3% 794 ＋89.8% ＋45.7% 営業利益率 19.4% 16.2% 17.8% 21.4% 17.2% 19.5% 22.1% +2.7pts 24.5% +8.3pts 23.4% +5.6pts +3.9pts 税引前当期（半期）利益 222 186 407 319 215 534 351 ＋58.4% 432 ＋132.2% 783 ＋92.2% ＋46.6% 税引前当期（半期）利益率 18.9% 15.8% 17.3% 21.0% 16.8% 19.1% 21.8% +2.9pts 24.1% +8.3pts 23.0% +5.7pts +3.9pts 当期（半期）利益 156 145 301 229 159 388 254 ＋63.3% 301 ＋108.3% 555 ＋84.4% ＋43.0% 当期（半期）利益率 13.3% 12.3% 12.8% 15.1% 12.4% 13.9% 15.8% +2.5pts 16.8% +4.5pts 16.2% +3.4pts +2.3pts
###### 1株当たり配当金（円） 18 19 37 23 24 47 32 ＋14 33 ＋14 65 ＋28 ＋18
配当性向
〈調整後当期利益ベース〉 － － 25.3% － － 25.6% － － － － 25.2％ △0.1pts △0.4pts
### 2027年3月期業績予想 前回予想比増減要因
売上収益は、装置売上の大幅な上振れを見込み前回予想比で21％の引き上げ。
調整後営業利益は、販売増加と売上総利益率の上昇を見込み42％の引き上げ。
###### 売上収益 調整後営業利益
3,400
＋100
（億円） （億円）
＋285
＋286
860
＋215
＋0
2,800
△31
|NAND ＋119 DRAM ＋16 Logic/Foundry ＋88 その他 △8|
|---|
|NAND ＋66 DRAM ＋148 Logic/Foundry ＋43 その他 ＋27|
|---|
605
|販売等増加 ＋252 売上総利益率増加 ＋34|
|---|
27/3期 前回予想
27/3期 今回予想
27/3期 前回予想
サービス 27/3期 今回予想
売上総利益 販管費 その他 （調整額含む）
世界各国向け 装置
中国地場向け 装置
### 2027年3月期業績予想 前期比増減要因（変更あり）
売上収益は、世界各国向け装置売上、中国地場向け装置売上、サービス売上のそれぞれが増加し、前期比
45％増加となる見通し。調整後営業利益は、販売増加と売上総利益率の上昇により81％増加の見通し。
###### 売上収益 調整後営業利益
＋106
3,400
＋266
（億円） （億円）
＋678
＋494
＋0
860
###### △110
2,351
|NAND ＋225 DRAM ＋228 Logic/Foundry ＋231<br><br>その他 △6|
|---|
|NAND △15 DRAM ＋215 Logic/Foundry ＋96 その他 △31|
|---|
|販売等増加 ＋433 売上総利益率増加 ＋61|
|---|
476
- 26/3期
サービス 27/3期 今回予想
世界各国向け 装置
中国地場向け 装置
26/3期
27/3期
売上総利益 販管費 その他
通期実績
通期実績
（調整額含む）
今回予想
### 2027年3月期業績予想 アカウント別*1売上収益（変更あり）
世界各国向け売上は、主にNANDとLogic/Foundry向け装置の需要拡大により前回予想比で14％上方修正
し、前期比では49%増加の見通し。中国地場向け売上は、主にDRAM向け装置の需要拡大により前回予想 比で39%上方修正し、前期比では37%増加する見通し。
###### 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益
（億円） （億円）
1,748
1,535
サービス
1,340
その他
1,050
1,010
Logic/Foundry
816
799
709
DRAM
NAND
27/3期 今回予想 世界各国比率 71% 56% 56% 65% 71% 67%
27/3期 前回予想
27/3期 今回予想 中国地場比率 29% 44% 44% 35% 29% 33%
27/3期 前回予想
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
*1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、中国地場デバイスメーカー向け の区分
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### 2027年3月期業績予想 アプリケーション別装置売上収益（変更あり）
###### 前期比でNAND向けは49％増加、DRAM向けは61％増加、Logic/Foundry向けは65％増加、サービス売 上は22％増加とそれぞれ増加の見通し。サービス売上比率は17％の見通し。
3,400
（億円）
17%
2,800
5%
2,457
17%
サービス
2,389 2,351
5%
24%
20%
20% 20%
その他
1,808
11%
25%
11% 9%
Logic/Foundry
21%
20%
24% 21%
13%
DRAM
34%
16%
36%
24%
NAND
31%
36%
30%
33%
19%
18% 16%
11% 10%
27/3期 前回予想
27/3期 今回予想
（億円） 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
サービス売上 485 388 472 480 486 586
装置売上 1,972 1,420 1,916 1,871 2,314 2,814
### 2027年3月期業績予想 仕向地別売上収益（変更あり）
###### 前期比ですべての地域仕向け売上が増加。中国仕向け比率は38%の見通し。
3,400
（億円）
中国
2,800
38%
欧州他
2,457 2,389
2,351
34%
その他アジア
1% 34%
5% 2%
韓国
1,808
47% 39%
2%
4%
台湾
6% 22%
1%
46%
24%
5%
1%
米国
4%
23%
16% 24%
1%
日本
4%
20% 20%
21%
17%
18% 18%
10%
6%
8% 6%
6% 6% 3%
13% 12% 8% 10% 9% 8%
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3期 通期前回予想 27/3期 通期今回予想
海外向け 87% 88% 92% 90% 91% 92% 日本向け 13% 12% 8% 10% 9% 8%
### 2027年3月期業績予想 装置別売上収益（変更あり）
###### 27年3月期の高付加価値製品比率*1は68％となる見通し。 今後デバイスの世代交代によりバッチALD*2対応装置と枚葉トリートメント装置の導入は加速していく見通し。
他
バッチCVD対応装置 ＋バッチ酸化・拡散装置
バッチALD*2対応装置
枚葉トリートメント装置
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3前回予想期 通期 27/3今回予想期 通期 高付加価値
製品比率*1 67% 54% 64% 73% 73% 68%
- *1高付加価値製品比率はバッチALD対応装置と枚葉トリートメント装置を合算した比率です。
- *2当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を 「ALD」と呼んでいます。
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## 今後の見通し
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### 事業環境の見通し
AI関連の需要がデバイスメーカーの設備投資を引き続き強力にけん引、高性能デバイス向け装置需要は
さらに増加する見通し。
半導体製造装置（WFE）市場
###### 半導体デバイス市場
- ■AI関連の需要拡大に伴って、高性能デバイス向け装置への需要は さらに増加。
- ■成熟ノード向け装置への需要は今後の回復に期待。
- ■半導体デバイス市場の拡大に伴い、半導体製造装置市場も中長期的に 大きな成長に期待。
- ■AI関連の需要がデバイスメーカーの設備投資を引き続き強力にけん引。 DRAMを中心に高性能デバイス向けの投資は大きく拡大。
- ■AI関連以外の産業機器向けデバイスの需要は回復局面。
- ■中長期的には、データセンターの拡充への投資、民生電子機器の 需要回復等により、大きな成長に期待。
- 2026年の市場動向
2026年の市場見通し（2025年比）
|⚫ DRAMとNANDはAI市場の拡大で需要が急増し、 価格上昇<br><br>⚫ DRAMはLogic/Foundryと同程度の市場規模に拡大<br><br>⚫ Logic/Foundryは先端向けを中心に継続して需要増加|
|---|
|⚫ 市場全体：+25%以上<br><br>⚫ NAND向け装置市場：+25%前後 ⚫ DRAM向け装置市場：+40%前後 ⚫ Logic/Foundry+その他市場：+20%前後|
|---|
### 中期経営計画のアップデート
24年の中期経営計画策定時から市場環境が大きく変化したことを受け、中期目標の達成時期とアプリケー ション別売上構成比を26年5月13日に見直し。急速な需要拡大に伴い売上収益は2年前倒しで27/3期に達成
見通し。調整後営業利益率は28/3期の達成をめざす。
従来の中期目標*1 見直し後の中期目標
達成時期 WFE市場規模
2029年3月期まで
1,200億ドル以上
###### アプリケーション別売上構成比*3
売上収益 3,300億円以上 3,300億円以上
装置ビジネス
###### 売上比率 75％程度 80％程度
サービス
約40%
サービスビジネス 売上比率 25%程度 20%程度
約50%
Logic/Foudry＋その他
調整後営業利益率*2 30%以上 30%以上 研究開発費 （対売上収益比率） 6%以上 6%以上
DRAM
約40%
NAND
約25%
ROE（参考） 25%以上 25%以上 ROIC（参考） 23%以上 23%以上
約25% 約20%
従来 見直し後
- *1: 中長期事業目標に関して足許の環境や進捗状況を踏まえた現時点における中計の着地見込みを中期事業目標と記載
- *2: 調整後営業利益率 ＝ 調整後営業利益 ÷ 売上収益 調整後営業利益＝営業利益－その他の収益＋その他の費用＋企業結合により識別した無形資産等の償却＋事業再編費用＋株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く）
- *3: 装置売上の比率
### 生産体制について
##### 27/3期の生産稼働率は、上期平均で70％～80%、下期平均で80%以上。28/3期はさらに高まる見通し。WFE市場の急速な変化に対応すべく生産能力を引き続き強化し、充分対応可能な生産体制を維持。
###### 生産能力の増強 生産拠点（日本・韓国）
WFE市場の成長に充分に 対応可能な生産能力
Cheonan Factory
富山事業所
砺波事業所
（2026年4月、生産能力増強
のため隣接地を取得済）
25/3期 26/3期 27/3期 28/3期 29/3期 長期目標
### 株主還元方針に基づく施策について
27/3期業績予想の上方修正により年間配当予想を47円（調整後当期利益ベースの配当性向25.6%）から65
円（同25.2%）へ18円増配。 26/3期業績を受けた自己株式取得は7月27日に完了。消却は8月31日に予定。
#### 株主還元方針について
#### 自己株式の取得と消却について
- ■取得期間 2026年5月14日～2026年7月27日
- ■取得した株式の総数 565,900株
