无锡新洁能股份有限公司Codex · 实盘不做把握 3/10
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新洁能发布第八代IGBT系列产品介绍
公司自有公众号介绍Gen.8 IGBT参数、量产工艺和应用场景，事件本身偏正面但属于公司产品宣传。
📄 原文无锡新洁能股份有限公司↗ 原文
新洁能Gen.8 系列1200V/140A IGBT 产品介绍
新洁能最新推出的第八代IGBT（Gen.8 IGBT）系列，实现了最佳的饱和压降（V CE(sat) ）和开关损耗（E on 、E off ）折中特性。该系列采用超高密度微沟槽栅架构，显著提升器件结构密度，有效降低导通损耗；同时通过器件漂…
不做 新洁能（605111.SH）
公司自有公众号产品宣传，未披露订单、客户导入、收入或利润增量；事件已过去6天，短线交易edge不足，不做。
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研究档案
🔎 新鲜度:最早出现 2026-07-17 · 扩散 medium · price-in 风险 high ↗
关键理由
- 公司自有公众号介绍Gen.8 IGBT参数、量产工艺和应用场景，事件本身偏正面但属于公司产品宣传。
- 未披露订单、客户导入、收入贡献、产能爬坡或毛利改善数据，无法形成短周期可量化重定价。
主要风险
- 信号距事件已超过6天，且为公司自有渠道产品宣传，传播和交易窗口均已弱化。
- IGBT新品参数对标竞品不等于商业化放量，缺少客户验证和业绩量级。
原文全文
展开原文 · 1,059 字
新洁能最新推出的第八代IGBT（Gen.8 IGBT）系列，实现了最佳的饱和压降（V
CE(sat)
）和开关损耗（E
on
、E
off
）折中特性。该系列采用超高密度微沟槽栅架构，显著提升器件结构密度，有效降低导通损耗；同时通过器件漂移区和缓冲层的设计创新，实现了开关损耗和关断应力的双重优化，能够在实际应用中兼顾系统效率和应用裕量。
本文以Gen.8系列中的一款典型产品——NCE140GD120VTP4为例，介绍该系列的主要特点。该器件额定电压1200V，100°C 条件下额定电流140A，采用TO-247Plus-4L封装，适用于光伏逆变、储能、UPS、充电桩等绿色新能源及高能效应用场景。
下表为该产品与同规格业界最优竞品在相同条件、相同设备下的实测参数对比：
从实测数据，NCE140GD120VTP4具备：
更低导通损耗：饱和压降V
CE(sat)
较竞品降低约8.6%，可有效降低系统长期运行功耗；
更快开关速度与更低开关损耗：更小的输入电容 C
ies
与栅极电荷 Q
g
（仅为竞品的 54%），开关损耗E
ts
较竞品低10%左右，进一步提升系统应用频率上限。
更高系统安全裕量：高母线电压工况下关断电压尖峰V
CEpeak
更低，为系统设计预留更大的安全裕量。
此外，该产品基于 12 英寸晶圆制程量产，工艺稳定性更优，充分保障器件参数一致性，为器件并联和批量应用提供坚实保障。
产品优势
● -40℃~175℃全温度范围V
(BR)CES
大于额定耐压
● 100% I
cpuls
关断测试
● 可以通过更严苛的HV-H3TRB考核
● 更低的导通损耗，卓越的开关损耗
● 极低的关断V
CEpeak
尖峰
应用领域
● 光伏逆变
● 储能
● UPS
新洁能 Gen.8 系列 IGBT 还将陆续推出更多规格型号，覆盖 650V、750V、1000V、1200V、1400V、1700V 六个电压平台。针对不同应用领域的差异化需求，相同电流/电压规格下亦提供多个子系列供选择。例如，与 NCE140GD120VTP4 同电流/电压规格的 S 系列（型号 NCE140GS120VTP4），专门面向储能等对二极管浪涌能力要求较高的应用，进一步增强了续流二极管的浪涌承受能力。
该产品的发布不仅是单一型号的参数升级，更标志着新洁能 Gen.8 IGBT技术进入成熟量产阶段，性能可直接对标甚至超越国际最优竞品。
命名规则
关注我们
无锡新洁能股份有限公司
WWW.NCEPOWER.COM
CE(sat)
）和开关损耗（E
on
、E
off
）折中特性。该系列采用超高密度微沟槽栅架构，显著提升器件结构密度，有效降低导通损耗；同时通过器件漂移区和缓冲层的设计创新，实现了开关损耗和关断应力的双重优化，能够在实际应用中兼顾系统效率和应用裕量。
本文以Gen.8系列中的一款典型产品——NCE140GD120VTP4为例，介绍该系列的主要特点。该器件额定电压1200V，100°C 条件下额定电流140A，采用TO-247Plus-4L封装，适用于光伏逆变、储能、UPS、充电桩等绿色新能源及高能效应用场景。
下表为该产品与同规格业界最优竞品在相同条件、相同设备下的实测参数对比：
从实测数据，NCE140GD120VTP4具备：
更低导通损耗：饱和压降V
CE(sat)
较竞品降低约8.6%，可有效降低系统长期运行功耗；
更快开关速度与更低开关损耗：更小的输入电容 C
ies
与栅极电荷 Q
g
（仅为竞品的 54%），开关损耗E
ts
较竞品低10%左右，进一步提升系统应用频率上限。
更高系统安全裕量：高母线电压工况下关断电压尖峰V
CEpeak
更低，为系统设计预留更大的安全裕量。
此外，该产品基于 12 英寸晶圆制程量产，工艺稳定性更优，充分保障器件参数一致性，为器件并联和批量应用提供坚实保障。
产品优势
● -40℃~175℃全温度范围V
(BR)CES
大于额定耐压
● 100% I
cpuls
关断测试
● 可以通过更严苛的HV-H3TRB考核
● 更低的导通损耗，卓越的开关损耗
● 极低的关断V
CEpeak
尖峰
应用领域
● 光伏逆变
● 储能
● UPS
新洁能 Gen.8 系列 IGBT 还将陆续推出更多规格型号，覆盖 650V、750V、1000V、1200V、1400V、1700V 六个电压平台。针对不同应用领域的差异化需求，相同电流/电压规格下亦提供多个子系列供选择。例如，与 NCE140GD120VTP4 同电流/电压规格的 S 系列（型号 NCE140GS120VTP4），专门面向储能等对二极管浪涌能力要求较高的应用，进一步增强了续流二极管的浪涌承受能力。
该产品的发布不仅是单一型号的参数升级，更标志着新洁能 Gen.8 IGBT技术进入成熟量产阶段，性能可直接对标甚至超越国际最优竞品。
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决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。