联讯仪器Codex · 实盘不做把握 3/10
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联讯仪器发布SiC裸芯片KGD双芯片测试座并行测试方案介绍
本文是联讯仪器自家公众号对PB6800及SiC测试方案的产品宣传，未披露订单、客户导入、收入增量或量产验收节点。
📄 原文联讯仪器↗ 原文
联讯课堂 | 赋能SiC大规模量产：KGD双芯片测试座并行测试
SEMIGHT “ 赋能SiC大规模量产 KGD双芯片测试座并行测试 行业背景与产能瓶颈 随着电动汽车（EV）产业发展，碳化硅（SiC）已成为牵引逆变器的核心部件。但在实际量产中，行业正面临以下严峻挑战： 静态测试盲区 ：传统DC测试难以…
不做 联讯仪器（688808.SH）
公司自家公众号产品宣传，未披露订单金额、客户导入、收入增量或验收节点，且事件已偏旧，无法形成正期望交易。
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研究档案
🔎 新鲜度:最早出现 2026-07-17 · 扩散 low · price-in 风险 high ↗
关键理由
- 本文是联讯仪器自家公众号对PB6800及SiC测试方案的产品宣传，未披露订单、客户导入、收入增量或量产验收节点。
- 事件距发生已约144小时，且抓取较晚；即便方向偏正面，也缺少短周期可交易的新增预期差。
- 高端测试设备与SiC量产主题相关，但本文没有形成可验证的公司级增量催化。
主要风险
- 若后续出现明确客户订单、量产验收或中标金额披露，需要按新事件重新评估。
- 仅凭技术参数宣传追多，容易落入超前叙事和已知业务介绍的无效催化。
原文全文
展开原文 · 1,305 字
SEMIGHT
“
赋能SiC大规模量产
KGD双芯片测试座并行测试
行业背景与产能瓶颈
随着电动汽车（EV）产业发展，碳化硅（SiC）已成为牵引逆变器的核心部件。但在实际量产中，行业正面临以下严峻挑战：
静态测试盲区
：传统DC测试难以排查亚微米级缺陷，仅10%的对准偏差就会导致短路耐受时间（SCWT）缩短0.5 µs。
微秒级生死线
：SiC的短路存活时间仅为2至7 µs，超时极易引发热失控或器件瞬间烧毁。
成本与标准双重施压
：为消除2%至3%的现场故障，汽车行业强制要求动态测试；在裸晶（KGD）阶段提前筛选，更能避免高达3倍的封装沉没成本。
1500 UPH产能天花板
：面对规模化量产（HVM）需求，上一代单芯片分选机受限于机械结构，产能上限仅约1500 UPH，亟需全新架构破局。
核心技术与破局方案
为打破这一产能瓶颈，联讯仪器PB6800引入了下一代高并行度双芯片架构与混合式转塔-轨道设计：
高并行双芯片架构
：6工位并行的双芯片插座（Dual-die sockets）允许每次下压测试两颗芯片，
测试吞吐量大幅提升，充分满足规模化量产需求。
混合式转塔-轨道设计
：成功实现“工位解耦”——转塔专职快速上下料与分选，线性轨道负责驱动高速电气测试，确保芯片在测试前达到完全的热平衡。
极致硬连接（Hard-Docking）
：测试机与分选机刚性对接，消除线缆环路，将交流杂散电感严格控制在40 nH以下，有效防止破坏性的电压过冲。
充氮防弧插座
：采用密封的N
2
充气微环境提升击穿阈值，消除3000 V高压扫描测试中的电弧放电，保持干燥且无探针污染。
测试结果与产能飞跃
通过系统优化与周期解耦，全新的测试架构实现了质的飞跃：
基于0.7秒的测试时间，稳定实现了4000 UPH的超高吞吐量。
实现与多种载体
（Wafer, Tape & Reel, Tray）
的无缝集成，并可提供6个T&R输出。
高度集成了6面自动光学检测（AOI）及自动插座清洁、更换等功能，实现了全自动化的高效运转。
总结
双芯片插座使测试密度翻倍，硬连接将环路电感保持在40 nH以下，充氮微环境消除了高压放电，混合式设计成功隔离了机械瓶颈。这一系列创新打破了3000 UPH的产能壁垒，确立了4000 UPH的全新标准
，为电动汽车牵引逆变器，