- ■株式の取得価額の総額 5,299,480,480円
- ■取得の方法 株式会社東京証券取引所における市場買付
- ■消却する株式の総数 565,900株
- ■消却予定日 2026年8月31日
- ■ 連結配当性向20%から30%程度を目安に剰余金の配当
- ■ ネットキャッシュ*1がプラスに転換後、有利子負債分割償還後フリー・ キャッシュ・フロー*2の70％程度に相当する金額を配当及び自己株式取得 に充当。取得した自己株式は消却を原則とする*3
- ■ 配当と自己株式取得を合わせた総還元性向は、中期目標達成時に約50％ を見込む
年間配当について
2027年3月期 今回予想
2027年3月期
| |
|---|
（参考）
前回予想
| |発行済株式総数|保有自己株式数|
|---|---|---|
|2026年7月31日時点|238,115,614株|4,731,768株|
|2026年8月31日時点*4|237,549,714株|4,165,868株|
47円 65円
|中間配当32円 期末配当33円|
|---|
|中間配当23円 期末配当24円|
|---|
- *1:ネットキャッシュ=現金及び現金同等物－有利子負債
- *2：有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー＝営業活動によるキャッシュ・フロー ＋投資活動によるキャッシュ・フロー－有利子負債の分割償還額
- *3: ただし、株式報酬制度等により活用が見込まれる発行済株式総数の1%を上限に保有
- *4:自己株式消却後。ただし、8月1日以降の株式報酬付与等は含まず
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### まとめ
###### 半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により高付加価値製品の適用機会が拡大、 技術的優位性を生かして市場成長を上回る事業拡大の持続をめざす。
|2024|2025|2026|2027|2028|2029|2030|2031|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|デ バ イ ス<br><br>ロ ー ド マ ッ プ|
|---|
NAND
###### ＞400 Layers ＞600 Layers
＞200 Layers
3D Stacked
Advanced 2D DRAM
DRAM
D1a/D1b D1c D1d VCT DRAM
DRAM
GAA
Logic
Fin-FET
CFET
2nm 1.4～0.7nm
短期
###### 中期 長期
- ◼ AI需要による高性能DRAM、Logic/Foundryの投資拡大を背景に、高付加価値製品の適用機会が拡大。
- ◼ NANDは世代交代投資の継続により高付加価値製品の需要増加、生産規模拡大にも期待。
- ◼ 競争優位性のある成膜技術をアドバンスドパッケージ分野で活用、新規PORを獲得。
- ◼ 出荷台数の増加によるインストールベースの台数増加で、サービスビジネス拡大に期待。
|当 社<br><br>カ タ リ ス ト|
|---|
- ◼ CFET、VCT DRAM、3D Stacked DRAM、600層以上 NANDへの世代交代に伴う需要拡大。
- ◼ アドバンスドパッケージ分野の拡大と新規需要の開拓。
短期～中期 長期
|事 業 環 境|
|---|
- ◼ NAND
- ◼ NAND
• 世界各国向けは600層以上の世代交代に向けた投資が 活発化、生産規模拡大投資も継続。
- ◼ DRAM
• VCT DRAM、3D Stacked DRAMへの世代交代、生産 規模拡大に向けた投資が活発化。
- ◼ Logic/Foundry+その他
◼ NAND
- • 世界各国向けは世代交代投資が継続（200～400 層）し、生産規模拡大投資の再開に期待。
- • 中国地場向けは端境期も2026年後半から投資再開。
◼ DRAM
- • AI需要の拡大により、世代交代、生産規模拡大に向 けた投資が継続。 ■Logic/Foundry＋その他
- • 世代交代、生産規模拡大投資が継続。
- • 中国地場向けは、大手メーカーによる投資が継続。
- • 世界各国向けは世代交代投資が継続（400～600 層）、AI需要により生産規模拡大投資が再開。
- • 中国地場向けは世代交代投資が中心となる見通し。
- ◼ DRAM
• D1d～VCT DRAM、への世代交代、生産規模拡大 に向けた投資が活発化。
- ◼ Logic/Foundry+その他
- • GAA 2nm、1.4nmへの世代交代、生産規模拡大 投資の活発化。Fin FET 3nmへの投資拡大。
- • アドバンスドパッケージ市場の拡大。
- • CFETへの世代交代、生産規模拡大投資が活発化。
- • アドバンスドパッケージ市場のさらなる拡大。
## Appendix
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### 2027年3月期第1四半期の主な活動報告
- ◼ TechInsightsの顧客満足度調査「Global Semiconductor Supplier Awards」で 「Top 10 Customer Service」を29年連続で受賞。（26/5）
- ◼ ALD/ALE2026で招待講演およびポスター発表。（26/6）
- ◼ 砺波事業所に隣接する土地を新たに取得することを決定。（26/4）
- ◼ 「MEMS Engineer FORUM 2026」に出展。（26/4）
- ◼ 2025年度で縦型装置の累計出荷台数が20,000台を突破。（26/4）
経営・事業活動
TechInsightsの顧客満足度調査で 「Top 10 Customer Service」を29年連続で受賞
- ◼ ESG投資の主要指数「FTSE 4 Good Index Series」、「FTSE JPX Blossom Japan Index」、「FTSE JPX Blossom Japan Sector Relative Index」の構成銘柄に選定。 （26/6）
- ◼ 保育所施設で青空環境教室を開催。（26/5）
- ◼ CDP2025「サプライヤーエンゲージメント評価」で2年連続最高評価を獲得。（26/5）
- ◼ ISS STOXXの「ESGコーポレートレーティング」で「Prime」評価に初認定。（26/5）
- ◼ 富山県砺波市で開催された「2026となみチューリップフェア」に協賛。（26/4）
###### ESGの取り組み
CDP2025「サプライヤーエンゲージメント評価」で 2年連続最高評価を獲得
### 2027年3月期業績予想 アカウント別*1上下別売上収益
###### 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益
###### （億円） （億円）
###### 844
サービス
###### 690
その他
###### 482
Logic/Foundry
334
DRAM
NAND
27/3期 上期 前回予想
27/3期 下期 前回予想
27/3期 上期 今回予想
27/3期 下期 今回予想
27/3期 上期 前回予想
27/3期 下期 前回予想
27/3期 上期 今回予想
27/3期 下期 今回予想
26/3期 上期 26/3期 下期
26/3期 上期 26/3期 下期
世界各国
中国地場
比率 59% 72% 68% 75% 70% 65%
###### 比率 41% 28% 32% 25% 30% 35%
*1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、中国地場デバイスメー カー向けの区分
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### 損益計算書及び研究開発費、設備投資額、減価償却費
|（百万円）|26/3期| | | | |27/3期|
|---|---|---|---|---|---|---|
| |1Q|2Q|3Q|4Q|通期|1Q|
|売上収益|51,789 65,416 55,852 62,021 235,079 75,414| | | | | |
|売上総利益<br><br>売上総利益率|22,220 27,277 22,883 24,430 96,810 30,678<br><br>42.9% 41.7% 41.0% 39.4% 41.2% 40.7%| | | | | |
|調整後営業利益<br><br>調整後営業利益率|10,902 14,439 11,290 10,965 47,596 17,371<br><br>21.1% 22.1% 20.2% 17.7% 20.2% 23.0%| | | | | |
|調整後当期（四半期）利益<br><br>調整後当期（四半期）利益率|7,598 9,785 8,292 8,420 34,095 12,548<br><br>14.7% 15.0% 14.8% 13.6% 14.5% 16.6%| | | | | |
|営業利益|9,717 12,993 9,809 9,317 41,836 15,926|
|---|---|
|営業利益率|18.8% 19.9% 17.6% 15.0% 17.8% 21.1%|
|税引前当期（四半期）利益|9,322 12,840 9,412 9,165 40,739 15,742|
|税引前当期（四半期）利益率|18.0% 19.6% 16.9% 14.8% 17.3% 20.9%|
|当期（四半期）利益|6,776 8,782 7,264 7,277 30,099 11,558|
|当期（四半期）利益率|13.1% 13.4% 13.0% 11.7% 12.8% 15.3%|
|研究開発費|3,851 4,821 4,159 5,427 18,258 4,462|
|---|---|
|設備投資額|2,302 5,208 4,015 5,337 16,862 4,830|
|減価償却費|3,417 3,498 3,629 3,734 14,279 3,931|
### 調整後利益等の計算における調整項目
26/3期 27/3期
（百万円） 1Q 2Q 3Q 4Q 通期 1Q
営業利益 9,717 12,993 9,809 9,317 41,836 15,926 －その他の収益 △304 △83 △70 △51 △508 △56 ＋その他の費用 18 53 74 223 368 21 （調整額）
＋企業結合により識別した無形資産等の償却*1 1,476 1,476 1,477 1,476 5,905 1,476 ＋事業再編費用 - - - - - 4 ＋株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く） △5 - - - △5 -
調整額 計 1,471 1,476 1,477 1,476 5,900 1,480 調整後営業利益 10,902 14,439 11,290 10,965 47,596 17,371
当期（四半期）利益 6,776 8,782 7,264 7,277 30,099 11,558 －その他の収益 △304 △83 △70 △51 △508 △56 ＋その他の費用 18 53 74 223 368 21 （調整額）
＋企業結合により識別した無形資産等の償却*1 1,476 1,476 1,477 1,476 5,905 1,476 ＋事業再編費用 - - - - - 4 ＋株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く） △5 - - - △5 -
－調整項目に対する税金調整額 △363 △443 △453 △505 △1,764 △455 調整後当期（四半期）利益 7,598 9,785 8,292 8,420 34,095 12,548
*1：26/3期末時点で技術関連資産の帳簿価格は5,649百万円、残存償却期間は2年 26/3期末時点で顧客関係資産の帳簿価格は38,740百万円、残存償却期間は12年
