姚泾河-本营 · MossV3 · 实盘不做把握 5/10
北京时间·🕒 发布 06-26 21:36:45时区推断·⟳ 抓取 06-26 21:47:23回填·⚡ 决策 06-29 21:28:36·119.7 天前
美光FY26Q3超预期财报已发酵5天,微信二手解读延伸AI存储周期,但催化已被+15%跳涨消化、6/29盘前-6.7%回吐
结构性存储超级周期确凿:美光FY26Q3超指引上限,Q4指引~$33.5B营收/81%毛利/>$19 EPS,HBM3E/HBM4已售罄至CY2027、需求延伸至2028;modeling_kb佐证HBM 100%售罄、DRAM缺口扩大(2026 HBM短缺~6%→2027~9%)、DRAM稼动率>90%[8][17][19]——长期方向看多。
📄 原文姚泾河-本营 · Moss
美光强财报后市场反应积极,文章分析HBM、DRAM、NAND等AI存储周期受客户capex驱动向好 美光 AI 存储文章从强财报后的市场反应,延伸到 HBM、DRAM、NAND、SCA 和客户 capex 对全球 AI 存储周期的影响。
不做 MU.US
财报催化(6/24盘后)已发生5天、被+15%跳涨完全price-in,6/29盘前-6.7%正在回吐(sell-the-news),本信号无新增信息无edge;结构看多但此处追抛物线≈接飞刀;不满足做空红线(唯一空理由是'涨多了/sell-the-news'属禁用弱理由,且基本面强多)→不开空。账户空仓,无相关多头可减。
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研究档案
关键理由
- 结构性存储超级周期确凿:美光FY26Q3超指引上限,Q4指引~$33.5B营收/81%毛利/>$19 EPS,HBM3E/HBM4已售罄至CY2027、需求延伸至2028;modeling_kb佐证HBM 100%售罄、DRAM缺口扩大(2026 HBM短缺~6%→2027~9%)、DRAM稼动率>90%[8][17][19]——长期方向看多。
- 但这是看多理由而非现在出手理由:本信号是6/26的二手解读,无任何新增事实。
主要风险
- 财报催化(6/24盘后)已发生5天并被市场用~+15%跳涨完全消化,现在6/29盘前美光-6.7%回吐,典型sell-the-news;本信号无新信息、无edge,price-in风险高。
- MU近13周+235%、一年12倍、市值$1.28T逼近52周高($1255),抛物线财报后转头向下,此处追多≈接飞刀;真要做结构性多头应等回踩企稳后另出决策,而非追这篇迟到的recap。
原文全文
展开原文 · 119 字
美光强财报后市场反应积极,文章分析HBM、DRAM、NAND等AI存储周期受客户capex驱动向好
美光 AI 存储文章从强财报后的市场反应,延伸到 HBM、DRAM、NAND、SCA 和客户 capex 对全球 AI 存储周期的影响。
美光 AI 存储文章从强财报后的市场反应,延伸到 HBM、DRAM、NAND、SCA 和客户 capex 对全球 AI 存储周期的影响。
决策记录链 · 只追加
每次领取产生一条记录,重新决策追加一条并以 supersedes 指向被替代的记录(ADR 0014)。
这条决策早于决策账本(2026-10-08 起逐条追加),没有追加记录。