提供了一套稳定、满足零缺陷要求的SiC裸芯片量产筛选标准。
关于联讯
作为国内高端测试仪器与设备供应商，联讯聚焦高速通信、光芯片及半导体晶圆芯片测试领域，已形成“仪器+设备+解决方案”的完整生态，2026年在上海证券交易所上市，股票代码688808。其产品矩阵包括:
高速测试仪表: 采样示波器、时钟恢复单元、误码仪、波长计、精密源表等
光芯片测试设备: 激光器CoC老化、裸芯片测试、硅光晶圆测试系统等
半导体测试设备: SiC晶圆老化、SiC裸芯片KGD测试分选、WAT晶圆参数测试系统
行业解决方案: 1.6T光互连测试方案、CPO测试等行业解决方案，全面满足客户多元化需求。
更多产品详情，请访问www.semight.com
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赋能SiC大规模量产
KGD双芯片测试座并行测试
行业背景与产能瓶颈
随着电动汽车（EV）产业发展，碳化硅（SiC）已成为牵引逆变器的核心部件。但在实际量产中，行业正面临以下严峻挑战：
静态测试盲区
：传统DC测试难以排查亚微米级缺陷，仅10%的对准偏差就会导致短路耐受时间（SCWT）缩短0.5 µs。
微秒级生死线
：SiC的短路存活时间仅为2至7 µs，超时极易引发热失控或器件瞬间烧毁。
成本与标准双重施压
：为消除2%至3%的现场故障，汽车行业强制要求动态测试；在裸晶（KGD）阶段提前筛选，更能避免高达3倍的封装沉没成本。
1500 UPH产能天花板
：面对规模化量产（HVM）需求，上一代单芯片分选机受限于机械结构，产能上限仅约1500 UPH，亟需全新架构破局。
核心技术与破局方案
为打破这一产能瓶颈，联讯仪器PB6800引入了下一代高并行度双芯片架构与混合式转塔-轨道设计：
高并行双芯片架构
：6工位并行的双芯片插座（Dual-die sockets）允许每次下压测试两颗芯片，
测试吞吐量大幅提升，充分满足规模化量产需求。
混合式转塔-轨道设计
：成功实现“工位解耦”——转塔专职快速上下料与分选，线性轨道负责驱动高速电气测试，确保芯片在测试前达到完全的热平衡。
极致硬连接（Hard-Docking）
：测试机与分选机刚性对接，消除线缆环路，将交流杂散电感严格控制在40 nH以下，有效防止破坏性的电压过冲。
充氮防弧插座
：采用密封的N
2
充气微环境提升击穿阈值，消除3000 V高压扫描测试中的电弧放电，保持干燥且无探针污染。
测试结果与产能飞跃
通过系统优化与周期解耦，全新的测试架构实现了质的飞跃：
基于0.7秒的测试时间，稳定实现了4000 UPH的超高吞吐量。
实现与多种载体
（Wafer, Tape & Reel, Tray）
的无缝集成，并可提供6个T&R输出。
高度集成了6面自动光学检测（AOI）及自动插座清洁、更换等功能，实现了全自动化的高效运转。
总结
双芯片插座使测试密度翻倍，硬连接将环路电感保持在40 nH以下，充氮微环境消除了高压放电，混合式设计成功隔离了机械瓶颈。这一系列创新打破了3000 UPH的产能壁垒，确立了4000 UPH的全新标准
，为电动汽车牵引逆变器，
提供了一套稳定、满足零缺陷要求的SiC裸芯片量产筛选标准。
关于联讯
作为国内高端测试仪器与设备供应商，联讯聚焦高速通信、光芯片及半导体晶圆芯片测试领域，已形成“仪器+设备+解决方案”的完整生态，2026年在上海证券交易所上市，股票代码688808。其产品矩阵包括:
高速测试仪表: 采样示波器、时钟恢复单元、误码仪、波长计、精密源表等
光芯片测试设备: 激光器CoC老化、裸芯片测试、硅光晶圆测试系统等
半导体测试设备: SiC晶圆老化、SiC裸芯片KGD测试分选、WAT晶圆参数测试系统
行业解决方案: 1.6T光互连测试方案、CPO测试等行业解决方案，全面满足客户多元化需求。
更多产品详情，请访问www.semight.com
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决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。