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### 貸借対照表及び主要財務指標
27/3期 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末
26/3期
27/3期 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末
26/3期
（百万円）
（百万円）
負債 流動負債 借入金＋リース負債 11,956 12,044 12,161 12,373 12,462 営業債務及びその他の債務 24,574 25,658 26,361 25,354 31,476 契約負債 25,069 21,704 27,666 34,840 32,844 その他 17,991 18,687 15,263 18,162 19,639 流動負債合計 79,590 78,093 81,451 90,729 96,421
資産 流動資産 現金及び現金同等物 42,766 43,806 47,728 56,543 56,974 営業債権及びその他の債権 39,087 38,066 36,152 37,941 42,223 棚卸資産 89,626 89,326 92,758 88,890 93,702 その他 2,038 2,065 2,905 2,465 2,467 流動資産合計 173,517 173,263 179,543 185,839 195,366
非流動負債 借入金＋リース負債 48,339 42,365 43,681 37,492 37,927 その他 14,663 14,553 14,131 12,167 11,641 非流動負債合計 63,002 56,918 57,812 49,659 49,568
非流動資産 有形固定資産 47,220 50,214 51,916 53,975 56,370 のれん 59,065 59,065 59,065 59,065 59,065 無形資産 53,182 52,013 51,321 50,900 49,978 その他 8,524 8,765 10,262 9,879 10,110 非流動資産合計 167,991 170,057 172,564 173,819 175,523
142,592 135,011 139,263 140,388 145,989 198,916 208,309 212,844 219,270 224,900 341,508 343,320 352,107 359,658 370,889
負債合計 資本合計 負債及び資本合計
341,508 343,320 352,107 359,658 370,889
資産合計
26/3期
27/3期 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末
58.2% 60.7% 60.4% 61.0% 60.6% 0.3 0.3 0.3 0.2 0.2 △ 17,529 △ 10,603 △ 8,114 6,678 6,585
自己資本比率 D/Eレシオ
ネット・キャッシュ（百万円）
### キャッシュ・フロー計算書
（百万円） 26/3期 27/3期
1Q 2Q 3Q 4Q 通期 1Q
営業活動によるキャッシュ・フロー 4,923 11,936 11,538 20,404 48,801 12,127
投資活動によるキャッシュ・フロー △ 2,942 △ 4,789 △ 4,263 △ 4,960 △ 16,954 △ 5,520
フリー・キャッシュ・フロー 1,981 7,147 7,275 15,444 31,847 6,607
財務活動によるキャッシュ・フロー △ 4,423 △ 6,373 △ 4,339 △ 6,379 △ 21,514 △ 6,446
現金及び現金同等物の期首残高 44,755 42,766 43,806 47,728 44,755 56,543
現金及び現金同等物の四半期末残高 42,766 43,806 47,728 56,543 56,543 56,974
### 貸借対照表（5月13日公表）
###### 当期末の資産合計は、現金等の増加、米国デモセンター設立に伴う投資等による有形固定資産の増加により 前期末比で181億円増加。資本合計は利益剰余金の増加等により、前期末比で231億円増加。
###### 資産 負債・資本
（億円） （億円）
3,735 3,754 3,735 3,754
3,597 3,597
3,415 3,415
現金及び現金同等物
499
565
992 930
926
1,061
448
602
有利子負債 （借入金＋リース負債）
営業債権及び その他の債権
379
602
428
320
594 461
棚卸資産
506
711 303
営業債務及びその他の債務 ＋契約負債
889
391
877 832
356
有形固定資産
672
424
その他
188 354 469 540
無形資産
2,193
資本
630 570 541 509
のれん
1,874 1,962
1,609
その他
591 591 591 591
89 117 106 123
### 自己資本比率＆現金及び現金同等物／有利子負債（5月13日公表）
###### 当期末の自己資本比率は61%に上昇。現金等の増加に加え借入金の返済による有利子負債の減少により ネットデットを解消し、当期末のネットキャッシュは66億円に。
###### 資産合計／資本合計／自己資本比率 現金及び現金同等物／有利子負債
（億円） （億円）
資産合計 資本合計 自己資本比率
現金及び現金同等物 有利子負債
80%
3,735 3,754
3,597
1,061
3,415
992
70%
930
926
61.0%
60%
57.4%
50%
49.9%
2,193 43.1%
602
1,874 1,962
565
40%
499
1,609
448
30%
- 1,000
- 1,500
- 2,000
- 2,500
- 3,000
- 3,500
- 4,000
20%
500
10%
0
0%
### キャッシュ・フロー（5月13日公表）
営業CFが投資CFを上回り、フリーCFは318億円の収入。 財務CFは借入金の返済と配当金の支払いによる支出等により、215億円の支出。
営業CF 投資CF 財務CF フリーCF
（億円）
318
222
488
385
108
300
29
△63
△90
△78
△120
△170
△215
△251
△277
△581
###### （億円） 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
営業CF 300 29 385 488 投資CF △78 △120 △277 △170 財務CF △251 △63 △581 △215
フリーCF 222 △90 108 318 現金及び現金同等物残高 1,061 926 448 565
### 研究開発費／設備投資／減価償却費（5月13日公表）
###### 中長期的な需要拡大を見据え、中計に沿って研究開発投資、設備投資を実施。 研究開発費は前期比2割増。設備投資は前期比2割減、減価償却費は前期比1割増。
研究開発費 設備投資／減価償却費
|200 180|研究開発費<br><br>研究開発比率| | |7.8%|9.0%<br><br>8.0%|
|---|---|---|---|---|---|
|160 （億|円）|7.0%|6.5%| |7.0%|
|140 120|5.1%| | | |6.0%<br><br>5.0%|
|100 80| | |156|183|4.0%|
|60|124|127| | |3.0%|
|40| | | | |2.0%|
|20| | | | |1.0%|
|0| | | | |0.0%|
| |23/3期|24/3期|25/3期|26/3期| |
大型設備投資（新工場建設、デモルーム拡張など）
通常設備投資
減価償却費
205
203
（億円）
###### 169
143
126
109
103 71
133
140
66
21
98
64 70
45
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
### ビジネス区分の変更（5月13日公表）
2027年3月期より、ビジネス区分を変更。これまでサービスビジネスに属していた「200mm装置の販売」と「中 古装置の販売」、 「アップグレード改造」を装置ビジネスに移管。よりWFE市場と連動した開示区分へ。
| |2026年3月期|
|---|---|
|300mm装置の販売|装置ビジネス|
|200mm装置の販売|サービスビジネス|
|中古装置の販売| |
|アップグレード改造| |
|その他の改造・移設| |
|部品販売| |
|保守サービス・有償修理他| |
|2027年3月期|
|---|
|装置ビジネス|
|サービスビジネス|
### マーケットシェアの推移（5月13日公表）
###### CY25は、バッチ成膜装置市場においてトップシェアを獲得。 バッチALD*1対応装置シェアは80%に到達、枚葉トリートメント装置（Plasma Gate Modification Tools）もトップシェアを維持*2。
|49.2%<br><br>41.1%<br><br>41.3%<br><br>11.8%<br><br>10.7%<br><br>36.4%<br><br>A社<br><br>D社<br><br>A社<br><br>B社 6.4%<br><br>Others<br><br>（CY25） Gartnerの分類に基づく市場シェア*3<br><br>Tube (Batch)*2 RTP and Oxidation/Diffusion<br><br>C社 3.2%|
|---|
###### バッチALD*4対応装置の市場規模と当社シェア
###### バッチ成膜装置
2023 2024
バッチALD*4 対応装置
- US$0.1B*5
40～50%*5
2025
- US$1.0B*5
US$0.6B*5 US$0.8B*5
バッチCVD 対応装置
###### ～70%*5 ＞70%*5
>80%*5
###### トリートメント装置 Plasma Gate Modification Toolsの市場規模と当社シェア
2025
2023 2024
Plasma Gate Modification Tools
US$0.1B*5 US$0.2B*5
Others
Deposition Treatment
～50%*5 ＞50%*5
市場規模*4 US$1.9B RTP and Oxidation/Diffusion
US$2.8B
*1 当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。 *2 GartnerによるWFEセグメントにおける「Tube CVD」を「Tube (Batch)」と定義（当社にて算出） *3 出典：Gartner®, Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2025, Bob Johnson et al. Published 2 April 2026 図はガートナーリサーチに基づき、Kokusai Electricが作成。ここに記載のある数値は、Kokusai Electricにより算出されたものです。Treatment（トリートメント装置）: RTP and Oxidation/Diffusion。GARTNERは、Gartner Inc.または関連会社の米国およびその他の国における登録商標およびサービスマークであり、同社の許可に基づいて使用しています。All rights reserved. Gartnerは、Gartnerリサーチの発行物に掲載された特定のベンダー、製品またはサービスを推奨するものではありません。また、最高のレーティング又はその他の評価を得たベンダーのみを選択するようにテクノロジーユーザーに助言するものではありません。Gartnerリサーチの発行物は、Gartnerリサーチの見解を表したものであり、事実を表現したものではあ りません。Gartnerは、明示または黙示を問わず、本リサーチの商品性や特定目的への適合性を含め、一切の責任を負うものではありません。本書に記載するGartnerのコンテント (以下「Gartnerコンテント」) は、Gartnerシンジケート・サブスクリプション・サービスの一部としてGartner, Inc.(以下「Gartner」)が発行したリサーチ・オピニオンまたは見解を表すものであり、事実を 述べているものではありません。Gartnerコンテントの内容はいずれも、そのコンテントが発行された当時の内容であり、本書が発行された日の内容ではありません。また、Gartnerコンテントに記載されている見解は予告なく変更されることがあります。 *4 Gartnerによるカテゴリーの合計値 *5 公開情報・当社売上高に基づき当社推定
