广发海外Tech研究交流群8 · MJ荆子淇V2 · 实盘可交易 · 做多市场:美股▼ 亏 -7.18% · 已结算把握 5/10
北京时间·🕒 发布 06-25 18:19:27时区推断·⟳ 抓取 06-25 20:26:08回填·⚡ 决策 06-26 15:53:52·122.9 天前
美光FY3Q26业绩大幅超预期(EPS $25.11/+24%,FY4Q指引$50B),广发卖方更新版点评,股价已 +15.74% 跳涨贴近52周高
业绩与指引大幅超预期(EPS $25.11 vs $20.20 +24%;FY4Q指引$50B vs 买方$46.4B),且结构性存储超级周期成立——KB确认HBM缺口2027扩至~9%[12][15]、DRAM fab稼动>90%[10]、MU仅能满足关键客户50-67%需求[13],多头逻辑硬。
📄 原文广发海外Tech研究交流群8 · MJ荆子淇
美光FY3Q26业绩大幅超预期，营收415亿美元，Non-GAAP毛利率84.9%；FY4Q26指引显著优于市场；传统存储DRAM/NAND涨价持续超预期，2027年HBM价格有望翻倍；上调目标价至2021美元 《广发海外电子通信》 ☄️…
▼ 亏 -7.18%入场 06-25 盘前首笔 @1,223 → 离场 06-26 常规开盘 @1,139
日 K 取自复盘打分切片 · 蓝点/蓝虚线 = 纸面入场价 · 灰虚线 = 纸面离场 · 持有期红底 = 赚(价格在入场线上方)、绿底 = 亏
💡 交易逻辑业绩与指引大幅超预期(EPS $25.11 vs $20.20 +24%;FY4Q指引$50B vs 买方$46.4B),且结构性存储超级周期成立——KB确认HBM缺口2027扩至~9%[12][15]、DRAM fab稼动>90%[10]、MU仅能满足关键客户50-67%需求[13],多头逻辑硬。
怎么买 回调买入 回落到 1130 才买、2 个交易日内有效
怎么卖 止盈 +10%(半仓)/+20%(清仓) · 止损 -12% · 时间止损 5日
失效/反转 回踩跌破 prev_close $1048.51(吞没earnings pop)→业绩正面反应被市场否决,放弃;或DRAM/NAND合约价上行趋势逆转。
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分时走势
做多 MU.US
建仓日早于近 30 天,只有日线图
成交明细 · 纸面
做多 MU.US
| 收益状态 | -7.18% 已平仓 |
|---|---|
| 进场成交 | 2026-06-25 · 盘前首笔 · 06-25 18:23 北京 · @1223.06 |
| 离场成交 | 2026-06-26 · 常规开盘 · @1139.08 |
| 毛收益 | -6.87% |
| 成本 | +0.31% |
| 净收益 | -7.18% |
| 计入收益 | -7.18% |
| 建仓日 | 2026-06-25 · 进场不早于新闻时刻 + 2 分钟 |
收益口径 event_time_plus_2min_10min_walk_open_topup_to_next_open_exchange_calendar_fill_model_local_notional_v9 · method_id m8db1cbc8f2d · 截至 2026-10-27 13:51
研究档案
关键理由
- 业绩与指引大幅超预期(EPS $25.11 vs $20.20 +24%;FY4Q指引$50B vs 买方$46.4B),且结构性存储超级周期成立——KB确认HBM缺口2027扩至~9%[12][15]、DRAM fab稼动>90%[10]、MU仅能满足关键客户50-67%需求[13],多头逻辑硬。
- 当前PE_ttm仅27倍、52周低点$103.23到现价$1213已~10x;若广发FY2027 EPS $202成立则前瞻PE约6倍,结构性上行空间仍在——这是回调后顺势接、而非追高的理由。
- 但本信号是事件后~21h的卖方'更新版'点评(非新催化),股价已就业绩 +15.74% 跳涨、距52周高仅-3.3%、change_5d +16.33% 几乎全是这波pop——discrete事件edge已被price-in,只剩回踩后的momentum空间。