### 砺波事業所に隣接する土地の取得を決定（5月13日公表）
###### 2031年以降のさらなる市場拡大を見越して、富山県砺波市が所有する砺波事業所に隣接する土地の取得を 決定。生産や研究開発など当社グループにおけるさまざまな取り組みに寄与する見込み。
購入を決定した 隣接地
砺波事業所
|所在地|高岡砺波スマートIC柳瀬 第2団地|
|---|---|
|敷地面積|約43,000㎡|
|取得価額|約10億円|
### 用語集
- ◼ バッチ処理装置：多数のウェーハを一括処理する装置
- ◼ 枚葉トリートメント装置：ウェーハを１枚単位で処理する枚葉方式により成膜後の膜質を改善する装置
- ◼ ALD：Atomic Layer Depositionの略 当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を 「ALD」と呼んでいます。
- ◼ CVD:Chemical Vapor Depositionの略
- ◼ CFET:Complimentary Field Effect Transistorの略
- ◼ FinFET:Fin Field Effect Transistorの略
- ◼ GAA:Gate All Aroundの略
- ◼ HBM:High Bandwidth Memoryの略
- ◼ POR ：Process of Recordの略で、顧客の半導体製造プロセスにおける製造装置認定を指す。
- ◼ TAM：Total Addressable Marketの略
- ◼ VCT:Vertical Channel Transistorの略
- ◼ WFE：Wafer Fab Equipmentの略
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## 2026年8月6日 株式会社 KOKUSAI ELECTRIC
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### 注意事項
###### 本資料及び本資料にて提供される情報は企業情報等の提供のために作成されたものであり、国内外を問わず、当社の発行する株式その他有価証券の勧 誘を構成するものではありません。
- ◼ 将来見通しについて 本資料に記述されている当社グループの事業計画、将来予測などは、当社グループが作成時点で入手可能な情報に基づいて判断したものであり、将来 の結果や業績を保証するものではありません。さまざまな外部要因・内部要因の変化により、実際の業績、成果は計画、予測と大きく異なる結果となる可 能性があります。当社グループは、適用される法令または証券取引所の規則により要求される場合を除き、本資料に含まれるいかなる情報についても、 今後生じる事象に基づき更新または改訂する義務を負うものではありません。なお、当社グループの経営成績、財政状態、キャッシュ・フローの状況に重 要な影響を与える可能性があると認識している主なリスクは、有価証券報告書に記載しております。
- ◼ 為替リスクについて 当社グループにおける海外売上収益は高い水準で推移しております。また、当社グループの外貨建ての資産および負債の評価は為替相場の変動により 影響を受けます。当社グループ製品の輸出売上は、ほとんどが円建てで行われておりますが、一部に外貨建売上および費用計上もあり、為替相場の変 動により影響を受けることがあります。
- ◼ 経営指標について 当社グループは、企業価値の向上に向けて経営成績の推移を把握するため、調整後営業利益、調整後当期（四半期）利益を重要な経営指標として位置 付けております。調整の内容につきましては、決算短信に記載しております。調整後営業利益、調整後当期（四半期）利益につきましては、同様または類 似の名称を用いている他社の経営指標と内容が異なる場合があり、比較可能性がない場合があります。
- ◼ 会計基準について 当社グループは2021年3月期より国際会計基準（IFRS）に基づいて連結財務諸表を作成しております。
- ◼ 数字の処理について 本資料に記載された金額（一部を除く）は、億円未満を四捨五入しているため、内訳の計が合計と一致しない場合があります。
## 2027年3月期第1四半期連結決算概要
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### ハイライト
###### 2027年3月期第1四半期連結決算概要
- ◼ 半導体デバイス市場は、生成AI用途の高性能なLogicやDRAMを中心に世代交代・生産規模拡大投資が前期に増し て高水準で推移。NANDは世代交代投資が中心。民生電子機器向けや自動車・産業機器向けの需要回復は緩やか。
- ◼ 当社1Qは、DRAM、Logic向けを中心とした装置販売、サービス売上の伸長により前年同期比で増収増益。 通期決算発表時の業績予想からは売上・利益ともに上振れて着地。
- ◼ 半導体デバイスメーカーは高性能デバイス向けを中心に、世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資への急加速 が続く見通し。
- ◼ デバイスメーカーの急速な設備投資の拡大に伴い、装置売上が前回予想*1を大きく上回る見通しとなったことから、第 ２四半期（中間期）および通期連結業績予想と配当予想を上方修正。
2027年3月期連結業績予想・配当予想と今後の見通し
*1 5月13日に2026年3月期決算発表で公表した2027年3月期の業績予想
### 連結業績サマリー
1Qの売上・利益は、前年同期比・直前四半期比ともに増収増益。 売上総利益率は、前年同期比では製品構成の変化により低下したものの直前四半期比では上昇。売上収益
の増加により調整後営業利益以下の利益率は前年同期・直前四半期を上回る水準。
26/3期 27/3期 1Q 2Q 3Q 4Q 通期 1Q 前年同期比 前四半期比
（億円）
売上収益 518 654 559 620 2,351 754 ＋45.6% ＋21.6% 売上総利益 222 273 229 244 968 307 ＋38.1% ＋25.6%
売上総利益率 42.9% 41.7% 41.0% 39.4% 41.2% 40.7% △2.2pts ＋1.3pts
###### 調整後営業利益 109 144 113 110 476 174 ＋59.3% ＋58.4%
調整後営業利益率 21.1% 22.1% 20.2% 17.7% 20.2% 23.0% ＋1.9pts ＋5.3pts
###### 調整後当期（四半期）利益 76 98 83 84 341 125 ＋65.1% ＋49.0%
調整後当期（四半期）利益率 14.7% 15.0% 14.8% 13.6% 14.5% 16.6% ＋1.9pts ＋3.0pts
###### 営業利益 97 130 98 93 418 159 ＋63.9% ＋70.9%
営業利益率 18.8% 19.9% 17.6% 15.0% 17.8% 21.1% ＋2.3pts ＋6.1pts
###### 税引前当期（四半期）利益 93 128 94 92 407 157 ＋68.9% ＋71.8%
税引前当期（四半期）利益率 18.0% 19.6% 16.9% 14.8% 17.3% 20.9% ＋2.9pts ＋6.1pts
###### 当期（四半期）利益 68 88 73 73 301 116 ＋70.6% ＋58.8%
当期（四半期）利益率 13.1% 13.4% 13.0% 11.7% 12.8% 15.3% ＋2.2pts ＋3.6pts
###### 研究開発費 39 48 42 54 183 45 ＋15.9% △17.8% 設備投資額 23 52 40 53 169 48 ＋109.8% △9.5% 減価償却費 34 35 36 37 143 39 ＋15.0% ＋5.2% 1株当たり配当金（円） - 18 - 19 37 - - -
### 2027年3月期第1四半期実績 増減要因
###### 売上収益は、世界各国向け装置売上とサービス売上が伸長し、前年同期比46%増加。調整後営業利益は、 販売増加が大きく寄与し、前年同期比59％増加。
###### 売上収益 調整後営業利益
（億円） （億円）
754
＋85
＋51
＋211
174
＋0
###### △26
△20
518
|販売等増加 ＋101<br><br>売上総利益率低下 △16|
|---|
|NAND ＋13 DRAM ＋138 Logic/Foundry ＋62 その他 △3|
|---|
|NAND △60 DRAM ＋14 Logic/Foundry ＋27<br><br>その他 △8|
|---|
109
26/3期 1Q実績
27/3期 1Q実績
26/3期
サービス 27/3期
売上総利益 販管費 その他 （調整額含む）
世界各国向け
中国地場向け
1Q実績
1Q実績
装置
装置
### 四半期別売上収益 アプリケーション別
###### 1Qは前年同期比でNAND向けが34%減少も、DRAM向けは158%増加、Logic/Foundry向けは82%増加。 直前四半期比ではDRAM向けが2%減少も、NAND向けは84%増加、Logic/Foundry向けは38%増加。
754
（億円）
|23%|
|---|
|6%|
|26%|
|33%|
|12%|
654
###### 620
|19%|
|---|
|5%|
|23%|
|27%|
|27%|
|19%|
|---|
|9%|
|23%|
|41%|
|8%|
559
サービス
| |
|---|
###### 518
|22%|
|---|
|12%|
|19%|
|35%|
|12%|
|23%|
|---|
|10%|
|21%|
|19%|
|27%|
その他
| |
|---|
Logic/Foundry
| |
|---|
DRAM
| |
|---|
NAND
| |
|---|
ｃ7c 26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
サービス売上 119 124 122 116 170 装置売上 399 530 437 505 584
### 四半期別売上収益 アカウント別*1
###### 1Qの世界各国向け売上は、前年同期比・直前四半期比ともに主要アプリケーション向け装置売上とサービス 売上が増加。中国地場向け売上は、前年同期比・直前四半期比ともにLogic/Foundry向け装置売上とサービ ス売上が増加。世界各国向け売上の伸長により中国地場向け売上比率は25%に低下。
世界各国向け売上収益
中国地場向け売上収益
（億円） （億円）
566
460
384
367
サービス
323
287
その他
194
Logic/Foundry
188
175
160
DRAM
NAND
26/3期 27/3期
26/3期 27/3期
###### 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
###### 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
世界各国
中国地場
比率 62% 56% 69% 74% 75%
比率 38% 44% 31% 26% 25%
*1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、 中国地場デバイスメーカー向けの区分
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### 四半期別売上収益 仕向地別
1Qの中国向け売上は、前年同期比で減少、直前四半期比では増加。1Qの中国以外では、すべての地域で
前年同期比・直前四半期比ともに増加。中国向け売上構成比率は、直前四半期と同水準の28%。
754
（億円）
654
620
28%
中国
559
1%
518
28%
欧州他
5%
48%
33%
1%
その他アジア
5%
45%
1%
32%
韓国
7%
0%
5%
1%
31%
台湾
2%
28%
17% 21%
米国
19%
20%
20% 15% 18%
日本
3% 3% 2% 5% 7%
11% 8% 11% 9% 8%
7c 26/3期 27/3期
（億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 海外向け 459 604 497 563 693 日本向け 59 50 62 58 62
### 四半期別貸借対照表
資産合計は、生産の増加に伴う棚卸資産の増加、営業債権及びその他の債権の増加により前期末と比べ
112億円増加。資本合計は、利益剰余金の増加等により前期末と比べ56億円増加。
###### 資産 負債／資本
（億円） （億円）
3,709
###### 3,709
###### 3,521 3,597 3,521 3,597
現金及び現金同等物
3,415 3,433 3,415 3,433
504
570
499
428 438 477 565
558
603 544
営業債権及び その他の債権 棚卸資産
有利子負債 （借入金＋リース負債）
422
643
391 381 362 379
602
474 540
496
営業債務及びその他の債務 ＋契約負債
332 294 303 313
896 893 928 889 937
327
有形固定資産
その他
無形資産
472 502 519 540 564
1,989 2,083 2,128 2,193 2,249
資本
のれん
532 520 513 509 500
その他
591 591 591 591 591
106 108 132 123 126
|26/3期| | | |27/3期|
|---|---|---|---|---|
|1Q|2Q|3Q|4Q|1Q|
26/3期 27/3期
### 四半期別自己資本比率＆現金及び現金同等物／有利子負債
自己資本比率は、前期末比で0.4ポイント減少したものの60%台。
ネットキャッシュは前期末と同水準の66億円を維持。
###### 資産合計／資本合計／自己資本比率 現金及び現金同等物／有利子負債
（億円） （億円）
現金及び現金同等物 有利子負債
資産合計 資本合計 自己資本比率
70%
3,709
3,415 3,433 3,521 3,597
603
565 570
65%
544 558
499 504
60.7% 60.4% 61.0% 60.6%
477
58.2%
60%
428 438
2,083 2,128 2,193 2,249
1,989
55%
50%
- 1,000
- 1,500
- 2,000
- 2,500
- 3,000
- 3,500
- 4,000
45%
500
0
40%
26/3期 27/3期 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
26/3期 27/3期
### 四半期別キャッシュ・フロー
営業CFが投資CFを上回り、フリーCFは66億円に。
財務CFは配当金の支払いや自己株式取得等により、64億円の支出。
営業CF 投資CF 財務CF フリーCF
（億円）
154
204
71 73
66
121
119 115
20
49
△29 △44 △48 △43 △50 △55
△43
△64
△64 △64
###### 26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
営業CF ＋49 ＋119 ＋115 ＋204 ＋121 投資CF △29 △48 △43 △50 △55 財務CF △44 △64 △43 △64 △64
フリーCF ＋20 ＋71 ＋73 ＋154 ＋66 現金及び現金同等物残高 428 438 477 565 570
### 四半期別研究開発費／設備投資額／減価償却費
1Qの研究開発費、設備投資額、減価償却費は計画通り推移。
売上収益の増加に伴い、研究開発費率は5.9%に低下。
###### 研究開発費 設備投資額／減価償却費
（億円） （億円）
60 研究開発費 研究開発費率
- 0%
- 1%
- 2%
- 3%
- 4%
- 5%
- 6%
- 7%
- 8%
- 9%
8.8%
大型設備投資（新工場建設、デモルーム拡張など）
通常設備投資
7.4% 7.4% 7.4%
減価償却費
50
23
32
5.9%
37 39
40
34 35 36
29
13
30
54
48
45
3
42
20
39
28 30
20 20
20
10
0
26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q
研究開発費 39 48 42 54 45
設備投資額計 23 52 40 53 48
売上収益比 7.4% 7.4% 7.4% 8.8% 5.9％
売上収益比 4.4% 8.0% 7.2% 8.6% 6.4％
減価償却費 34 35 36 37 39
売上収益比 6.6% 5.3% 6.5% 6.0% 5.2％
## 2027年3月期連結業績予想・配当予想
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### ハイライト
###### 2027年3月期第1四半期連結決算概要
◼ 半導体デバイス市場は、生成AI用途の高性能なLogicやDRAMを中心に世代交代・生産規模拡大投資が前期に増し
て高水準で推移。NANDは世代交代投資が中心。民生電子機器向けや自動車・産業機器向けの需要回復は緩やか。
◼ 当社1Qは、DRAM、Logic向けを中心とした装置販売、サービス売上の伸長により前年同期比で増収増益。
通期決算発表時の業績予想からは売上・利益ともに上振れて着地。
#### 2027年3月期連結業績予想・配当予想と今後の見通し
◼ 半導体デバイスメーカーは高性能デバイス向けを中心に、世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資への急加速
が続く見通し。
◼ デバイスメーカーの急速な設備投資の拡大に伴い、装置売上が前回予想*1を大きく上回る見通しとなったことから、第
2四半期（中間期）および通期連結業績予想と配当予想を上方修正。
*1 5月13日に2026年3月期決算発表で公表した2027年3月期の業績予想
### 2027年3月期業績・配当予想（変更あり）
通期で売上収益は21％引き上げ前期比45%増加、調整後営業利益は42％引き上げ前期比81％増加、調整
後当期利益は40％引き上げ前期比76％増加、にそれぞれ修正。年間配当予想は前回47円から18円増配し、 65円に引き上げ。
26/3期 27/3期 実績 前回予想 今回予想 上期 下期 通期 上期 下期 通期 上期 前期比 下期 前期比 通期 前期比 前回予想比
（億円）
###### 売上収益 1,172 1,179 2,351 1,523 1,277 2,800 1,610 ＋37.4% 1,790 ＋51.8% 3,400 ＋44. 6% ＋21.4% 売上総利益 495 473 968 641 535 1,176 684 38.2%＋ 778 64.5%＋ 1,462 ＋51.0% ＋24.3%
売上総利益率 42.2% 40.1% 41.2% 42.1% 41.9% 42.0% 42.4% +0.2pts 43.5% +3.4pts 43.0% +1.8pts +1.0pts 調整後営業利益 253 223 476 355 250 605 392 ＋54.7% 467 ＋109.4% 860 ＋80.7% ＋42.1%
調整後営業利益率 21.6% 18.9% 20.2% 23.4% 19.5% 21.6% 24.4% +2.8pts 26.1% +7.2pts 25.3% +5.1pts +3.7pts 調整後当期（半期）利益 174 167 341 250 179 429 278 ＋59.9% 322 ＋92.8% 600 ＋76.0% ＋39.9% 調整後当期（半期）利益率 14.8% 14.2% 14.5% 16.4% 14.0% 15.3% 17.3% +2.5pts 18.0% +3.8pts 17.7% +3.2pts +2.4pts
営業利益 227 191 418 325 220 545 356 ＋56.8% 438 ＋129.3% 794 ＋89.8% ＋45.7% 営業利益率 19.4% 16.2% 17.8% 21.4% 17.2% 19.5% 22.1% +2.7pts 24.5% +8.3pts 23.4% +5.6pts +3.9pts 税引前当期（半期）利益 222 186 407 319 215 534 351 ＋58.4% 432 ＋132.2% 783 ＋92.2% ＋46.6% 税引前当期（半期）利益率 18.9% 15.8% 17.3% 21.0% 16.8% 19.1% 21.8% +2.9pts 24.1% +8.3pts 23.0% +5.7pts +3.9pts 当期（半期）利益 156 145 301 229 159 388 254 ＋63.3% 301 ＋108.3% 555 ＋84.4% ＋43.0% 当期（半期）利益率 13.3% 12.3% 12.8% 15.1% 12.4% 13.9% 15.8% +2.5pts 16.8% +4.5pts 16.2% +3.4pts +2.3pts
###### 1株当たり配当金（円） 18 19 37 23 24 47 32 ＋14 33 ＋14 65 ＋28 ＋18
配当性向
〈調整後当期利益ベース〉 － － 25.3% － － 25.6% － － － － 25.2％ △0.1pts △0.4pts
### 2027年3月期業績予想 前回予想比増減要因
売上収益は、装置売上の大幅な上振れを見込み前回予想比で21％の引き上げ。
調整後営業利益は、販売増加と売上総利益率の上昇を見込み42％の引き上げ。
###### 売上収益 調整後営業利益
3,400
＋100
（億円） （億円）
＋285
＋286
860
＋215
＋0
2,800
△31
|NAND ＋119 DRAM ＋16 Logic/Foundry ＋88 その他 △8|
|---|
|NAND ＋66 DRAM ＋148 Logic/Foundry ＋43 その他 ＋27|
|---|
605
|販売等増加 ＋252 売上総利益率増加 ＋34|
|---|
27/3期 前回予想
27/3期 今回予想
27/3期 前回予想
サービス 27/3期 今回予想
売上総利益 販管費 その他 （調整額含む）
世界各国向け 装置
中国地場向け 装置
### 2027年3月期業績予想 前期比増減要因（変更あり）
売上収益は、世界各国向け装置売上、中国地場向け装置売上、サービス売上のそれぞれが増加し、前期比
45％増加となる見通し。調整後営業利益は、販売増加と売上総利益率の上昇により81％増加の見通し。
###### 売上収益 調整後営業利益
＋106
3,400
＋266
（億円） （億円）
＋678
＋494
＋0
860
###### △110
2,351
|NAND ＋225 DRAM ＋228 Logic/Foundry ＋231<br><br>その他 △6|