主要风险
- 追高即sell-the-news陷阱:+15.74%跳涨贴近52周高,若pop褪去回踩吞没则套牢;8%/日波动意味止损必须很宽。
- 广发EPS/目标价为'全市场最高',DRAM(+30%)/NAND(+40-50%)涨价预测若被证伪或存储周期见顶,前瞻估值锚崩塌。
原文全文
展开原文 · 857 字
美光FY3Q26业绩大幅超预期，营收415亿美元，Non-GAAP毛利率84.9%；FY4Q26指引显著优于市场；传统存储DRAM/NAND涨价持续超预期，2027年HBM价格有望翻倍；上调目标价至2021美元
《广发海外电子通信》
☄️美光 FY3Q26 点评：高景气持续（更新版）
☀️业绩大幅超预期：美光 FY3Q26 业绩表现强劲，营收达 415亿美元，Non-GAAP 毛利率 84.9%。公司 FY4Q26 业绩指引同样显著优于市场，营收中点 500亿美元，毛利率 86%（买方预期464亿美元 / 84.3%）。叠加传统存储与 HBM 同步涨价行情，我们预测美光 FY2026/2027 年营收分别为 1360/3060亿美元、EPS 为 78.74/202.14 美元，预测值为全市场最高。上调目标价至 2021 美元，估值依据为 10 倍 FY2027 预期市盈率。
☀️传统存储涨价持续超预期：DRAM 与 NAND 价格上行趋势延续。CY3Q26 DRAM 合约价谈判环比上涨趋近30%，NAND 环比涨幅 40%-50%，大幅超出市场此前 15%、30% 的预期。我们测算 2027 年 DRAM 比特供给同比仅增长 20%，而 HBM 放量 + 通用服务器扩容将拉动需求同比提升 37%。NAND 方面，KV cache分流将成为核心增量来源，2027 年带来 300-400EB 新增存储需求，进一步放大供需缺口。
☀️2027 年 HBM 价格有望实现翻倍：当前 HBM3E 单价约 1.7 美元 / Gb，HBM4 单价 2.1-2.2 美元 / Gb；对比 CY3Q26 普通 DDR5 单价已超 2.5 美元 / Gb。但产出同等比特容量时，HBM 晶圆消耗远高于普通 DRAM，存储厂商需要 HBM 定价达到普通 DRAM 的 3.5-4 倍，才能平衡单片晶圆营收收益。尽管实际定价会兼顾客户接受度与自身市占率，我们仍预计 2027 年 HBM 产品价格至少实现翻倍。
《广发海外电子通信》
☄️美光 FY3Q26 点评：高景气持续（更新版）
☀️业绩大幅超预期：美光 FY3Q26 业绩表现强劲，营收达 415亿美元，Non-GAAP 毛利率 84.9%。公司 FY4Q26 业绩指引同样显著优于市场，营收中点 500亿美元，毛利率 86%（买方预期464亿美元 / 84.3%）。叠加传统存储与 HBM 同步涨价行情，我们预测美光 FY2026/2027 年营收分别为 1360/3060亿美元、EPS 为 78.74/202.14 美元，预测值为全市场最高。上调目标价至 2021 美元，估值依据为 10 倍 FY2027 预期市盈率。
☀️传统存储涨价持续超预期：DRAM 与 NAND 价格上行趋势延续。CY3Q26 DRAM 合约价谈判环比上涨趋近30%，NAND 环比涨幅 40%-50%，大幅超出市场此前 15%、30% 的预期。我们测算 2027 年 DRAM 比特供给同比仅增长 20%，而 HBM 放量 + 通用服务器扩容将拉动需求同比提升 37%。NAND 方面，KV cache分流将成为核心增量来源，2027 年带来 300-400EB 新增存储需求，进一步放大供需缺口。
☀️2027 年 HBM 价格有望实现翻倍：当前 HBM3E 单价约 1.7 美元 / Gb，HBM4 单价 2.1-2.2 美元 / Gb；对比 CY3Q26 普通 DDR5 单价已超 2.5 美元 / Gb。但产出同等比特容量时，HBM 晶圆消耗远高于普通 DRAM，存储厂商需要 HBM 定价达到普通 DRAM 的 3.5-4 倍，才能平衡单片晶圆营收收益。尽管实际定价会兼顾客户接受度与自身市占率，我们仍预计 2027 年 HBM 产品价格至少实现翻倍。
决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。