|---|
|NAND △15 DRAM ＋215 Logic/Foundry ＋96 その他 △31|
|---|
|販売等増加 ＋433 売上総利益率増加 ＋61|
|---|
476
- 26/3期
サービス 27/3期 今回予想
世界各国向け 装置
中国地場向け 装置
26/3期
27/3期
売上総利益 販管費 その他
通期実績
通期実績
（調整額含む）
今回予想
### 2027年3月期業績予想 アカウント別*1売上収益（変更あり）
世界各国向け売上は、主にNANDとLogic/Foundry向け装置の需要拡大により前回予想比で14％上方修正
し、前期比では49%増加の見通し。中国地場向け売上は、主にDRAM向け装置の需要拡大により前回予想 比で39%上方修正し、前期比では37%増加する見通し。
###### 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益
（億円） （億円）
1,748
1,535
サービス
1,340
その他
1,050
1,010
Logic/Foundry
816
799
709
DRAM
NAND
27/3期 今回予想 世界各国比率 71% 56% 56% 65% 71% 67%
27/3期 前回予想
27/3期 今回予想 中国地場比率 29% 44% 44% 35% 29% 33%
27/3期 前回予想
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
*1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、中国地場デバイスメーカー向け の区分
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### 2027年3月期業績予想 アプリケーション別装置売上収益（変更あり）
###### 前期比でNAND向けは49％増加、DRAM向けは61％増加、Logic/Foundry向けは65％増加、サービス売 上は22％増加とそれぞれ増加の見通し。サービス売上比率は17％の見通し。
3,400
（億円）
17%
2,800
5%
2,457
17%
サービス
2,389 2,351
5%
24%
20%
20% 20%
その他
1,808
11%
25%
11% 9%
Logic/Foundry
21%
20%
24% 21%
13%
DRAM
34%
16%
36%
24%
NAND
31%
36%
30%
33%
19%
18% 16%
11% 10%
27/3期 前回予想
27/3期 今回予想
（億円） 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
サービス売上 485 388 472 480 486 586
装置売上 1,972 1,420 1,916 1,871 2,314 2,814
### 2027年3月期業績予想 仕向地別売上収益（変更あり）
###### 前期比ですべての地域仕向け売上が増加。中国仕向け比率は38%の見通し。
3,400
（億円）
中国
2,800
38%
欧州他
2,457 2,389
2,351
34%
その他アジア
1% 34%
5% 2%
韓国
1,808
47% 39%
2%
4%
台湾
6% 22%
1%
46%
24%
5%
1%
米国
4%
23%
16% 24%
1%
日本
4%
20% 20%
21%
17%
18% 18%
10%
6%
8% 6%
6% 6% 3%
13% 12% 8% 10% 9% 8%
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3期 通期前回予想 27/3期 通期今回予想
海外向け 87% 88% 92% 90% 91% 92% 日本向け 13% 12% 8% 10% 9% 8%
### 2027年3月期業績予想 装置別売上収益（変更あり）
###### 27年3月期の高付加価値製品比率*1は68％となる見通し。 今後デバイスの世代交代によりバッチALD*2対応装置と枚葉トリートメント装置の導入は加速していく見通し。
他
バッチCVD対応装置 ＋バッチ酸化・拡散装置
バッチALD*2対応装置
枚葉トリートメント装置
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3前回予想期 通期 27/3今回予想期 通期 高付加価値
製品比率*1 67% 54% 64% 73% 73% 68%
- *1高付加価値製品比率はバッチALD対応装置と枚葉トリートメント装置を合算した比率です。
- *2当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を 「ALD」と呼んでいます。
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## 今後の見通し
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### 事業環境の見通し
AI関連の需要がデバイスメーカーの設備投資を引き続き強力にけん引、高性能デバイス向け装置需要は
さらに増加する見通し。
半導体製造装置（WFE）市場
###### 半導体デバイス市場
- ■AI関連の需要拡大に伴って、高性能デバイス向け装置への需要は さらに増加。
- ■成熟ノード向け装置への需要は今後の回復に期待。
- ■半導体デバイス市場の拡大に伴い、半導体製造装置市場も中長期的に 大きな成長に期待。
- ■AI関連の需要がデバイスメーカーの設備投資を引き続き強力にけん引。 DRAMを中心に高性能デバイス向けの投資は大きく拡大。
- ■AI関連以外の産業機器向けデバイスの需要は回復局面。
- ■中長期的には、データセンターの拡充への投資、民生電子機器の 需要回復等により、大きな成長に期待。
- 2026年の市場動向
2026年の市場見通し（2025年比）
|⚫ DRAMとNANDはAI市場の拡大で需要が急増し、 価格上昇<br><br>⚫ DRAMはLogic/Foundryと同程度の市場規模に拡大<br><br>⚫ Logic/Foundryは先端向けを中心に継続して需要増加|
|---|
|⚫ 市場全体：+25%以上<br><br>⚫ NAND向け装置市場：+25%前後 ⚫ DRAM向け装置市場：+40%前後 ⚫ Logic/Foundry+その他市場：+20%前後|
|---|
### 中期経営計画のアップデート
24年の中期経営計画策定時から市場環境が大きく変化したことを受け、中期目標の達成時期とアプリケー ション別売上構成比を26年5月13日に見直し。急速な需要拡大に伴い売上収益は2年前倒しで27/3期に達成
見通し。調整後営業利益率は28/3期の達成をめざす。
従来の中期目標*1 見直し後の中期目標
達成時期 WFE市場規模
2029年3月期まで
1,200億ドル以上
###### アプリケーション別売上構成比*3
売上収益 3,300億円以上 3,300億円以上
装置ビジネス
###### 売上比率 75％程度 80％程度
サービス
約40%
サービスビジネス 売上比率 25%程度 20%程度
約50%
Logic/Foudry＋その他
調整後営業利益率*2 30%以上 30%以上 研究開発費 （対売上収益比率） 6%以上 6%以上
DRAM
約40%
NAND
約25%
ROE（参考） 25%以上 25%以上 ROIC（参考） 23%以上 23%以上
約25% 約20%
従来 見直し後
- *1: 中長期事業目標に関して足許の環境や進捗状況を踏まえた現時点における中計の着地見込みを中期事業目標と記載
- *2: 調整後営業利益率 ＝ 調整後営業利益 ÷ 売上収益 調整後営業利益＝営業利益－その他の収益＋その他の費用＋企業結合により識別した無形資産等の償却＋事業再編費用＋株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く）
- *3: 装置売上の比率
### 生産体制について
##### 27/3期の生産稼働率は、上期平均で70％～80%、下期平均で80%以上。28/3期はさらに高まる見通し。WFE市場の急速な変化に対応すべく生産能力を引き続き強化し、充分対応可能な生産体制を維持。
###### 生産能力の増強 生産拠点（日本・韓国）
WFE市場の成長に充分に 対応可能な生産能力
Cheonan Factory
富山事業所
砺波事業所
（2026年4月、生産能力増強
のため隣接地を取得済）
25/3期 26/3期 27/3期 28/3期 29/3期 長期目標
### 株主還元方針に基づく施策について
27/3期業績予想の上方修正により年間配当予想を47円（調整後当期利益ベースの配当性向25.6%）から65
円（同25.2%）へ18円増配。 26/3期業績を受けた自己株式取得は7月27日に完了。消却は8月31日に予定。
#### 株主還元方針について
#### 自己株式の取得と消却について
- ■取得期間 2026年5月14日～2026年7月27日
- ■取得した株式の総数 565,900株
- ■株式の取得価額の総額 5,299,480,480円
- ■取得の方法 株式会社東京証券取引所における市場買付
- ■消却する株式の総数 565,900株
- ■消却予定日 2026年8月31日
- ■ 連結配当性向20%から30%程度を目安に剰余金の配当
- ■ ネットキャッシュ*1がプラスに転換後、有利子負債分割償還後フリー・ キャッシュ・フロー*2の70％程度に相当する金額を配当及び自己株式取得 に充当。取得した自己株式は消却を原則とする*3
- ■ 配当と自己株式取得を合わせた総還元性向は、中期目標達成時に約50％ を見込む
年間配当について
2027年3月期 今回予想
2027年3月期
| |
|---|
（参考）
前回予想
| |発行済株式総数|保有自己株式数|
|---|---|---|
|2026年7月31日時点|238,115,614株|4,731,768株|
|2026年8月31日時点*4|237,549,714株|4,165,868株|
47円 65円
|中間配当32円 期末配当33円|
|---|
|中間配当23円 期末配当24円|
|---|
- *1:ネットキャッシュ=現金及び現金同等物－有利子負債
- *2：有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー＝営業活動によるキャッシュ・フロー ＋投資活動によるキャッシュ・フロー－有利子負債の分割償還額
- *3: ただし、株式報酬制度等により活用が見込まれる発行済株式総数の1%を上限に保有
- *4:自己株式消却後。ただし、8月1日以降の株式報酬付与等は含まず
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### まとめ
###### 半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により高付加価値製品の適用機会が拡大、 技術的優位性を生かして市場成長を上回る事業拡大の持続をめざす。
|2024|2025|2026|2027|2028|2029|2030|2031|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|デ バ イ ス<br><br>ロ ー ド マ ッ プ|
|---|
NAND
###### ＞400 Layers ＞600 Layers
＞200 Layers
3D Stacked
Advanced 2D DRAM
DRAM
D1a/D1b D1c D1d VCT DRAM
DRAM
GAA
Logic
Fin-FET
CFET
2nm 1.4～0.7nm
短期
###### 中期 長期
- ◼ AI需要による高性能DRAM、Logic/Foundryの投資拡大を背景に、高付加価値製品の適用機会が拡大。
- ◼ NANDは世代交代投資の継続により高付加価値製品の需要増加、生産規模拡大にも期待。
- ◼ 競争優位性のある成膜技術をアドバンスドパッケージ分野で活用、新規PORを獲得。
- ◼ 出荷台数の増加によるインストールベースの台数増加で、サービスビジネス拡大に期待。
|当 社<br><br>カ タ リ ス ト|
|---|
- ◼ CFET、VCT DRAM、3D Stacked DRAM、600層以上 NANDへの世代交代に伴う需要拡大。
- ◼ アドバンスドパッケージ分野の拡大と新規需要の開拓。
短期～中期 長期
|事 業 環 境|
|---|
- ◼ NAND
- ◼ NAND
• 世界各国向けは600層以上の世代交代に向けた投資が 活発化、生産規模拡大投資も継続。
- ◼ DRAM
• VCT DRAM、3D Stacked DRAMへの世代交代、生産 規模拡大に向けた投資が活発化。
- ◼ Logic/Foundry+その他
◼ NAND
- • 世界各国向けは世代交代投資が継続（200～400 層）し、生産規模拡大投資の再開に期待。
- • 中国地場向けは端境期も2026年後半から投資再開。
◼ DRAM
- • AI需要の拡大により、世代交代、生産規模拡大に向 けた投資が継続。 ■Logic/Foundry＋その他
- • 世代交代、生産規模拡大投資が継続。
- • 中国地場向けは、大手メーカーによる投資が継続。
- • 世界各国向けは世代交代投資が継続（400～600 層）、AI需要により生産規模拡大投資が再開。
- • 中国地場向けは世代交代投資が中心となる見通し。
- ◼ DRAM
• D1d～VCT DRAM、への世代交代、生産規模拡大 に向けた投資が活発化。
- ◼ Logic/Foundry+その他
- • GAA 2nm、1.4nmへの世代交代、生産規模拡大 投資の活発化。Fin FET 3nmへの投資拡大。
- • アドバンスドパッケージ市場の拡大。
- • CFETへの世代交代、生産規模拡大投資が活発化。
- • アドバンスドパッケージ市場のさらなる拡大。
## Appendix
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### 2027年3月期第1四半期の主な活動報告
- ◼ TechInsightsの顧客満足度調査「Global Semiconductor Supplier Awards」で 「Top 10 Customer Service」を29年連続で受賞。（26/5）
- ◼ ALD/ALE2026で招待講演およびポスター発表。（26/6）
- ◼ 砺波事業所に隣接する土地を新たに取得することを決定。（26/4）
- ◼ 「MEMS Engineer FORUM 2026」に出展。（26/4）
- ◼ 2025年度で縦型装置の累計出荷台数が20,000台を突破。（26/4）
経営・事業活動
TechInsightsの顧客満足度調査で 「Top 10 Customer Service」を29年連続で受賞
- ◼ ESG投資の主要指数「FTSE 4 Good Index Series」、「FTSE JPX Blossom Japan Index」、「FTSE JPX Blossom Japan Sector Relative Index」の構成銘柄に選定。 （26/6）
- ◼ 保育所施設で青空環境教室を開催。（26/5）
- ◼ CDP2025「サプライヤーエンゲージメント評価」で2年連続最高評価を獲得。（26/5）
- ◼ ISS STOXXの「ESGコーポレートレーティング」で「Prime」評価に初認定。（26/5）
- ◼ 富山県砺波市で開催された「2026となみチューリップフェア」に協賛。（26/4）
###### ESGの取り組み
CDP2025「サプライヤーエンゲージメント評価」で 2年連続最高評価を獲得
### 2027年3月期業績予想 アカウント別*1上下別売上収益
###### 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益
###### （億円） （億円）
###### 844
サービス
###### 690
その他
###### 482
Logic/Foundry
334
DRAM
NAND
27/3期 上期 前回予想
27/3期 下期 前回予想
27/3期 上期 今回予想
27/3期 下期 今回予想
27/3期 上期 前回予想
27/3期 下期 前回予想
27/3期 上期 今回予想
27/3期 下期 今回予想
26/3期 上期 26/3期 下期
26/3期 上期 26/3期 下期
世界各国
中国地場
比率 59% 72% 68% 75% 70% 65%
###### 比率 41% 28% 32% 25% 30% 35%
*1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、中国地場デバイスメー カー向けの区分
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### 損益計算書及び研究開発費、設備投資額、減価償却費
|（百万円）|26/3期| | | | |27/3期|
|---|---|---|---|---|---|---|
| |1Q|2Q|3Q|4Q|通期|1Q|
|売上収益|51,789 65,416 55,852 62,021 235,079 75,414| | | | | |
|売上総利益<br><br>売上総利益率|22,220 27,277 22,883 24,430 96,810 30,678<br><br>42.9% 41.7% 41.0% 39.4% 41.2% 40.7%| | | | | |
|調整後営業利益<br><br>調整後営業利益率|10,902 14,439 11,290 10,965 47,596 17,371<br><br>21.1% 22.1% 20.2% 17.7% 20.2% 23.0%| | | | | |
|調整後当期（四半期）利益<br><br>調整後当期（四半期）利益率|7,598 9,785 8,292 8,420 34,095 12,548<br><br>14.7% 15.0% 14.8% 13.6% 14.5% 16.6%| | | | | |
|営業利益|9,717 12,993 9,809 9,317 41,836 15,926|
|---|---|
|営業利益率|18.8% 19.9% 17.6% 15.0% 17.8% 21.1%|
|税引前当期（四半期）利益|9,322 12,840 9,412 9,165 40,739 15,742|
|税引前当期（四半期）利益率|18.0% 19.6% 16.9% 14.8% 17.3% 20.9%|
|当期（四半期）利益|6,776 8,782 7,264 7,277 30,099 11,558|
|当期（四半期）利益率|13.1% 13.4% 13.0% 11.7% 12.8% 15.3%|
|研究開発費|3,851 4,821 4,159 5,427 18,258 4,462|
|---|---|
|設備投資額|2,302 5,208 4,015 5,337 16,862 4,830|
|減価償却費|3,417 3,498 3,629 3,734 14,279 3,931|
### 調整後利益等の計算における調整項目
26/3期 27/3期
（百万円） 1Q 2Q 3Q 4Q 通期 1Q
営業利益 9,717 12,993 9,809 9,317 41,836 15,926 －その他の収益 △304 △83 △70 △51 △508 △56 ＋その他の費用 18 53 74 223 368 21 （調整額）
＋企業結合により識別した無形資産等の償却*1 1,476 1,476 1,477 1,476 5,905 1,476 ＋事業再編費用 - - - - - 4 ＋株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く） △5 - - - △5 -
調整額 計 1,471 1,476 1,477 1,476 5,900 1,480 調整後営業利益 10,902 14,439 11,290 10,965 47,596 17,371
当期（四半期）利益 6,776 8,782 7,264 7,277 30,099 11,558 －その他の収益 △304 △83 △70 △51 △508 △56 ＋その他の費用 18 53 74 223 368 21 （調整額）
＋企業結合により識別した無形資産等の償却*1 1,476 1,476 1,477 1,476 5,905 1,476 ＋事業再編費用 - - - - - 4 ＋株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く） △5 - - - △5 -
－調整項目に対する税金調整額 △363 △443 △453 △505 △1,764 △455 調整後当期（四半期）利益 7,598 9,785 8,292 8,420 34,095 12,548
*1：26/3期末時点で技術関連資産の帳簿価格は5,649百万円、残存償却期間は2年 26/3期末時点で顧客関係資産の帳簿価格は38,740百万円、残存償却期間は12年
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### 貸借対照表及び主要財務指標
27/3期 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末
26/3期
27/3期 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末
26/3期
（百万円）
（百万円）
負債 流動負債 借入金＋リース負債 11,956 12,044 12,161 12,373 12,462 営業債務及びその他の債務 24,574 25,658 26,361 25,354 31,476 契約負債 25,069 21,704 27,666 34,840 32,844 その他 17,991 18,687 15,263 18,162 19,639 流動負債合計 79,590 78,093 81,451 90,729 96,421
資産 流動資産 現金及び現金同等物 42,766 43,806 47,728 56,543 56,974 営業債権及びその他の債権 39,087 38,066 36,152 37,941 42,223 棚卸資産 89,626 89,326 92,758 88,890 93,702 その他 2,038 2,065 2,905 2,465 2,467 流動資産合計 173,517 173,263 179,543 185,839 195,366
非流動負債 借入金＋リース負債 48,339 42,365 43,681 37,492 37,927 その他 14,663 14,553 14,131 12,167 11,641 非流動負債合計 63,002 56,918 57,812 49,659 49,568
非流動資産 有形固定資産 47,220 50,214 51,916 53,975 56,370 のれん 59,065 59,065 59,065 59,065 59,065 無形資産 53,182 52,013 51,321 50,900 49,978 その他 8,524 8,765 10,262 9,879 10,110 非流動資産合計 167,991 170,057 172,564 173,819 175,523
142,592 135,011 139,263 140,388 145,989 198,916 208,309 212,844 219,270 224,900 341,508 343,320 352,107 359,658 370,889
負債合計 資本合計 負債及び資本合計
341,508 343,320 352,107 359,658 370,889
資産合計
26/3期
27/3期 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末
58.2% 60.7% 60.4% 61.0% 60.6% 0.3 0.3 0.3 0.2 0.2 △ 17,529 △ 10,603 △ 8,114 6,678 6,585
自己資本比率 D/Eレシオ
ネット・キャッシュ（百万円）
### キャッシュ・フロー計算書
（百万円） 26/3期 27/3期
1Q 2Q 3Q 4Q 通期 1Q
営業活動によるキャッシュ・フロー 4,923 11,936 11,538 20,404 48,801 12,127
投資活動によるキャッシュ・フロー △ 2,942 △ 4,789 △ 4,263 △ 4,960 △ 16,954 △ 5,520
フリー・キャッシュ・フロー 1,981 7,147 7,275 15,444 31,847 6,607
財務活動によるキャッシュ・フロー △ 4,423 △ 6,373 △ 4,339 △ 6,379 △ 21,514 △ 6,446
現金及び現金同等物の期首残高 44,755 42,766 43,806 47,728 44,755 56,543
現金及び現金同等物の四半期末残高 42,766 43,806 47,728 56,543 56,543 56,974
### 貸借対照表（5月13日公表）
###### 当期末の資産合計は、現金等の増加、米国デモセンター設立に伴う投資等による有形固定資産の増加により 前期末比で181億円増加。資本合計は利益剰余金の増加等により、前期末比で231億円増加。
###### 資産 負債・資本
（億円） （億円）
3,735 3,754 3,735 3,754
3,597 3,597
3,415 3,415
現金及び現金同等物
499
565
992 930
926
1,061
448
602
有利子負債 （借入金＋リース負債）
営業債権及び その他の債権
379
602
428
320
594 461
棚卸資産
506
711 303
営業債務及びその他の債務 ＋契約負債
889
391
877 832
356
有形固定資産
672
424
その他
188 354 469 540
無形資産
2,193
資本
630 570 541 509
のれん
1,874 1,962
1,609
その他
591 591 591 591
89 117 106 123
### 自己資本比率＆現金及び現金同等物／有利子負債（5月13日公表）
###### 当期末の自己資本比率は61%に上昇。現金等の増加に加え借入金の返済による有利子負債の減少により ネットデットを解消し、当期末のネットキャッシュは66億円に。
###### 資産合計／資本合計／自己資本比率 現金及び現金同等物／有利子負債
（億円） （億円）
資産合計 資本合計 自己資本比率
現金及び現金同等物 有利子負債
80%
3,735 3,754
3,597
1,061
3,415
992
70%
930
926
61.0%
60%
57.4%
50%
49.9%
2,193 43.1%
602
1,874 1,962
565
40%
499
1,609
448
30%
- 1,000
- 1,500
- 2,000
- 2,500
- 3,000
- 3,500
- 4,000
20%
500
10%
0
0%
### キャッシュ・フロー（5月13日公表）
営業CFが投資CFを上回り、フリーCFは318億円の収入。 財務CFは借入金の返済と配当金の支払いによる支出等により、215億円の支出。
営業CF 投資CF 財務CF フリーCF
（億円）
318
222
488
385
108
300
29
△63
△90
△78
△120
△170
△215
△251
△277
△581
###### （億円） 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
営業CF 300 29 385 488 投資CF △78 △120 △277 △170 財務CF △251 △63 △581 △215
フリーCF 222 △90 108 318 現金及び現金同等物残高 1,061 926 448 565
### 研究開発費／設備投資／減価償却費（5月13日公表）
###### 中長期的な需要拡大を見据え、中計に沿って研究開発投資、設備投資を実施。 研究開発費は前期比2割増。設備投資は前期比2割減、減価償却費は前期比1割増。
研究開発費 設備投資／減価償却費
|200 180|研究開発費<br><br>研究開発比率| | |7.8%|9.0%<br><br>8.0%|
|---|---|---|---|---|---|
|160 （億|円）|7.0%|6.5%| |7.0%|
|140 120|5.1%| | | |6.0%<br><br>5.0%|
|100 80| | |156|183|4.0%|
|60|124|127| | |3.0%|
|40| | | | |2.0%|
|20| | | | |1.0%|
|0| | | | |0.0%|
| |23/3期|24/3期|25/3期|26/3期| |
大型設備投資（新工場建設、デモルーム拡張など）
通常設備投資
減価償却費
205
203
（億円）
###### 169
143
126
109
103 71
133
140
66
21
98
64 70
45
23/3期 24/3期 25/3期 26/3期
### ビジネス区分の変更（5月13日公表）
2027年3月期より、ビジネス区分を変更。これまでサービスビジネスに属していた「200mm装置の販売」と「中 古装置の販売」、 「アップグレード改造」を装置ビジネスに移管。よりWFE市場と連動した開示区分へ。
| |2026年3月期|
|---|---|
|300mm装置の販売|装置ビジネス|
|200mm装置の販売|サービスビジネス|
|中古装置の販売| |
|アップグレード改造| |
|その他の改造・移設| |
|部品販売| |
|保守サービス・有償修理他| |
|2027年3月期|
|---|
|装置ビジネス|
|サービスビジネス|
### マーケットシェアの推移（5月13日公表）
###### CY25は、バッチ成膜装置市場においてトップシェアを獲得。 バッチALD*1対応装置シェアは80%に到達、枚葉トリートメント装置（Plasma Gate Modification Tools）もトップシェアを維持*2。
|49.2%<br><br>41.1%<br><br>41.3%<br><br>11.8%<br><br>10.7%<br><br>36.4%<br><br>A社<br><br>D社<br><br>A社<br><br>B社 6.4%<br><br>Others<br><br>（CY25） Gartnerの分類に基づく市場シェア*3<br><br>Tube (Batch)*2 RTP and Oxidation/Diffusion<br><br>C社 3.2%|
|---|
###### バッチALD*4対応装置の市場規模と当社シェア
###### バッチ成膜装置
2023 2024
バッチALD*4 対応装置
- US$0.1B*5
40～50%*5
2025
- US$1.0B*5
US$0.6B*5 US$0.8B*5
バッチCVD 対応装置
###### ～70%*5 ＞70%*5
>80%*5
###### トリートメント装置 Plasma Gate Modification Toolsの市場規模と当社シェア
2025
2023 2024
Plasma Gate Modification Tools
US$0.1B*5 US$0.2B*5
Others
Deposition Treatment
～50%*5 ＞50%*5
市場規模*4 US$1.9B RTP and Oxidation/Diffusion
US$2.8B
*1 当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。 *2 GartnerによるWFEセグメントにおける「Tube CVD」を「Tube (Batch)」と定義（当社にて算出） *3 出典：Gartner®, Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2025, Bob Johnson et al. Published 2 April 2026 図はガートナーリサーチに基づき、Kokusai Electricが作成。ここに記載のある数値は、Kokusai Electricにより算出されたものです。Treatment（トリートメント装置）: RTP and Oxidation/Diffusion。GARTNERは、Gartner Inc.または関連会社の米国およびその他の国における登録商標およびサービスマークであり、同社の許可に基づいて使用しています。All rights reserved. Gartnerは、Gartnerリサーチの発行物に掲載された特定のベンダー、製品またはサービスを推奨するものではありません。また、最高のレーティング又はその他の評価を得たベンダーのみを選択するようにテクノロジーユーザーに助言するものではありません。Gartnerリサーチの発行物は、Gartnerリサーチの見解を表したものであり、事実を表現したものではあ りません。Gartnerは、明示または黙示を問わず、本リサーチの商品性や特定目的への適合性を含め、一切の責任を負うものではありません。本書に記載するGartnerのコンテント (以下「Gartnerコンテント」) は、Gartnerシンジケート・サブスクリプション・サービスの一部としてGartner, Inc.(以下「Gartner」)が発行したリサーチ・オピニオンまたは見解を表すものであり、事実を 述べているものではありません。Gartnerコンテントの内容はいずれも、そのコンテントが発行された当時の内容であり、本書が発行された日の内容ではありません。また、Gartnerコンテントに記載されている見解は予告なく変更されることがあります。 *4 Gartnerによるカテゴリーの合計値 *5 公開情報・当社売上高に基づき当社推定
### 砺波事業所に隣接する土地の取得を決定（5月13日公表）
###### 2031年以降のさらなる市場拡大を見越して、富山県砺波市が所有する砺波事業所に隣接する土地の取得を 決定。生産や研究開発など当社グループにおけるさまざまな取り組みに寄与する見込み。
購入を決定した 隣接地
砺波事業所
|所在地|高岡砺波スマートIC柳瀬 第2団地|
|---|---|
|敷地面積|約43,000㎡|
|取得価額|約10億円|
### 用語集
- ◼ バッチ処理装置：多数のウェーハを一括処理する装置
- ◼ 枚葉トリートメント装置：ウェーハを１枚単位で処理する枚葉方式により成膜後の膜質を改善する装置
- ◼ ALD：Atomic Layer Depositionの略 当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を 「ALD」と呼んでいます。
- ◼ CVD:Chemical Vapor Depositionの略
- ◼ CFET:Complimentary Field Effect Transistorの略
- ◼ FinFET:Fin Field Effect Transistorの略
- ◼ GAA:Gate All Aroundの略
- ◼ HBM:High Bandwidth Memoryの略
- ◼ POR ：Process of Recordの略で、顧客の半導体製造プロセスにおける製造装置認定を指す。
- ◼ TAM：Total Addressable Marketの略
- ◼ VCT:Vertical Channel Transistorの略
- ◼ WFE：Wafer Fab Equipmentの略
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决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。